所謂的原子層沉積技術，是指通過將氣相前驅體交替脈沖通入反應室并在沉積基體表面發生氣固相化學吸附反應形成薄膜的一種方法。原子層沉積（ALD）是一種在氣相中使用連續化學反應的薄膜形成技術。化學氣相沉積：1個是分類的（CVD的化學氣相沉積）。在許多情況下，ALD是使用兩種稱為前體的化學物質執行的。每種前體以連續和自我控制的方式與物體表面反應。通過依次重復對每個前體的曝光來逐漸形成薄膜。ALD是半導體器件制造中的重要過程，部分設備也可用于納米材料合成。真空濺鍍通常指的是磁控濺鍍，屬于高速低溫濺鍍法。金屬真空鍍膜加工

磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應濺射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氬氣作為工作氣體，而氮氣作為反應氣體，反應能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮氣從而獲得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過改變反應氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進行調整，薄膜內組分也能相應調整。但反應氣體過量時可能會造成靶中毒。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進行濺射；2.采用閉環控制反應氣體通入流量；3.使用孿生靶交替濺射；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應曲線，使進氣流量控制在產生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。東莞功率器件真空鍍膜蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。

真空鍍膜：等離子體鍍膜：每個弧斑存在極短時間，爆發性地蒸發離化陰極改正點處的鍍料，蒸發離化后的金屬離子，在陰極表面也會產生新的弧斑，許多弧斑不斷產生和消失，所以又稱多弧蒸發。較早設計的等離子體加速器型多弧蒸發離化源，是在陰極背后配置磁場，使蒸發后的離子獲得霍爾(Hall)加速對應效應，有利于離子增大能量轟擊量體，采用這種電弧蒸發離化源鍍膜，離化率較高，所以又稱為電弧等離子體鍍膜。由于等離子體鍍膜常產生多弧斑，所以也稱多弧蒸發離化過程。

真空鍍膜技術與濕式鍍膜技術相比較，具有下列優點：薄膜和基體選材普遍，薄膜厚度可進行控制，以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。在真空條件下制備薄膜，環境清潔，薄膜不易受到污染，因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。薄膜與基體結合強度好，薄膜牢固。干式鍍膜既不產生廢液，也無環境污染。真空鍍膜技術主要有真空蒸發鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學氣相沉積等多種方法。除化學氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點：各種鍍膜技術都需要一個特定的真空環境，以保證制膜材料在加熱蒸發或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質的不良影響。真空鍍膜機的優點:其封口性能好，尤其包裝粉末狀產品時，不會污染封口部分，保證了包裝的密封性能。

真空鍍膜技術在國民經濟各個領域有著廣泛應用，特別是近幾年來，我國國民經濟的迅速發展、人民生活水平的不斷提高和高科技薄膜產品的不斷涌現。尤其是在電子材料與元器件工業領域中占有極其重要的地位。制膜方法可以分為氣相生成法、氧化法、離子注人法、擴散法、電鍍法、涂布法、液相生長法等。氣相生成法又可以分為物理沉積法化學沉積法和放電聚合法等。本次實驗是使用物理沉積法，由于這種方法基本上都是處于真空環境下進行的，因此稱它們為真空鍍膜技術。真空蒸發、濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物理沉積法，是基本的薄膜制備技術。真空蒸發鍍膜法是在真空室中，加熱蒸發容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流，入射到基片表面，凝結形成固態薄膜的方法。真空鍍膜的操作規程：酸洗夾具應在通風裝置內進行，并要戴橡皮手套。金屬真空鍍膜加工

真空鍍膜技術四五十年代開始出現工業應用。金屬真空鍍膜加工

利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優點：1.均勻性和重復性好，可大面積成膜，適合批量生長2.可在低溫下成膜，對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長方法階段 5.應用范圍廣，設備簡單，易于產業化。評價氧化硅薄膜的質量，簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜，腐蝕速率越慢，薄膜質量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質量，沉積速率過快，會導致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質量比較差。金屬真空鍍膜加工

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