干法刻蝕也可以根據(jù)被刻蝕的材料類型來分類。按材料來分，刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質刻蝕、和硅刻蝕。介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕，如二氧化硅。接觸孔和通孔結構的制作需要刻蝕介質，從而在ILD中刻蝕出窗口，而具有高深寬比（窗口的深與寬的比值）的窗口刻蝕具有一定的挑戰(zhàn)性。硅刻蝕（包括多晶硅）應用于需要去除硅的場合，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復合層，制作出互連線。廣東省科學院半導體研究所。干法刻蝕是一種使用氣體或蒸汽來刻蝕材料的方法，通常用于制造微電子器件。深圳GaN材料刻蝕

在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài)中產生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開出的窗口，在與硅片發(fā)生物理或化學反應（或這兩種反應），從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法。而在濕法腐蝕中，液體化學試劑（如酸、堿和溶劑等）以化學方式去除硅片表面的材料。濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下（大于3微米）。濕法腐蝕仍然用來腐蝕硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。濕法刻蝕特點是：濕法刻蝕在半導體工藝中有著普遍應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕。黑龍江Si材料刻蝕外協(xié)刻蝕技術可以用于制造微電子器件、MEMS器件、光學器件等。

溫度越高刻蝕效率越高，但是溫度過高工藝方面波動就比較大，只要通過設備自帶溫控器和點檢確認。刻蝕流片的速度與刻蝕速率密切相關噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢，流量控制可保證基板表面藥液濃度均勻。過刻量即測蝕量，適當增加測試量可有效控制刻蝕中的點狀不良作業(yè)數(shù)量管控：每天對生產數(shù)量及時記錄，達到規(guī)定作業(yè)片數(shù)及時更換。作業(yè)時間管控：由于藥液的揮發(fā)，所以如果在規(guī)定更換時間未達到相應的生產片數(shù)藥液也需更換。首片和抽檢管控：作業(yè)時需先進行首片確認，且在作業(yè)過程中每批次進行抽檢（時間間隔約25min）。1、大面積刻蝕不干凈：刻蝕液濃度下降、刻蝕溫度變化。2、刻蝕不均勻：噴淋流量異常、藥液未及時沖洗干凈等。3、過刻蝕：刻蝕速度異常、刻蝕溫度異常等。在硅材料刻蝕當中，硅針的刻蝕需要用到各向同性刻蝕，硅柱的刻蝕需要用到各項異性刻蝕。

二氧化硅的干法刻蝕方法是：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C，F(xiàn)8)、三氟甲烷(CHF3)等，常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好，CHF3的聚合物生產速率較高，非等離子體狀態(tài)下的氟碳化合物化學穩(wěn)定性較高，且其化學鍵比SiF的化學鍵強，不會與硅或硅的氧化物反應。選擇比的改變在當今半導體工藝中，Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si，后者則是金屬層，通常是TiN（氮化鈦），因此在Si02的刻蝕中，Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個比較重要的因素。材料刻蝕是一種重要的微納加工技術，可用于制造微電子器件和MEMS器件。

選擇合適的材料刻蝕方法需要考慮多個因素，包括材料的性質、刻蝕的目的、刻蝕的深度和精度要求、刻蝕的速度、成本等。首先，不同的材料具有不同的化學性質和物理性質，因此需要選擇適合該材料的刻蝕方法。例如，金屬材料可以使用化學刻蝕或電化學刻蝕方法，而半導體材料則需要使用離子束刻蝕或反應離子束刻蝕等方法。其次，刻蝕的目的也是選擇刻蝕方法的重要因素。例如，如果需要制作微細結構，可以選擇光刻和電子束刻蝕等方法；如果需要制作深孔結構，可以選擇干法刻蝕或濕法刻蝕等方法。此外，刻蝕的深度和精度要求也需要考慮。如果需要高精度和高深度的刻蝕，可以選擇離子束刻蝕或反應離子束刻蝕等方法；如果需要較低精度和較淺深度的刻蝕，可以選擇濕法刻蝕或干法刻蝕等方法。除此之外，刻蝕的速度和成本也需要考慮。一些刻蝕方法可能速度較慢，但成本較低，而一些刻蝕方法可能速度較快，但成本較高。因此，需要根據(jù)實際情況選擇適合的刻蝕方法。總之，選擇合適的材料刻蝕方法需要綜合考慮多個因素，包括材料的性質、刻蝕的目的、刻蝕的深度和精度要求、刻蝕的速度、成本等。刻蝕技術可以實現(xiàn)對材料表面的改性，如增加表面粗糙度和改變表面化學性質等。深圳GaN材料刻蝕

刻蝕技術可以實現(xiàn)高效、低成本的微納加工，具有廣泛的應用前景。深圳GaN材料刻蝕

在GaN發(fā)光二極管器件制作過程中，刻蝕是一項比較重要的工藝。ICP干法刻蝕常用在n型電極制作中，因為在藍寶石襯底上生長LED，n型電極和P型電極位于同一側，需要刻蝕露出n型層。ICP是近幾年來比較常用的一種離子體刻蝕技術，它在GaN的刻蝕中應用比較普遍。ICP刻蝕具有等離子體密度和等離子體的轟擊能量單*可控，低壓強獲得高密度等離子體，在保持高刻蝕速率的同事能夠產生高的選擇比和低損傷的刻蝕表面等優(yōu)勢。ICP（感應耦合等離子）刻蝕GaN是物料濺射和化學反應相結合的復雜過程。刻蝕GaN主要使用到氯氣和三氯化硼，刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射，產生活性的Ga和N原子，氮原子相互結合容易析出氮氣，Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3。深圳GaN材料刻蝕