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松江區國產驅動電路設計

來源: 發布時間:2025-07-18

IGBT 的開關特性主要取決于IGBT的門極電荷及內部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖,其中CGE 是柵極-發射極電容、CCE 是集電極-發射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容(Miller Capacitor)。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示,它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響,但與IGBT集電極-發射極電壓VCE 的電壓有密切聯系。在IGBT數據手冊中給出的電容Cies 的值,在實際電路應用中不是一個特別有用的參數,因為它是通過電橋測得的,在測量電路中,加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),在這種測量條件下,所測得的結電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。通過控制電機的電流和電壓,可以實現電機的轉動、速度控制、方向控制等。松江區國產驅動電路設計

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如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認為Cin=2.2Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊中找到)如果IGBT數據手冊中已經給出了正象限的門極電荷曲線,那么只用Cies 近似計算負象限的門極電荷會更接近實際值:門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2青浦區特點驅動電路售價心理或情感意義:可以指推動一個人采取行動的內在動力或外部激勵。

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?IGBT驅動電路是一種復合全控型電壓驅動式功率的半導體器件IGBT驅動電路是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作,并同時對其進行保護的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。圖1圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+ 區稱為源區,附于其上的電極稱為源極。N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。

文中設計的電路利用RC充放電電路來實現這一功能。圖2是一種利用普通的脈寬調制PWM芯片結合外圍電路來搭建可控硅調光的LED驅動電路框圖。維持電流補償電路通過檢測R1端電壓(即輸入電流)來控制流過維持電流補償電路的電流。當輸入電流較小時,維持電流補償電路上流過較大的電流;當輸入電流較大時,維持電流補償電路關斷,維持電流補償以恒流源的形式保證可控硅的維持電流。調光控制電路包括比較器、RC充放電電路和增益電路。實驗中選用一款旋鈕行程和斬波角成正比的可控硅調光器,其**小導通角約為30°。當柵極電壓低于閾值時,MOS管會關斷。驅動電路正是通過調整柵極電壓來控制MOS管的開通和關斷狀態。

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驅動電路隔離技術一般使用光電耦合器或隔離變壓器(光耦合;磁耦合)。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高,容易**擾,故驅動電路應具有良好的電氣隔離性能,以實現主電路與控制電路之間的隔離,使之具有較強的抗干擾能力,避免功率級電路對控制信號的干擾。光耦隔離驅動可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實現電路的電磁隔離,是一種電路簡單可靠,又具有電氣隔離作用的電路,但其對脈沖的寬度有較大限制,若脈沖過寬,磁飽和效應可能使一次繞組的電流突然增大,甚至使其燒毀,而若脈沖過窄,為驅動柵極關斷所存儲的能量可能不夠。高邊驅動:則用于將功率開關器件連接在電源正極一側。青浦區通用驅動電路銷售廠

直接接地驅動:功率器件的接地端電位恒定,常用的有推挽驅動以及圖騰柱驅動等。松江區國產驅動電路設計

調光原理市面上大多數可控硅調光器基本結構如圖1所示,其工作原理如下:當交流電壓加雙向可控硅TRIAC兩端時,由于Rt、Ct組成的RC充電電路有一個充電時間,電容上的電壓是從0V開始充電的,并且TRIAC的驅動極串聯有一個DIAC(雙向觸發二極管,一般是30V左右),因此TRIAC可靠截止。當Ct上的電壓上升到30V時,DIAC觸發導通,TRIAC可靠導通,此時TRIAC兩端的電壓瞬間變為零,Ct通過Rt迅速放電,當Ct電壓跌落到30V以下時,DIAC截止,如果TRIAC通過的電流大于其維持電流則繼續導通,如果低于其維持電流將會截止。電感L和電容C的作用是減小電流和電壓的變化率,以抑制電磁干擾EMI問題。松江區國產驅動電路設計

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