二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。在MEMS制程中，刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法。河南半導體器件加工公司

光刻工藝是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這里所說的襯底不只包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質層。光刻的優點是它可以精確地控制形成圖形的形狀、大小，此外它可以同時在整個芯片表面產生外形輪廓。不過，其主要缺點在于它必須在平面上使用，在不平的表面上它的效果要差一些。此外它還要求襯底具有極高的清潔條件。河南半導體器件加工公司高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。

光刻工藝的基本流程是首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實現曝光，激發光化學反應。對曝光后的晶圓進行第二次烘烤，即所謂的曝光后烘烤，后烘烤使得光化學反應更充分。較后，把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上，對曝光圖形顯影。顯影后，掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機中完成的，曝光是在光刻機中完成的。勻膠顯影機和光刻機一般都是聯機作業的，晶圓通過機械手在各單元和機器之間傳送。整個曝光顯影系統是封閉的，晶圓不直接暴露在周圍環境中，以減少環境中有害成分對光刻膠和光化學反應的影響。

刻蝕工藝不只是半導體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工。刻蝕較簡單較常用分類是：干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是：濕法刻蝕在半導體工藝中有著普遍應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕優點是選擇性好、重復性好、生產效率高、設備簡單、成本低。干法刻蝕優點是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復性好，細線條操作安全。

半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間，利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉換。半導體器件的半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區別，有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結構是一個PN結。半導體器件由于性能優異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導、電子戰等系統中已得到普遍的應用。光刻的優點是它可以精確地控制形成圖形的形狀、大小，此外它可以同時在整個芯片表面產生外形輪廓。湖北壓電半導體器件加工報價

用硅片制造晶片主要是制造晶圓上嵌入電子元件(如電晶體、電容、邏輯閘等)的電路。河南半導體器件加工公司

微機電系統是微電路和微機械按功能要求在芯片上的集成，尺寸通常在毫米或微米級，自八十年代中后期崛起以來發展極其迅速，被認為是繼微電子之后又一個對國民經濟和軍務具有重大影響的技術領域，將成為21世紀新的國民經濟增長點和提高軍務能力的重要技術途徑。微機電系統的優點是：體積小、重量輕、功耗低、耐用性好、價格低廉、性能穩定等。微機電系統的出現和發展是科學創新思維的結果，使微觀尺度制造技術的演進與革命。微機電系統是當前交叉學科的重要研究領域，涉及電子工程、材料工程、機械工程、信息工程等多項科學技術工程，將是未來國民經濟和軍務科研領域的新增長點。河南半導體器件加工公司