沈陽LCD光刻膠生產廠家
來源：
發布時間：2025-05-27
關鍵應用領域
半導體制造：
? 在晶圓表面涂覆光刻膠，通過掩膜曝光、顯影，刻蝕出晶體管、電路等納米級結構（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）。
印刷電路板（PCB）：
? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層，制作線路和焊盤。
顯示面板（LCD/OLED）：
? 用于制備彩色濾光片、電極圖案等。
微機電系統（MEMS）：
? 加工微結構（如傳感器、執行器）。
工作原理（以正性膠為例）
1. 涂膠：在基材（如硅片）表面均勻旋涂光刻膠，烘干形成薄膜。
2. 曝光：通過掩膜版，用特定波長光線照射，曝光區域的光敏劑分解，使樹脂變得易溶于顯影液。
3. 顯影：用顯影液溶解曝光區域，留下未曝光的光刻膠圖案，作為后續刻蝕或離子注入的掩蔽層。
4. 后續工藝：刻蝕基材（保留未被光刻膠保護的區域），或去除光刻膠（剝離工藝）。
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技術優勢：23年研發沉淀與細分領域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發中實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系，實現了3μm的分辨率，適用于MEMS傳感器、光學器件等領域。
技術壁壘：公司擁有23年光刻膠研發經驗，掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術，部分原材料純度達PPT級。
細分領域技術先進
? 納米壓印光刻膠：在納米級圖案化領域（如量子點顯示、生物芯片）實現技術突破，分辨率達3μm，填補國內空缺。
? LCD光刻膠：針對顯示面板行業需求，開發出高感光度、高對比度的光刻膠，適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術。
研發投入與合作
公司2018年獲高新技術性企業認證，與新材料領域同伴們合作開發半導體光刻膠，計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發。
網版光刻膠國產廠家吉田半導體強化研發，布局下一代光刻技術。
關鍵工藝流程
涂布：
? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調整），需均勻無氣泡（旋涂轉速500-5000rpm）。
前烘（Soft Bake）：
? 加熱（80-120℃）去除溶劑，固化膠膜，增強附著力（避免顯影時邊緣剝離）。
曝光：
? 光源匹配：
? G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB、LCD）。
? DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準分子激光（用于28nm-14nm制程，如存儲芯片）。
? EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程，需控制納米級缺陷）。
? 曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm2），避免過曝或欠曝導致圖案失真。
顯影：
? 采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨，TMAH），曝光區域膠膜溶解，未曝光區域保留，形成三維立體圖案。
后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：
? 化學增幅型膠需此步驟，通過加熱（90-130℃）激發光酸催化反應，提高分辨率和耐蝕刻性。
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正性光刻膠的工藝和應用場景。沈陽LCD光刻膠生產廠家
沈陽LCD光刻膠生產廠家
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