真空鍍膜：多弧離子鍍：多弧離子鍍又稱作為電弧離子鍍，由于在陰極上有多個弧斑持續呈現，所以稱作為“多弧”。多弧離子鍍的主要特點說明：陰極電弧蒸發離化源可從固體陰極直接產生等離子體，而不產生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多個蒸發離化源。鍍料的離化率高，一般達60%～90%，卓著提高與基體的結合力改善膜層的性能。沉積速率高，改善鍍膜的效率。設備結構簡單，弧電源工作在低電壓大電流工況，工作較為安全。廣東省科學院半導體研究所。真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面。重慶共濺射真空鍍膜公司

真空鍍膜的方法：分子束外延：分子束外延(MBE)是一中很特殊的真空鍍膜工藝,是在10-8Pa的超高真空條件下,將薄膜的諸組分元素的分子束流,在嚴格的監控之下,直接噴射到襯底表面。MBE的突出優點在于能生長極薄的單晶膜層,并且能精確地控制膜厚和組分與摻雜適于制作微波,光電和多層結構器件,從而為制作集成光學和超大規模集成電路提供了有力手段。利用反應分子束外延法制備TiO2薄膜時,不需要考慮中間的化學反應,又不受質量傳輸的影響,并且利用開閉擋板(快門)來實現對生長和中斷的瞬時控制,因此膜的組分和摻雜濃度可隨著源的變化而迅速調整。MBE的襯底溫度Z低,因此有減少自摻雜的優點。山西叉指電極真空鍍膜加工平臺真空鍍膜技術有化學氣相沉積鍍膜。

磁控濺射技術可制備裝飾薄膜、硬質薄膜、耐腐蝕摩擦薄膜、超導薄膜、磁性薄膜、光學薄膜，以及各種具有特殊功能的薄膜，是一種十分有效的薄膜沉積方法，在各個工業領域應用非常廣。“濺射”是指具有一定能量的粒子（一般為Ar+離子）轟擊固體（靶材）表面，使得固體（靶材）分子或原子離開固體，從表面射出，沉積到被鍍工件上。磁控濺射是在靶材表面建立與電場正交磁場，電子受電場加速作用的同時受到磁場的束縛作用，運動軌跡成擺線，增加了電子和帶電粒子以及氣體分子相碰撞的幾率，提高了氣體的離化率，提高了沉積速率。

PECVD系統的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣，這些鋼瓶被放置在有許多安全保護裝置的氣柜中，通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時，反應氣體的多少會影響淀積的速率及其均勻性等，因此需要嚴格控制氣體流量，通常采用質量流量計來實現精確控制。PECVD反應過程中，反應氣體從進氣口進入爐腔，逐漸擴散至襯底表面，在射頻源激發的電場作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。分解物發生化學反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續生長成連續的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。真空鍍膜是在真空室內把材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。

廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見，其次，為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等材料，塑料具有來源充足、性能易于調控、加工方便等優勢，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結構材料，大量應用于汽車、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業領域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能，拓寬了塑料的裝飾性和應用范圍。真空鍍膜機爐體與爐門為了充分利用爐體的內部空間，減輕真空系統的負載。中山金屬真空鍍膜工藝

真空濺鍍的鍍層可通過調節電流大小和時間來壘加，但不能太厚，一般厚度在0.2~2um。重慶共濺射真空鍍膜公司

真空鍍膜：物理的氣相沉積技術工藝過程簡單，對環境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結合力強。該技術普遍應用于航空航天、電子、光學、機械、建筑、輕工、冶金、材料等領域，可制備具有耐磨、耐腐蝕、裝飾、導電、絕緣、光導、壓電、磁性、潤滑、超導等特性的膜層。隨著高科技及新興工業發展，物理的氣相沉積技術出現了不少新的先進的亮點，如多弧離子鍍與磁控濺射兼容技術，大型矩形長弧靶和濺射靶，非平衡磁控濺射靶，孿生靶技術，帶狀泡沫多弧沉積卷繞鍍層技術，條狀纖維織物卷繞鍍層技術等，使用的鍍層成套設備，向計算機全自動，大型化工業規模方向發展。重慶共濺射真空鍍膜公司

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