可以降低保證微控制器100的操作的環境溫度的下限。此外，由于在使用半導體工藝制造的微控制器中的操作保證的溫度范圍的約束，該功能可以降低設計邏輯塊110的難度，其中邏輯速率(例如，邏輯塊110的操作頻率)在低溫下劣化。第二實施例接下來，將描述第二實施例。圖5是示出根據第二實施例的微控制器200的示例性配置的框圖。微控制器200與根據率先實施例的微控制器100的不同之處在于，提供多個功耗電路130并且控制器140被替換為控制器150。控制器150與控制器140的不同之處在于，它控制多個功耗電路130的開關。在下文中，將描述與率先實施例的不同點，并且將省略對與率先實施例相同的點的描述。根據本實施例的控制器150根據由溫度傳感器120測量的溫度與邏輯塊110的下限溫度之間的差值來控制功耗電路130消耗功率。具體地，當由溫度傳感器120測量的當前結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，控制器150接通更多的功耗電路130。即，例如，當所測量的結溫小于下限溫度并且結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d1且小于d2時，控制器150接通n1個功耗電路130，并且當所測量的結溫小于下限溫度并且結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d2時，控制器150接通n2個功耗電路130。電力電子器件又稱為功率半導體器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。海南低碳半導體器件設備管理

    不需要功耗電路130升高結溫的溫度區域被示出為溫度區域s2。在溫度區域s1中，耗電路130接通，并且驅動電流iload流過功耗電路130(參見圖4頂部的曲線圖)。也就是說，驅動電流iload流過電阻器131。在溫度區域s1中，控制器140控制功耗電路130的接通/斷開，使得結溫保持等于或大于邏輯塊110的下限溫度tlb。結果，在溫度區域s1中，結溫tj如圖4的下圖所示。因此，可以擴展邏輯塊110的正常操作的環境溫度的覆蓋范圍。另一方面，在溫度區域s2中，由于環境溫度ta足夠高，所以結溫tj變為等于或高于下限溫度tlb，這是由于環境溫度和由于邏輯塊110的自發熱引起的溫度升高，并且因此功耗電路130繼續關閉。結溫tj由以下等式1表示。(等式1)tj＝ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封裝的熱阻，idd是微控制器100的操作電流，即邏輯塊110的操作電流，并且vdd是微控制器100的電源電壓。上面已經描述了率先實施例。在微控制器100中，當結溫小于邏輯塊110的操作溫度下限時，功耗電路130接通，從而微控制器100根據消耗的功率和微控制器100的封裝的熱阻產生熱量。因此，結溫被迫等于或高于邏輯塊110可以操作的溫度的下限。結果，與不提供上述配置時相比。山西國內半導體器件設備在線半導體產品所需的生產設備,屬于半導體行業產業鏈的支撐環節,在半導體產業鏈中的地位至關重要。

    確保微控制器100的正常操作的環境溫度ta的下限可以是t，t是下限溫度。邏輯塊110是用于執行邏輯操作的電路塊。例如，邏輯塊110可以是諸如中心處理單元等處理器。溫度傳感器120是用于測量微控制器100的結溫tj的傳感器。例如，溫度傳感器120被配置為包括電阻器，該電阻器的電阻根據溫度而變化。作為這樣的電阻元件，例如，使用雙極晶體管元件或二極管元件。溫度傳感器120通過根據溫度改變電阻元件的電阻值來輸出取決于溫度的電壓。功耗電路130是消耗預定功率的電路。當通過來自控制器140的控制指示功耗時，功耗電路130消耗預定功率并且相應地產生熱量。更具體地，當從控制器140輸入指示功耗的信號時，功耗電路130通過引起預定的負載電流在功耗電路130中流動來產生熱量。功耗電路130的配置的具體示例將參考圖2來描述。控制器140是用于控制功耗電路130的功耗使得由溫度傳感器120測量的溫度不小于邏輯塊110的預定下限操作溫度的電路。具體地，控制器140獲取預定測量周期的結溫，并且當所獲取的結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，輸出指示功耗電路130消耗功率的信號。即，當所獲取的結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，控制器140接通功耗電路130。當所獲取的結溫等于或大于預定閾值時。

    圖11是微控制器300的時間演變的圖形表示。圖11的上部所示的曲線圖是示出功耗電路130的驅動電流之和的轉變的曲線圖，并且下部所示的曲線圖是示出結溫tj的轉變的曲線圖。每次執行上述步驟s307時，總的驅動電流iload增加δiload，參見圖11的上圖。因此，結溫tj預計增加δtj。在步驟s302中，確認溫度上升δtj。如上所述，通過針對各種溫度帶檢查溫度傳感器120的輸出，可以檢查溫度傳感器120的輸出在各種溫度帶中是否正常。上面已經描述了第三實施例。在本實施例中，可以通過強制改變結溫來確認溫度傳感器120對各個溫度帶的輸出。因此，微控制器300可以容易地自我診斷溫度傳感器120的溫度特性是否正常。盡管已經將本實施例描述為第二實施例的修改，但是可以組合率先實施例和上述診斷操作。第四實施例接下來，將描述第四實施例。在上述實施例中，耗電路130用于迫使結溫升高。本實施例與上述實施例的不同之處在于，功耗電路130還用于除了結溫增加之外的其他應用。具體地，在本實施例中，如日本未審查專利申請公開，執行用于抑制電源電壓的波動的功耗。也就是說，除了增加結溫的目的之外，功耗電路130用于抑制電源電壓的波動。半導體器件專門設備應用寬廣LED封裝,光通訊,半導體封裝,支持1對1定制化生產設計.

    而當沒有接收到指示終止溫度控制的信號時，處理返回到步驟s201。接下來，將與率先實施例進行比較來描述本實施例的效果。圖7是示出根據率先實施例的微控制器100的狀態的時間變化的圖。圖8是示出根據第二實施例的微控制器200的狀態的時間變化的圖。在圖7和8中，上部所示的曲線圖是示出功耗電路130的驅動電流之和的轉變的曲線圖，而下部所示的曲線圖是示出結溫tj的轉變的曲線圖。如圖7所示，在根據率先實施例的微控制器100中，可存在兩種驅動電流狀態：接通和斷開。另一方面，如圖8所示，在根據第二實施例的微控制器200中，驅動電流可以采用更多狀態。因此，在根據第二實施例的微控制器200中，可以實現根據所測量的結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值的大小的靈活的驅動電流(即，發熱值)。因此，例如，當環境溫度很低時，通過接通很多功耗電路130，結溫可以在幾個周期內達到邏輯塊110的下限溫度。另外，由于可以進行靈活的溫度控制，因此可以防止結溫過度升高。提高結溫導致漏電流增加，并且因此結溫變得高于所需溫度是不可取的。在本實施例中，當結溫小于邏輯塊110的下限溫度并且差值很小時，發熱量被抑制并且溫度被強制增加。因此，可以抑制明顯超過下限溫度的結溫。半導體行業技術高、進步快,一代產品需要一代工藝,而一代工藝需要一代設備。北京標準半導體器件設備排行榜

半導體器件由（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號有第三、四、五部分）組成。海南低碳半導體器件設備管理

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