磁轉子12放置在待加工部件20的待加工表面上，用于通過旋轉對待加工部件20的待加工表面進行機械研磨，對待加工表面進行減薄。由于減薄過程中待加工部件20如inp基晶圓本身不旋轉，因此，可以降低拋光減薄過程中對待加工部件20如inp基晶圓的擠壓應力，降低待加工部件20如inp基晶圓的機械加工損傷。可選地，本發(fā)明實施例中通過光刻膠鍵合固定待加工部件20和托盤10。當然，本發(fā)明并不限于此，在其他實施例中，待加工部件20和托盤10還可以采用其他膠體進行鍵合固定。基于此，如圖2所示，本發(fā)明實施例中的拋光減薄裝置還包括熱板14，該熱板14設置在托盤10底部，用于對托盤10進行加熱，以使待加工部件20與托盤10鍵合固定。具體地，將待加工部件20背面噴涂厚度約為2μm的光刻膠21，如az4620光刻膠，然后在托盤10表面噴涂厚度約為3μm的光刻膠21，如az4620光刻膠，之后，將托盤10光刻膠面向上放于溫度為90℃的熱板14上，將待加工部件20光刻膠面和托盤10光刻膠面貼合，在2×10-2mabr真空下，施加1bar壓強于待加工部件20上進行鍵合，鍵合時間20min。本發(fā)明實施例中，采用噴頭11向待加工部件20的待加工表面噴涂拋光液110，來對待加工部件20的待加工表面進行拋光。需要說明的是。高效去除涂層，減薄用清洗劑讓您的生產更順暢。嘉興哪家公司減薄用清洗劑

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    將待加工部件固定在托盤上包括：采用光刻膠將待加工部件固定在托盤上。具體地，將待加工部件背面噴涂厚度約為2μm的光刻膠，如az4620光刻膠，然后在托盤表面噴涂厚度約為3μm的光刻膠，如az4620光刻膠，之后，將托盤光刻膠面向上放于溫度為90℃的熱板上，將待加工部件光刻膠面和托盤光刻膠面貼合，在2×10-2mabr真空下，施加1bar壓強于待加工部件上進行鍵合，鍵合時間20min。s102：通過噴頭向待加工部件的待加工表面噴涂拋光液，來對待加工表面進行拋光；s103：通過磁轉子旋轉對待加工表面進行機械研磨，來對待加工表面進行減薄。可選地，本發(fā)明實施例中，s102和s103可以交替進行，也就是說，控制磁轉子旋轉一段時間后，控制磁轉子停止旋轉，并控制噴頭噴涂拋光液，停止噴涂拋光液后，再次控制磁轉子旋轉，以此類推。本發(fā)明實施例中，通過磁轉子和噴頭交替工作，實現(xiàn)了減薄和拋光兩種工藝交替作用，使得減薄和拋光一體化完成，整個過程穩(wěn)定，速度快，控制性好，重復度高，無粉塵污染，襯底減薄終厚度達到20μm，拋光面ra＜2nm。由于減薄過程中待加工部件20如inp基晶圓本身不旋轉，因此，可以降低拋光減薄過程中對待加工部件20如inp基晶圓的擠壓應力。

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    降低待加工部件20如inp基晶圓的機械加工損傷。由于本發(fā)明實施例中采用光刻膠對托盤和待加工部件進行了固定，因此，對待加工部件的待加工表面進行拋光和減薄之后，還包括：對待加工部件進行清洗；采用特定溶液對光刻膠進行腐蝕，以將待加工部件與托盤分離。具體地，在完成拋光和減薄后，可以采用直鏈烷基苯磺酸鹽溶劑對待加工部件20進行清洗，用di水沖洗干凈，40℃的氮氣吹干。之后，將清洗后的待加工部件20和托盤10侵入60℃的nmp(n甲基吡咯烷酮)30min，使得待加工部件20和托盤10自動分離，取出待加工部件20后清洗干凈即可。本發(fā)明實施例提供的方法，還包括：在磁轉子運行一段時間后，更換磁轉子。如磁轉子12工作1小時后，可以將磁轉子12更換為新的磁轉子，以使磁轉子與待加工表面貼合緊密，避免了傳統(tǒng)減薄工藝中由于轉子形變誤差造成的加工精度失真。本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對于實施例公開的裝置而言，由于其與實施例公開的方法相對應，所以描述的比較簡單，相關之處參見方法部分說明即可。對所公開的實施例的上述說明。嘉興哪家公司減薄用清洗劑