磁控濺射法：磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣，在陰極和陽極之間施加幾百K直流電壓，在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電，使氬氣發生電離。優勢特點：較常用的制備磁性薄膜的方法是磁控濺射法。氬離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面，將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成薄膜。通過更換不同材質的靶和控制不同的濺射時間，便可以獲得不同材質和不同厚度的薄膜。磁控濺射法具有鍍膜層與基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻等優點。濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學性能、電學性能及某些特殊性能。廣東平衡磁控濺射方案

直流濺射的結構原理：真空室中裝有輝光放電的陰極，靶材就裝在此極表面上，接受離子轟擊；安裝鍍膜基片或工件的樣品臺以及真空室接地，作為陽極。操作時將真空室抽至高真空后，通入氬氣，并使其真空度維持在1.0Pa左右，再加上2-3kV的直流電壓于兩電極之上，即可產生輝光放電。此時，在靶材附近形成高密度的等離子體區，即負輝區該區中的離子在直流電壓的加速下轟擊靶材即發生濺射效應。由靶材表面濺射出來的原子沉積在基片或工件上，形成鍍層。專業磁控濺射設備濺射可連續工作，鍍膜過程容易自動控制，工業上流水線作業。

磁控濺射又稱為高速低溫濺射。在磁場約束及增強下的等離子體中的工作氣體離子，在靶陰極電場的加速下，轟擊陰極材料，使材料表面的原子或分子飛離靶面，穿越等離子體區以后在基片表面淀積、遷移較終形成薄膜。與二極濺射相比較，磁控濺射的沉積速率高，基片升溫低，膜層質量好，可重復性好，便于產業化生產。它的發展引起了薄膜制備工藝的巨大變革。磁控濺射源在結構上必須具備兩個基本條件:(1)建立與電場垂直的磁場;(2)磁場方向與陰極表面平行，并組成環形磁場。

物相沉積的基本特點：物相沉積技術工藝過程簡單，對環境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結合力強。該技術普遍應用于航空航天、電子、光學、機械、建筑、輕工、冶金、材料等領域，可制備具有耐磨、耐腐蝕、裝飾、導電、絕緣、光導、壓電、磁性、潤滑、超導等特性的膜層。隨著高科技及新興工業發展，物相沉積技術出現了不少新的先進的亮點，如多弧離子鍍與磁控濺射兼容技術，大型矩形長弧靶和濺射靶，非平衡磁控濺射靶，孿生靶技術，帶狀泡沫多弧沉積卷繞鍍層技術，條狀纖維織物卷繞鍍層技術等，使用的鍍層成套設備，向計算機全自動，大型化工業規模方向發展。物相沉積技術工藝過程簡單，對環境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結合力強。

磁控濺射技術原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛倫茲力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長。在運動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，較終沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不只只是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。北京反應磁控濺射鍍膜

射頻磁控濺射，又稱射頻磁控濺射，是一種制備薄膜的工藝，特別是在使用非導電材料時。廣東平衡磁控濺射方案

磁控濺射設備的主要用途：（1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉換效率。（2）裝飾領域的應用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機外殼，鼠標等。（3）在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技術，主要應用在化學氣相沉積或金屬有機。（4）化學氣相沉積困難及不適用的材料薄膜沉積，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。（5）在光學領域：中頻閉合場非平衡磁控濺射技術也已在光學薄膜、低輻射玻璃和透明導電玻璃等方面得到應用。特別是透明導電玻璃普遍應用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。（6）在機械加工行業中，表面功能膜、超硬膜，自潤滑薄膜的表面沉積技術自問世以來得到長足發展，能有效的提高表面硬度、復合韌性、耐磨損性和抗高溫化學穩定性能，從而大幅度地提高涂層產品的使用壽命。磁控濺射除上述已被大量應用的領域，還在高溫超導薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發光材料、太陽能電池、記憶合金薄膜研究方面發揮重要作用。廣東平衡磁控濺射方案