óíasdeplásticoflexiblenorequerirándeunrecubrimientoadicionaldebarreraanticorrosivaoprotecciones,íasdeplásticoflexibleesnecesarioquecumplanlossiguientesrequisitos:a)Resistenciaquímicainternayexternaaproductospetrolíferos,)ResistenciamecánicaalapresióíáóneléóndeáóndeáreasserárealizadasegúnelprocedimientoindicadoenelReglamentoElectrotécnicodeBajaTensióárealizarunplano,enelquedeformaclarasedefinalaclasificacióncompletadecadaemplazamiento,asícomolosdetallestípicosdeclasificacióndecadaelementodelainstalaciónque,durantesufuncionamientonormalpuedadarlugaraunazonaclasificada,debiendoademásaparecerenestedocumentolasinformacionessiguientes:a)áó)Cadaunadelaszonasysuextensióóndecadazonaserealizarámedianteelanálisisdelosfactoressiguientes:)Determinacióndelacantidadmíóónsedeterminasiloselementosdelainstalacióncontienencantidadessuperioresalosvolúmenesmínimosespecificados。BOE蝕刻液，助您打造精美絕倫的蝕刻作品。江蘇專業(yè)BOE蝕刻液銷售廠家

    這是除去固體顆粒、電子流、水、或者或多或少具有極性的油脂污染的要求。在精細(xì)清洗中，經(jīng)常存在裝有凹槽、肋條或盲孔的非常復(fù)雜的部件，必須用溶劑對(duì)其進(jìn)行潤(rùn)濕，以使溶劑在這些難洗位置發(fā)揮作用。氟化溶劑來自提供表面的可能性的潤(rùn)濕的溶劑類型，其中，所述表面的可能性的潤(rùn)濕以非常低的表面張力表示(例如，相對(duì)于，HCFC141b為)。高潤(rùn)濕的另一優(yōu)點(diǎn)是得到基底的較快干燥。在幾乎相同的分子量下，氟化溶劑具有較低的沸點(diǎn)和較高的蒸氣壓。因此，HCFC141b在32°C下沸騰而氯仿在61°C下沸騰。這兩種性質(zhì)(低沸點(diǎn)和高蒸氣壓)有利于這些溶劑在利用蒸氣相操作的常規(guī)工業(yè)機(jī)器中的應(yīng)用，使得能夠進(jìn)行部件的漂洗和干燥，而且使得被連續(xù)蒸餾的溶劑能夠再生。這些機(jī)器裝有用于通過冷凝而使蒸氣在盤管上冷卻的大功率(heavy-duty)系統(tǒng)，這些機(jī)器的操作方法使得所用高蒸氣壓的缺點(diǎn)小化。工業(yè)家們期望可用于他們的現(xiàn)有機(jī)器存貨的替代解決方案。此外，氫氟烴地用于制冷和傳熱過程。本發(fā)明提供具有低GWP且具有可生物降解的優(yōu)點(diǎn)的組合物。根據(jù)本發(fā)明的組合物含甲基四氫呋喃和至少一種式C4F90R的九氟丁基烷基醚，其中R具有14個(gè)碳原子的線型或支化的飽和烷基鏈。有利地。浙江BOE蝕刻液推薦廠家BOE蝕刻液的比例分為哪些？

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    所述的磷酸濃度為82-87％。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液，醇醚類的含量為％。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液，表面活性劑的含量為％。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液，所述的醇醚類為選自二乙二醇單甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇乙醚、三丙二醇單甲醚、三甘醇單丁醚等中的至少一種；表面活性劑為選自脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p、壬基酚聚氧乙烯醚np-10、聚乙二醇硬脂酸酯egms、烷基酚聚氧乙烯醚硫酸鈉、月桂酰氨乙基硫酸鈉、醇醚羧酸鹽等中的至少一種。進(jìn)一步地，在使用本發(fā)明的蝕刻液進(jìn)行氮化硅層蝕刻時(shí)，蝕刻溫度為152-165℃，蝕刻時(shí)間為5-60min。通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，改善了磷酸的浸潤(rùn)性和表面張力，明顯提高了蝕刻液對(duì)氮化硅層的潤(rùn)濕和蝕刻均勻性。為了便于驗(yàn)證氮化硅薄膜層的蝕刻均勻性，本發(fā)明使用淀積了氮化硅薄膜的晶圓樣片(初始厚度約為)。蝕刻液配制完成后，先使用表面張力儀檢測(cè)該蝕刻液的表面張力；然后將氮化硅晶圓片切割成1cm*3cm的小樣片，采用超純水清洗和氮?dú)獯蹈珊?，使用接觸角測(cè)量?jī)x檢測(cè)蝕刻液對(duì)氮化硅層的接觸角大小。在蝕刻前，使用橢圓偏振光譜儀對(duì)氮化硅樣片取不同位置共6個(gè)點(diǎn)進(jìn)行厚度的測(cè)量。BOE蝕刻液適用于什么半導(dǎo)體什么制程；

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