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    所述組合物包含540重量％的甲基四氫呋喃和6095重量％的式C4F90R的九氟丁基烷基醚。的甲基四氫呋喃是2-甲基四氫呋喃。在式C4F90R的九氟丁基烷基醚中，九氟丁基甲基醚和九氟丁基乙基醚。不論R是什么，的九氟丁基烷基醚主要由九氟正丁基烷基醚和九氟異丁基烷基醚組成。共沸或共沸型的組合物是特別有利的。當R為甲基時，該共沸或共沸型的組合物包含515重量％的甲基四氫呋喃和8595重量％的九氟丁基甲基醚。包含8重量％的甲基四氫呋喃和92重量％的九氟丁基甲基醚的共沸組合物在大氣壓下具有°C的沸點。當R為乙基時，該共沸或共沸型的組合物包含1040重量％的甲基四氫呋喃和6090重量％的九氟丁基乙基醚。包含％的甲基四氫呋喃和％的九氟丁基乙基醚的共沸組合物在大氣壓()下具有°C的沸點。共沸組合物是兩種或更多種化合物的液體混合物，其具有可高于或低于各化合物的沸點的恒定沸點(即，在沸騰或蒸發期間沒有分餾的傾向)。因此，在蒸發期間形成的蒸氣的組成與初始的液體組合物相同或者幾乎相同。共沸型組合物是兩種或更多種化合物的液體混合物，其具有基本上恒定的沸點，也就是說，共沸型組合物起到單一化合物的作用。

    其擴散管深入到所述再生液調配缸中；液體泵，其一端通過管道連接所述再生液調配缸的循環出液口，另一端通過管道連接所述射流器的進液口，用于將所述再生液調配缸中的電解后液通過所述管道抽取至所述射流器的進液口。進一步地，所述酸性蝕刻液電解后液處理系統還包括：曝氣裝置，用于向所述再生液調配缸中的電解后液輸送氣體以進行攪拌。進一步地，所述酸性蝕刻液電解后液處理系統還包括：后續處理系統，用于向經過所述再生液調配缸處理過的電解后液中加入氯化鈉、鹽酸并攪拌均勻。更進一步地，所述電解槽的陽極為石墨電極，陰極為鈦或鈦合金板狀電極。更進一步地，所述電解槽中陰極與陽極之間的距離為55mm。更進一步地，所述電解槽的電流密度為300a/m2。本實用新型所提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統通過簡單的結構實現了電解后廢液的再生利用，可節約能耗和藥品，提高經濟效益。附圖說明圖1是本實用新型實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統的結構圖；圖2是本實用新型第二實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統的結構圖。具體實施方式為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解。博洋 BOE 蝕刻液聚焦微電子領域，憑借實力打造個性化解決方案，滿足微電子行業多樣化需求。

    形成氣液混合體，從擴散管22排出又進入到再生液調配缸3。電解再生某線路板生產線蝕刻廢液，蝕刻廢液量1000m3/d，相比沒有使用本實用新型所提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統，能耗節約40％，節約使用藥品100kg/d，經濟效益提高30％。作為本實施例的一個示例，電解槽1的陽極可選用石墨電極，陰極可選用鈦或鈦合金板狀電極，電解槽1中陰極與陽極之間的距離為55mm，電解槽1的電流密度為300a/m2。與實施例相結合，圖2示出了本實用新型第二實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統的結構，在實施例的基礎上，第二實施例進一步包括曝氣裝置5，曝氣裝置5通過管道深入到再生液調配缸3的液體中，用于向再生液調配缸3中的電解后液輸送氣體以進行攪拌，以提高整個系統的工作效率。進一步地，與上述、第二實施例相結合，酸性蝕刻液電解后液處理系統還可以包括一后續處理系統，用于向經過再生液調配缸3處理過的電解后液中加入氯化鈉、鹽酸并攪拌均勻，然后再打入到子液桶，實現再生液循環利用。以上所述為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。BOE蝕刻液的的性價比、質量哪家比較好？山東應用BOE蝕刻液銷售廠

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    所述的磷酸濃度為82-87％。進一步地，本發明涉及上述蝕刻液，醇醚類的含量為％。進一步地，本發明涉及上述蝕刻液，表面活性劑的含量為％。進一步地，本發明涉及上述蝕刻液，所述的醇醚類為選自二乙二醇單甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇乙醚、三丙二醇單甲醚、三甘醇單丁醚等中的至少一種；表面活性劑為選自脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p、壬基酚聚氧乙烯醚np-10、聚乙二醇硬脂酸酯egms、烷基酚聚氧乙烯醚硫酸鈉、月桂酰氨乙基硫酸鈉、醇醚羧酸鹽等中的至少一種。進一步地，在使用本發明的蝕刻液進行氮化硅層蝕刻時，蝕刻溫度為152-165℃，蝕刻時間為5-60min。通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，改善了磷酸的浸潤性和表面張力，明顯提高了蝕刻液對氮化硅層的潤濕和蝕刻均勻性。為了便于驗證氮化硅薄膜層的蝕刻均勻性，本發明使用淀積了氮化硅薄膜的晶圓樣片(初始厚度約為)。蝕刻液配制完成后，先使用表面張力儀檢測該蝕刻液的表面張力；然后將氮化硅晶圓片切割成1cm*3cm的小樣片，采用超純水清洗和氮氣吹干后，使用接觸角測量儀檢測蝕刻液對氮化硅層的接觸角大小。在蝕刻前，使用橢圓偏振光譜儀對氮化硅樣片取不同位置共6個點進行厚度的測量。湖北了解BOE蝕刻液廠家現貨