現在由正高電氣來和大家學習一下可控硅模塊溫度保護：

  可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時由于自身功耗而發熱。如果不采取適當措施將這種熱量散發出去，就會引起模塊管芯PN結溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應用中相當主要的是導通損耗。為了確保器件長期可靠地工作，設計時散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要，千萬不可大意！散熱器的常用散熱方式有：自然風冷、強迫風冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱問題的總原則是：控制模塊中管芯的結溫Tj不超過產品數據表給定的額定結溫。 奧凱電氣交通便利，地理位置優越。濟南可控硅模塊廠家

調壓模塊的結構：

一體化三相調壓模塊結構如圖1所示，1、3、5為模塊進線端，2、4、6為模塊出線端，分別連接電源和負載。左側6個接線端為控制功能端，分別為4～20 mA信號輸入端、0～10 V信號輸入端、0～5 V信號輸入端、0～10 mA信號輸入端及手動控制輸入端。當某控制端(如4～20 mA功能端)輸入信號由小(4 mA)連續的變化到比較大(20 mA)時，模塊的輸出線電壓由0 V連續的變化到電網電壓380 V。

三相交流一體化移相調壓模塊是一使用簡單、可靠性高的新型智能模塊，它可直接帶動變壓器等感性負載或電加熱等阻性負載工作。采用它實現功率調節的溫度控制系統，可有效地實現浸漆后電機繞組的烘干處理。系統外部接線簡單、運行穩定，維護和維修方便。調壓模塊應用時，應注意模塊內可控硅在較小導通角下長時間輸出較大電流(即主電路輸入電壓很高，輸出電壓很低)，這可能導致模塊嚴重發熱。故應考慮負載與模塊匹配，使模塊在較大的導通角下工作。

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晶閘管模塊的使用注意事項：

    晶閘管模塊|晶閘管智能模塊|晶閘管集成模塊|晶閘管應用事項

   選用晶閘管模塊的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。

  1、選用晶閘管模塊的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。

  2、使用晶閘管模塊之前，應該用萬用表檢查晶閘管模塊是否良好。發現有短路或斷路現象時，應立即更換。

  3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。

  4、電流為5A以上的晶閘管模塊要裝散熱器，并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與晶閘管模塊管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。

  5、按規定對主電路中的晶閘管模塊采用過壓及過流保護裝置。

  6、要防止晶閘管模塊控制極的正向過載和反向擊穿。

晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中蕞關鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調壓模塊的額定電壓、額定電流等參數有很大關系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。

  對晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調壓模塊的蕞大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到蕞高溫度時，額定電流會很大或加熱到蕞高溫度時，額定電流會很大），必須考慮加熱絲整個工作狀態的蕞大電流值，作為加熱絲的額定電流值來確定晶閘管智能模塊的規格大小。 奧凱電氣生產的產品、設備用途非常多。

可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。奧凱電氣地理位置優越，擁有完善的服務體系。濟南可控硅模塊廠家

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晶閘管智能模塊的過流保護：

  加熱爐在實際工作中因加熱絲溫度上升，會導致加熱絲變形，如果加熱絲沒有采取良好的固定措施，會慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊，形成短路，短路后會使電流增大，電流過大后會超過模塊的額定電流，燒毀模塊，為了限制電流過大，必須采取過流保護措施，一般再模塊的輸入端分別串聯快速熔斷器來限制蕞大電流，熔斷器額定電流值一般取負載的額定電流或略大于負載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流，快速熔斷器額定電流過大將起不到保護作用。

  晶閘管智能模塊工作時由導通到截止時或因雷擊及其他原因都會產生能量較大，持續時間較長的過電壓，此電壓直接作用與晶閘管上會使晶閘管超過額定電壓而擊穿，為了保護晶閘管，常采用壓敏電阻吸收與阻容吸收的方法來吸收過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。 濟南可控硅模塊廠家

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