對半導體研發工程師而言，排查的過程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產工藝制程損傷等潛在因素后，若仍未找到癥結，往往需要芯片原廠介入，通過剖片分析深入探究內核。

然而，受限于專業分析設備的缺乏，再加上芯片內部設計涉及機密，工程師難以深入了解其底層構造，這就導致他們在面對原廠出具的分析報告時，常常陷入 “被動接受” 的局面 —— 既無法完全驗證報告的細節，也難以基于自身判斷提出更具針對性的疑問或補充分析方向。 我司自研含微光顯微鏡等設備，獲多所高校、科研院所及企業認可使用，性能佳，廣受贊譽。國產微光顯微鏡哪家好

EMMI 微光顯微鏡作為集成電路失效分析的重要設備，其漏電定位功能對于失效分析工程師而言是不可或缺的工具。在集成電路領域，對芯片的可靠性有著極高的要求。在芯片運行過程中，微小漏電現象較為常見，且在特定條件下，這些微弱的漏電可能會被放大，導致芯片乃至整個控制系統的失效。因此，芯片微漏電現象在集成電路失效分析中占據著至關重要的地位。此外，考慮到大多數集成電路的工作電壓范圍在3.3V至20V之間，工作電流即便是微安或毫安級別的漏電流也足以表明芯片已經出現失效。因此，準確判斷漏流位置對于確定芯片失效的根本原因至關重要。 低溫熱微光顯微鏡原理靜電放電破壞半導體器件時，微光顯微鏡偵測其光子可定位故障點，助分析原因程度。

這一技術不僅有助于快速定位漏電根源（如特定晶體管的柵氧擊穿、PN結邊緣缺陷等），更能在芯片量產階段實現潛在漏電問題的早期篩查，為采取針對性修復措施（如優化工藝參數、改進封裝設計）提供依據，從而提升芯片的長期可靠性。例如，某批次即將交付的電源管理芯片在出廠前的EMMI抽檢中，發現部分芯片的邊角區域存在持續穩定的微弱光信號。結合芯片的版圖設計與工藝參數分析，確認該區域的NMOS晶體管因柵氧層局部厚度不足導致漏電。技術團隊據此對這批次芯片進行篩選，剔除了存在漏電隱患的產品，有效避免了缺陷芯片流入市場后可能引發的設備功耗異常、發熱甚至燒毀等風險。

致晟光電 RTTLIT E20 微光顯微分析系統（EMMI）是一款專為半導體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設備。該系統搭載先進的 - 80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡，憑借超高檢測靈敏度，可捕捉器件在微弱漏電流信號下產生的極微弱微光。通過超高靈敏度成像技術，設備能快速定位漏電缺陷并開展深度分析，為工程師優化生產工藝、提升產品可靠性提供關鍵支持，進而為半導體器件的質量控制與失效分析環節提供安全可靠的解決方案。微光顯微鏡分析 3D 封裝器件光子，結合光學原理和算法可預估失效點深度，為失效分析和修復提供參考。

考慮到部分客戶的特殊應用場景，我們還提供Thermal&EMMI的個性化定制服務。無論是設備的功能模塊調整、性能參數優化，還是外觀結構適配，我們都能根據您的具體需求進行專屬設計與研發。憑借高效的研發團隊和成熟的生產體系，定制項目通常在 2-3 個月內即可完成交付，在保證定制靈活性的同時，充分兼顧了交付效率，讓您的特殊需求得到及時且滿意的答案。致晟光電始終致力于為客戶提供更可靠、更貼心的服務，期待與您攜手共進，共創佳績。支持離線數據分析，可將檢測圖像導出后進行深入處理，不占用設備的實時檢測時間。無損微光顯微鏡銷售公司

支持自定義檢測參數，測試人員可根據特殊樣品特性調整設置，獲得較為準確的檢測結果。國產微光顯微鏡哪家好

定位短路故障點短路是造成芯片失效的關鍵誘因之一。

當芯片內部電路發生短路時，短路區域會形成異常電流通路，引發局部溫度驟升，并伴隨特定波長的光發射現象。EMMI（微光顯微鏡）憑借其超高靈敏度，能夠捕捉這些由短路產生的微弱光信號，再通過對光信號的強度分布、空間位置等特征進行綜合分析，可實現對短路故障點的精確定位。

以一款高性能微處理器芯片為例，其在測試中出現不明原因的功耗激增問題，技術人員初步判斷為內部電路存在短路隱患。通過EMMI對芯片進行全域掃描檢測，在極短時間內便在芯片的某一特定功能模塊區域發現了光發射信號。結合該芯片的電路設計圖紙和版圖信息進行深入分析，終鎖定故障點為兩條相鄰的鋁金屬布線之間因絕緣層破損而發生的短路。這一定位為后續的故障修復和工藝改進提供了直接依據。 國產微光顯微鏡哪家好