顯影液：正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。KOH和NaOH因為會帶來可動離子污染（MIC，MovableIonContamination），所以在IC制造中一般不用。較普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨（TMAH）（標準當量濃度為0.26，溫度15～25C）。在I線光刻膠曝光中會生成羧酸，TMAH顯影液中的堿與酸中和使曝光的光刻膠溶解于顯影液，而未曝光的光刻膠沒有影響；在化學放大光刻膠（CAR，ChemicalAmplifiedResist）中包含的酚醛樹脂以PHS形式存在。CAR中的PAG產生的酸會去除PHS中的保護基團（t-BOC），從而使PHS快速溶解于TMAH顯影液中。光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。安徽光刻實驗室

當光刻膠曝光后，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會產生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑，將會移除樹脂的保護基團從而使得樹脂變得易于溶解。化學放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍，對深紫外光源具有良好的光學敏感性，同時具有高對比度，對高分辨率等優(yōu)點。按照曝光波長分類；光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同。中山功率器件光刻正性光刻膠主要應用于腐蝕和刻蝕工藝，而負膠工藝主要應用于剝離工藝。

常用的光刻膠主要是兩種，正性光刻膠（positive photoresist）被曝光的部分會被顯影劑去除，負性光刻膠(negative photoresist)未被曝光的部分會被顯影劑去除。正性光刻膠主要應用于腐蝕和刻蝕工藝，而負膠工藝主要應用于剝離工藝（lift-off）。光刻是微納加工當中不可或缺的工藝，主要是起到圖形化轉移的作用。常規(guī)的光刻分為有掩膜光刻和無掩膜光刻。無掩膜光刻主要是電子束曝光和激光直寫光，有掩膜光刻主要是接觸式曝光、非接觸式曝光和stepper光刻。對于有掩膜光刻，首先需要設計光刻版，常用的設計軟件有CAD、L-edit等軟件。

通過調整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商較中心的技術。質量控制技術：由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高，包括不同批次間的一致性，通常希望對感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平，因此，光刻膠生產商不僅*要配臵齊全的測試儀器，還需要建立一套嚴格的QA體系以保證產品的質量穩(wěn)定。原材料技術：光刻膠是一種經過嚴格設計的復雜、精密的配方產品，由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等不同性質的原料，通過不同的排列組合，經過復雜、精密的加工工藝而制成。因此，光刻膠原材料的品質對光刻膠的質量起著關鍵作用。對于半導體化學化學試劑的純度，際半導體設備和材料組織（SEMI）制定了國際統(tǒng)一標準，光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一。

光刻層間對準，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經存在的圖形之間的對準。曝光中較重要的兩個參數(shù)是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。表現(xiàn)為圖形的關鍵尺寸超出要求的范圍。曝光方法：a、接觸式曝光（ContactPrinting）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。b、接近式曝光（ProximityPrinting）。接觸式光刻曝光主要優(yōu)點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。中山功率器件光刻

接觸式曝光的曝光精度大概只有1微米左右，能夠滿足大部分的單立器件的使用。安徽光刻實驗室

正膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預處理，涂膠、軟烘、曝光、顯影、圖形檢查，后烘。負膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預處理、涂膠、軟烘、曝光、后烘、顯影、圖形檢查。正膠曝光前，光刻膠不溶于顯影液，曝光后，曝光區(qū)溶于顯影液，圖形與掩膜版圖形相同；而負性光刻膠，曝光前光刻膠可溶于顯影液，曝光后，被曝光區(qū)不溶于顯影液，圖形與掩膜版圖形相同。光刻可能會出現(xiàn)顯影不干凈的異常，主要原因可能是顯影時間不足、顯影溶液使用周期過長，溶液溶解膠量較多、曝光時間不足，主要的解決方法有增加顯影時間、更換新的顯影液，增強溶液溶解能力、增加曝光時間。安徽光刻實驗室

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