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    然后將裝有蝕刻液的石英燒瓶放入加熱套中加熱，待加熱到確定溫度后，放入氮化硅樣片進行蝕刻；蝕刻完后，取出樣片采用熱超純水清洗和氮氣吹干后，使用橢圓偏振光譜儀對蝕刻前所取位置的6個點的厚度進行測量，計算蝕刻前后6個取點的厚度差值，對比6個點之間的厚度差值的差異。與現有的使用磷酸作為蝕刻液相比，本發明的有益效果是：醇醚類和表面活性劑的添加能明顯改善磷酸溶液的浸潤性和降低磷酸溶液的表面張力，有效提高了蝕刻液對氮化硅層的潤濕性和蝕刻均勻性。具體實施方式下面結合具體實施例，進一步闡述本發明，對本發明做進一步詳細的說明，但不限于這些實施例。本發明的蝕刻液配制時選擇的磷酸濃度為85％，蝕刻溫度為160℃，蝕刻時間為10min。先對所配制蝕刻液的表面張力進行檢測，然后將氮化硅樣片使用超純水清洗和氮氣吹干后，進行接觸角的測量；蝕刻前使用超純水清洗和氮氣吹干氮化硅樣片后，在氮化硅樣片上取6個不同位置的點對其厚度進行測量；蝕刻完成后使用熱超純水清洗和氮氣吹干氮化硅樣片后，取與蝕刻前相同位置的6個點進行厚度測量。實施例1本發明的實施例按蝕刻液總質量為400g進行配制，先稱取濃度為85％的磷酸，然后稱取添加劑加入磷酸中。

    此處所描述的具體實施例用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。參照圖1，本實用新型實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統包括：電解槽1、射流器2、再生液調配缸3、液體泵4，其中，電解槽1具有一出液口和出氣口，且電解槽1中內置有酸性蝕刻液，電解槽1對該酸性蝕刻液進行電解提銅，產生氯氣，得到電解后液，并且，產生的氯氣通過位于上方的出氣口排出，電解后液通過位于下方的出液口排出。射流器2包括混氣室21和擴散管22，混氣室21和擴散管22之間為喉管，混氣室21具有進氣口2a、進液口2b、出液口2c，擴散管22連接至出液口2c，進氣口2a通過導氣管a與電解槽1的出氣口連接以接收氯氣，擴散管22深入到再生液調配缸3中。再生液調配缸3具有進液口和循環出液口，進液口通過管道b與電解槽1的出液口連接以接收電解后液。液體泵4的一端通過管道b連接再生液調配缸3的循環出液口，另一端通過管道b連接射流器2的進液口2b，用于將再生液調配缸3中的電解后液通過管道b抽取至射流器2的進液口2b。電解槽1電解提銅后，陽極產生的氯氣通過導氣管a進入到射流裝置2的混氣室21內，電解后液通過液體泵4打入到射流裝置2的混氣室21，在混氣室21形成真空，在喉管處氯氣與電解后液劇烈混合。蘇州BOE蝕刻液廠家哪家好？

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    所述的磷酸濃度為82-87％。進一步地，本發明涉及上述蝕刻液，醇醚類的含量為％。進一步地，本發明涉及上述蝕刻液，表面活性劑的含量為％。進一步地，本發明涉及上述蝕刻液，所述的醇醚類為選自二乙二醇單甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇乙醚、三丙二醇單甲醚、三甘醇單丁醚等中的至少一種；表面活性劑為選自脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p、壬基酚聚氧乙烯醚np-10、聚乙二醇硬脂酸酯egms、烷基酚聚氧乙烯醚硫酸鈉、月桂酰氨乙基硫酸鈉、醇醚羧酸鹽等中的至少一種。進一步地，在使用本發明的蝕刻液進行氮化硅層蝕刻時，蝕刻溫度為152-165℃，蝕刻時間為5-60min。通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，改善了磷酸的浸潤性和表面張力，明顯提高了蝕刻液對氮化硅層的潤濕和蝕刻均勻性。為了便于驗證氮化硅薄膜層的蝕刻均勻性，本發明使用淀積了氮化硅薄膜的晶圓樣片(初始厚度約為)。蝕刻液配制完成后，先使用表面張力儀檢測該蝕刻液的表面張力；然后將氮化硅晶圓片切割成1cm*3cm的小樣片，采用超純水清洗和氮氣吹干后，使用接觸角測量儀檢測蝕刻液對氮化硅層的接觸角大小。在蝕刻前，使用橢圓偏振光譜儀對氮化硅樣片取不同位置共6個點進行厚度的測量。江蘇介紹BOE蝕刻液私人定做