影響磁控濺射鍍膜結果的因素：1、濺射功率的影響,在基體和涂層材料確定的情況下,工藝參數的選擇對于涂層生長速率和涂層質量都有很大的影響.其中濺射功率的設定對這兩方面都有極大的影響.2、氣壓的影響,磁控濺射是在低氣壓下進行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率,使氣體形成等離子體.在保證濺射功率固定的情況下,分析氣壓對于磁控濺射的影響。磁控濺射鍍膜的產品優點：1、幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積,而不論其熔化溫度如何;2、可以根據基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置;3、可以沉積合金和化合物的薄膜,同時保持與原始材料相似的組成。磁控濺射粉體鍍膜技術已經實現了銀包銅粉、銀包鋁粉、鋁包硅粉等多種微納米級粉體的量產。廣州高質量磁控濺射

磁控濺射鍍膜是現代工業中不可缺少的技術之一，磁控濺射鍍膜技術正普遍應用于透明導電膜、光學膜、超硬膜、抗腐蝕膜、磁性膜、增透膜、減反膜以及各種裝飾膜，在**和國民經濟生產中的作用和地位日益強大。鍍膜工藝中的薄膜厚度均勻性，沉積速率，靶材利用率等方面的問題是實際生產中十分關注的。解決這些實際問題的方法是對涉及濺射沉積過程的全部因素進行整體的優化設計，建立一個濺射鍍膜的綜合設計系統。薄膜厚度均勻性是檢驗濺射沉積過程的較重要參數之一，因此對膜厚均勻性綜合設計的研究具有重要的理論和應用價值。湖南共濺射磁控濺射處理磁控濺射的技術特點是要在陰極靶面附件產生與電場方向垂直的磁場，一般采用永久磁鐵實現。

磁控濺射設備在光學范疇：IF關閉場非平衡磁控濺射技術也已應用于光學薄膜（例如抗反射涂層），低輻射率玻璃和通明導電玻璃中。特別地，通明導電玻璃現在普遍地用于平板顯示設備，太陽能電池，微波和射頻屏蔽設備和設備以及傳感器中。在機械加工工業中，自引入以來，外表功用膜，超硬膜和自潤滑膜的外表沉積技術得到了大的發展，可以有效進步外表硬度，復合韌性，耐磨性和高韌性。溫度化學穩定性。性能，從而大幅度進步了涂層產品的使用壽命。除了已普遍使用的上述范疇外，磁控濺射鍍膜儀還在高溫超導薄膜，鐵電薄膜，巨磁阻薄膜，薄膜發光材料，太陽能電池和記憶合金薄膜。

磁控直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導體材料，不適于絕緣材料。因為轟擊絕緣靶材時，表面的離子電荷無法中和，這將導致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機會將變小，甚至不能電離，導致不能連續放電甚至放電停止，濺射停止。故對于絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材，須用射頻濺射法（RF）。濺射過程中涉及到復雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10eV），從而從晶格點陣中被碰撞出來，產生離位原子；這些離位原子進一步和附近的原子依次反復碰撞，產生碰撞級聯；當這種碰撞級聯到達靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材表面脫離從而進入真空。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向。

直流磁控濺射所用的電源是直流高壓電源，通常在300～1000V，特點是濺射速率快，造價低，后期維修保養廉價。可是只能濺射金屬靶材，假如靶材是絕緣體，隨著濺射的深化，靶材會聚集很多的電荷，導致濺射無法持續。因而關于金屬靶材通常用直流磁控濺射，因為造價廉價，結構簡略，目前在工業上使用普遍。脈沖磁控濺射是采用脈沖電源或者直流電源與脈沖生成裝置配合，輸出脈沖電流驅動磁控濺射沉積。一般使用矩形波電壓，既容易獲得又有利于研究濺射放電等離子體的變化過程。工作模式與中頻濺射。雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設備。云南金屬磁控濺射鍍膜

磁控濺射是眾多獲得高質量的薄膜技術當中使用較普遍的一種鍍膜工藝。廣州高質量磁控濺射

磁控濺射是物理中氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀70年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯過程。在這種級聯過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。廣州高質量磁控濺射