形成氣液混合體，從擴(kuò)散管22排出又進(jìn)入到再生液調(diào)配缸3。電解再生某線路板生產(chǎn)線蝕刻廢液，蝕刻廢液量1000m3/d，相比沒有使用本實(shí)用新型所提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)，能耗節(jié)約40％，節(jié)約使用藥品100kg/d，經(jīng)濟(jì)效益提高30％。作為本實(shí)施例的一個(gè)示例，電解槽1的陽極可選用石墨電極，陰極可選用鈦或鈦合金板狀電極，電解槽1中陰極與陽極之間的距離為55mm，電解槽1的電流密度為300a/m2。與實(shí)施例相結(jié)合，圖2示出了本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，在實(shí)施例的基礎(chǔ)上，第二實(shí)施例進(jìn)一步包括曝氣裝置5，曝氣裝置5通過管道深入到再生液調(diào)配缸3的液體中，用于向再生液調(diào)配缸3中的電解后液輸送氣體以進(jìn)行攪拌，以提高整個(gè)系統(tǒng)的工作效率。進(jìn)一步地，與上述、第二實(shí)施例相結(jié)合，酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)還可以包括一后續(xù)處理系統(tǒng)，用于向經(jīng)過再生液調(diào)配缸3處理過的電解后液中加入氯化鈉、鹽酸并攪拌均勻，然后再打入到子液桶，實(shí)現(xiàn)再生液循環(huán)利用。以上所述為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。BOE蝕刻液價(jià)格咨詢，請(qǐng)聯(lián)系蘇州博洋化學(xué)。江蘇一種BOE蝕刻液

    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù)：氮化硅是一種具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對(duì)氮化硅進(jìn)行緩慢地腐蝕。在半導(dǎo)體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對(duì)氮化硅進(jìn)行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導(dǎo)體制程的飛速發(fā)展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對(duì)制造工藝中的各工藝節(jié)點(diǎn)要求也越來越高，如蝕刻工藝中對(duì)蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對(duì)氮化硅進(jìn)行蝕刻時(shí)，晶圓表面會(huì)出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象，體現(xiàn)于在蝕刻前后進(jìn)行相同位置取點(diǎn)的厚度測(cè)量時(shí)，檢測(cè)點(diǎn)之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實(shí)現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液。江蘇無機(jī)BOE蝕刻液供應(yīng)BOE蝕刻液的配方是什么樣的？

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    然后將裝有蝕刻液的石英燒瓶放入加熱套中加熱，待加熱到確定溫度后，放入氮化硅樣片進(jìn)行蝕刻；蝕刻完后，取出樣片采用熱超純水清洗和氮?dú)獯蹈珊螅褂脵E圓偏振光譜儀對(duì)蝕刻前所取位置的6個(gè)點(diǎn)的厚度進(jìn)行測(cè)量，計(jì)算蝕刻前后6個(gè)取點(diǎn)的厚度差值，對(duì)比6個(gè)點(diǎn)之間的厚度差值的差異。與現(xiàn)有的使用磷酸作為蝕刻液相比，本發(fā)明的有益效果是：醇醚類和表面活性劑的添加能明顯改善磷酸溶液的浸潤性和降低磷酸溶液的表面張力，有效提高了蝕刻液對(duì)氮化硅層的潤濕性和蝕刻均勻性。具體實(shí)施方式下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的說明，但不限于這些實(shí)施例。本發(fā)明的蝕刻液配制時(shí)選擇的磷酸濃度為85％，蝕刻溫度為160℃，蝕刻時(shí)間為10min。先對(duì)所配制蝕刻液的表面張力進(jìn)行檢測(cè)，然后將氮化硅樣片使用超純水清洗和氮?dú)獯蹈珊螅M(jìn)行接觸角的測(cè)量；蝕刻前使用超純水清洗和氮?dú)獯蹈傻铇悠螅诘铇悠先?個(gè)不同位置的點(diǎn)對(duì)其厚度進(jìn)行測(cè)量；蝕刻完成后使用熱超純水清洗和氮?dú)獯蹈傻铇悠螅∨c蝕刻前相同位置的6個(gè)點(diǎn)進(jìn)行厚度測(cè)量。實(shí)施例1本發(fā)明的實(shí)施例按蝕刻液總質(zhì)量為400g進(jìn)行配制，先稱取濃度為85％的磷酸，然后稱取添加劑加入磷酸中。使用BOE蝕刻液，提升生產(chǎn)效率，降低成本。

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    其擴(kuò)散管深入到所述再生液調(diào)配缸中；液體泵，其一端通過管道連接所述再生液調(diào)配缸的循環(huán)出液口，另一端通過管道連接所述射流器的進(jìn)液口，用于將所述再生液調(diào)配缸中的電解后液通過所述管道抽取至所述射流器的進(jìn)液口。進(jìn)一步地，所述酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)還包括：曝氣裝置，用于向所述再生液調(diào)配缸中的電解后液輸送氣體以進(jìn)行攪拌。進(jìn)一步地，所述酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)還包括：后續(xù)處理系統(tǒng)，用于向經(jīng)過所述再生液調(diào)配缸處理過的電解后液中加入氯化鈉、鹽酸并攪拌均勻。更進(jìn)一步地，所述電解槽的陽極為石墨電極，陰極為鈦或鈦合金板狀電極。更進(jìn)一步地，所述電解槽中陰極與陽極之間的距離為55mm。更進(jìn)一步地，所述電解槽的電流密度為300a/m2。本實(shí)用新型所提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)通過簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了電解后廢液的再生利用，可節(jié)約能耗和藥品，提高經(jīng)濟(jì)效益。附圖說明圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖；圖2是本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解。江蘇一種BOE蝕刻液