直流磁控濺射所用的電源是直流高壓電源，通常在300～1000V，特點是濺射速率快，造價低，后期維修保養廉價。可是只能濺射金屬靶材，假如靶材是絕緣體，隨著濺射的深化，靶材會聚集很多的電荷，導致濺射無法持續。因而關于金屬靶材通常用直流磁控濺射，因為造價廉價，結構簡略，目前在工業上使用普遍。脈沖磁控濺射是采用脈沖電源或者直流電源與脈沖生成裝置配合，輸出脈沖電流驅動磁控濺射沉積。一般使用矩形波電壓，既容易獲得又有利于研究濺射放電等離子體的變化過程。工作模式與中頻濺射。磁控濺射的優點：膜的牢固性好。山西平衡磁控濺射技術

磁控濺射靶材的分類：根據材料的成分不同，靶材可分為金屬靶材、合金靶材、無機非金屬靶材等。其中無機非金屬靶材又可分為氧化物、硅化物、氮化物和氟化物等不同種類靶材。根據幾何形狀的不同，靶材可分為長（正）方體形靶材、圓柱體靶材和不規則形狀靶材；此外，靶材還可以分為實心和空心兩種類型靶材。目前靶材較常用的分類方法是根據靶材應用領域進行劃分，主要包括半導體領域應用靶材、記錄介質應用靶材、顯示薄膜應用靶材、光學靶材、超導靶材等。其中半導體領域用靶材、記錄介質用靶材和顯示靶材是市場需求規模較大的三類靶材。天津真空磁控濺射技術射頻濺射采用射頻光放電，磁控濺射采用環磁場控制的光放電。

磁控濺射靶材的分類：根據材料的成分不同，靶材可分為金屬靶材、合金靶材、無機非金屬靶材等。其中無機非金屬靶材又可分為氧化物、硅化物、氮化物和氟化物等不同種類靶材。根據幾何形狀的不同，靶材可分為長方體形靶材、圓柱體靶材和不規則形狀靶材；此外，靶材還可以分為實心和空心兩種類型靶材。目前靶材較常用的分類方法是根據靶材應用領域進行劃分，主要包括半導體領域應用靶材、記錄介質應用靶材、顯示薄膜應用靶材、光學靶材、超導靶材等。其中半導體領域用靶材、記錄介質用靶材和顯示靶材是市場需求規模較大的三類靶材。

真空磁控濺射鍍膜技術的特點：1、基片溫度低：可利用陽極導走放電時產生的電子，而不必借助基材支架接地來完成，可以有效減少電子轟擊基材，因而基材的溫度較低，非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜。2、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕：磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導致，靶的局部位置刻蝕速率較大，使靶材有效利用率較低。因此，想要提高靶材利用率，需要通過一定手段將磁場分布改變，或者利用磁鐵在陰極中移動，也可提高靶材利用率。在直流二極濺射裝置中增加一個熱陰極和陽極，就構成直流三極濺射。

高能脈沖磁控濺射技術介紹及特點：高能脈沖磁控濺射技術是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來產生高濺射金屬離化率的一種磁控濺射技術。力學所引進德國電源，與等離子體淹沒離子注入沉積方法相結合，形成一種新穎的成膜過程與質量調控技術，是可應用于大型矩形靶的離化率可控磁控濺射新技術，填補了國內在該方向的研究空白。將高能沖擊磁控濺射與高壓脈沖偏壓技術復合，利用其高離化率和淹沒性的特點，通過成膜過程中入射粒子能量與分布的有效操控，實現高膜基結合力、高質量、高均勻性薄膜的制備。同時結合全新的粒子能量與成膜過程反饋控制系統，開展高離化率等離子體發生、等離子體的時空演變及荷能粒子成膜物理過程控制等方面的研究與工程應用。其中心技術具有自主知識產權，已申請相關發明專利兩項。該項技術對實現PVD沉積關鍵瓶頸問題的突破具有重大意義，有助于提升我國在表面工程加工領域的國際競爭力。如在交通領域，該技術用于汽車發動機三部件，可降低摩擦25%，減少油耗3%；機械加工領域，沉積先進鍍層可使刀具壽命提高2～10倍，加工速度提高30-70%。有些鍍膜要用到射頻電源，如功率大，需做好屏蔽處理。山東單靶磁控濺射用途

磁控濺射的優點：基板低溫性。山西平衡磁控濺射技術

磁控濺射設備在光學范疇：IF關閉場非平衡磁控濺射技術也已應用于光學薄膜（例如抗反射涂層），低輻射率玻璃和通明導電玻璃中。特別地，通明導電玻璃現在普遍地用于平板顯示設備，太陽能電池，微波和射頻屏蔽設備和設備以及傳感器中。在機械加工工業中，自引入以來，外表功用膜，超硬膜和自潤滑膜的外表沉積技術得到了大的發展，可以有效進步外表硬度，復合韌性，耐磨性和高韌性。溫度化學穩定性。性能，從而大幅度進步了涂層產品的使用壽命。除了已普遍使用的上述范疇外，磁控濺射鍍膜儀還在高溫超導薄膜，鐵電薄膜，巨磁阻薄膜，薄膜發光材料，太陽能電池和記憶合金薄膜。山西平衡磁控濺射技術

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