絕緣加工件在核聚變裝置中的應用需抵抗強輻射與極端溫度，采用碳化硅纖維增強陶瓷基復合材料（CMC）。通過化學氣相滲透（CVI）工藝在 1200℃高溫下沉積碳化硅基體，使材料密度達 2.8g/cm3，耐輻射劑量超過 1021n/cm2。加工時使用五軸聯動激光加工中心，在 0.1mm 薄壁結構上制作微米級透氣孔，孔間距精度控制在 ±5μm，避免等離子體轟擊下的熱應力集中。成品在 ITER 裝置中可耐受 1500℃瞬時高溫，且體積電阻率在 1000℃時仍≥101?Ω?cm，同時通過 10 萬次熱循環測試無裂紋，為核聚變反應的約束系統提供長效絕緣保障。絕緣加工件的表面涂覆絕緣漆，進一步增強防潮與絕緣能力。醫療級FDA認證加工件加工

礦用隔爆型電氣設備的絕緣加工件，必須滿足 MT/T 661 - 2011 標準要求，選用耐瓦斯腐蝕的三聚氰胺甲醛樹脂材料。加工時采用模壓成型工藝，在 170℃、18MPa 壓力下保壓 120 分鐘，使工件密度達到 1.5 - 1.6g/cm3，吸水率≤0.1%。成品需通過 1.5 倍額定電壓的工頻耐壓測試（持續 1 分鐘無擊穿），同時承受 50J 能量的沖擊試驗不破裂，其表面電阻值≤1×10?Ω，防止摩擦產生靜電引燃瓦斯氣體。在井下濕度 95% RH 的環境中使用 12 個月后，絕緣電阻仍能保持≥1011Ω，保障煤礦安全生產。?杭州醫療器械精密加工件表面處理該注塑件的流道系統采用熱流道設計，減少材料浪費，提高生產效率。

量子計算低溫恒溫器注塑加工件采用聚四氟乙烯（PTFE）與碳纖維微球復合注塑，添加 15% 中空碳纖維微球（直徑 50μm）通過冷壓燒結（壓力 150MPa，溫度 380℃）成型，使材料密度降至 2.1g/cm3，熱導率≤0.1W/(m?K)。加工時運用數控車削（轉速 10000rpm，進給量 0.1mm/rev），在 10mm 厚隔熱板上加工精度 ±0.02mm 的階梯槽，槽面經等離子體氟化處理后表面能≤10mN/m，減少低溫下的氣體吸附。成品在 4.2K 液氦環境中，熱漏率≤0.5mW/cm2，且體積電阻率≥101?Ω?cm，同時通過 100 次冷熱循環（4.2K~300K）測試無開裂，為量子比特提供低損耗的極低溫絕緣環境。

5G 基站用低損耗絕緣加工件，采用微波介質陶瓷（MgTiO?）經流延成型工藝制備。將陶瓷粉體（粒徑≤1μm）與有機載體混合流延成 0.1mm 厚生瓷片，經 900℃燒結后介電常數穩定在 20±0.5，介質損耗 tanδ≤0.0003（10GHz）。加工時通過精密沖孔技術（孔徑精度 ±5μm）制作三維多層電路基板，層間對位誤差≤10μm，再經低溫共燒（LTCC）工藝實現金屬化通孔互聯，通孔電阻≤5mΩ。成品在 5G 毫米波頻段（28GHz）下，信號傳輸損耗≤0.5dB/cm，且熱膨脹系數與銅箔匹配（6×10??/℃），滿足基站天線陣列的高密度集成與低損耗需求。絕緣加工件的孔徑與槽位經數控加工，配合精度高，安裝便捷高效。

磁懸浮列車軌道的絕緣加工件，需在強交變磁場中保持低磁滯損耗，采用非晶合金帶材與環氧樹脂真空澆鑄成型。將 25μm 厚的鐵基非晶帶材（飽和磁感應強度 1.2T，損耗≤0.1W/kg@400Hz）疊壓后，在真空環境下（壓力≤10?3Pa）澆鑄改性環氧樹脂，固化后經精密研磨使表面平面度≤10μm。加工時控制非晶帶材的取向度≥95%，避免磁疇紊亂導致損耗增加。成品在 400Hz、1.0T 磁場工況下，磁滯損耗≤0.08W/kg，且局部放電量≤0.1pC，同時能承受 50m/s 速度下的電磁斥力（約 500N/cm2），確保磁懸浮列車懸浮系統的穩定絕緣與低能耗運行。絕緣加工件的邊緣經過倒角處理，避免劃傷導線，提升設備安全性。杭州尼龍加工件表面處理

絕緣加工件經耐壓測試達標，可承受高電壓環境下的長期穩定運行。醫療級FDA認證加工件加工

半導體刻蝕腔體注塑加工件采用全氟烷氧基樹脂（PFA）與二硫化鉬納米管復合注塑，添加 3% 二硫化鉬納米管（直徑 20nm，長度 1μm）通過超臨界流體混合（CO?壓力 10MPa，溫度 80℃）均勻分散，使材料表面摩擦系數降至 0.08，抗等離子體刻蝕速率≤0.05μm/h。加工時運用精密擠出成型（溫度 380℃，口模溫度 360℃），在 0.5mm 薄壁部件上成型精度 ±5μm 的氣流槽，槽面經電子束拋光后粗糙度 Ra≤0.02μm，減少刻蝕產物沉積。成品在 CF?/O?等離子體環境（功率 1000W，氣壓 10Pa）中使用 1000 小時后，表面腐蝕量≤0.1μm，且顆粒脫落量≤0.01 個 / 片，滿足高級半導體刻蝕設備的高純度與長壽命需求。醫療級FDA認證加工件加工