當來自反相器133的輸出被輸入到n溝道mos晶體管132的柵極并且n溝道mos晶體管132接通時，電流流過電阻器131以產生熱量。圖2所示的配置是功耗電路130的示例性配置，并且功耗電路130的配置不限于此。功耗電路130可以是通過包括諸如電阻器等加熱元件來消耗功率的電路。接下來，將描述與微控制器100中的結溫控制相關的操作。圖3是示出與微控制器100中的結溫控制相關的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖3描述微控制器100的操作。圖3所示的溫度控制過程例如在微控制器100啟動時執行，但是可以在其他預定定時執行。在步驟s100中，設定測量結溫的測量周期和下限。如上所述，設定結溫的下限是邏輯塊110的下限溫度，即邏輯塊110能夠正常操作的溫度范圍的下限。例如，這些設置通過讀取存儲在諸如微控制器100中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的預定測量周期和預定下限溫度來執行。下限溫度是基于用于制造邏輯塊110、邏輯塊110的特定配置等的半導體工藝而預先定義的溫度。在步驟s100之后，處理進入步驟s101。在步驟s101中，測量結溫。也就是說，控制器140獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結溫。然后，控制器140確定所獲取的溫度是否等于或大于在步驟s100中設置的下限溫度。半導體器件由（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號有第三、四、五部分）組成。天津質量半導體器件設備24小時服務

    不需要功耗電路130升高結溫的溫度區域被示出為溫度區域s2。在溫度區域s1中，耗電路130接通，并且驅動電流iload流過功耗電路130(參見圖4頂部的曲線圖)。也就是說，驅動電流iload流過電阻器131。在溫度區域s1中，控制器140控制功耗電路130的接通/斷開，使得結溫保持等于或大于邏輯塊110的下限溫度tlb。結果，在溫度區域s1中，結溫tj如圖4的下圖所示。因此，可以擴展邏輯塊110的正常操作的環境溫度的覆蓋范圍。另一方面，在溫度區域s2中，由于環境溫度ta足夠高，所以結溫tj變為等于或高于下限溫度tlb，這是由于環境溫度和由于邏輯塊110的自發熱引起的溫度升高，并且因此功耗電路130繼續關閉。結溫tj由以下等式1表示。(等式1)tj＝ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封裝的熱阻，idd是微控制器100的操作電流，即邏輯塊110的操作電流，并且vdd是微控制器100的電源電壓。上面已經描述了率先實施例。在微控制器100中，當結溫小于邏輯塊110的操作溫度下限時，功耗電路130接通，從而微控制器100根據消耗的功率和微控制器100的封裝的熱阻產生熱量。因此，結溫被迫等于或高于邏輯塊110可以操作的溫度的下限。結果，與不提供上述配置時相比。廣東產品半導體器件設備管理半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等。

    可以執行對由第三實施例中描述的控制器160和診斷部分170進行的診斷的控制。上面已經描述了第四實施例。在本實施例中，耗電路130用于多個目的。也就是說，共享功耗電路130以實現多個目標。因此，與為每個目的提供功耗電路130的情況相比，可以減小芯片面積。由于與為每個目的設置功耗電路130的情況相比，可以減少功耗電路130的電路數目，因此還可以抑制漏電流的總量。在本實施例中，耗電路130用于抑制電源電壓的波動，但是不用說，功耗電路130可以共同用于其他目的。另外，盡管已經將本實施例的模式描述為第三實施例的模式改變的模式，但是在率先實施例模式或第二實施例模式中描述的配置中，耗電路130可以用于其他目的。盡管已經基于實施例具體描述了由發明人做出的發明，但是本發明不限于已經描述的實施例，并且不用說，在不脫離其主旨的情況下可以進行各種修改。例如，控制器140、150、160和診斷部分170可以是軟件而不是硬件電路。也就是說，例如，控制器140、150、160和診斷部分170的處理可以由微控制器中提供的處理器與執行存儲在微控制器中提供的存儲器中的程序的邏輯塊110分開執行(更具體地，包括一個或多個指令的程序)。推薦地。

    處理進入步驟s306。在步驟s306中，如果消耗電力的功耗電路130的數目從當前數目增加，則診斷部分170基于在溫度傳感器120處測量的溫度來確定結溫是否超過預定上限溫度。具體地，診斷部分170將在待接通的功耗電路130增加預定增加量i時的上升溫度與在步驟s301中獲取的當前結溫相加，并且確定相加結果是否超過預定上限溫度(保證操作的溫度范圍的上限)。如果在功耗電路130的數目增加i時結溫超過預定上限溫度，則在步驟s305中，診斷部分170確定溫度傳感器120正常并且終止診斷操作。以這種方式，通過中止診斷操作，可以在操作保證的溫度范圍內執行溫度傳感器120的診斷操作。如果即使功耗電路130的數目增加i時確定結溫仍然不超過預定上限溫度，則處理進入步驟s307。在步驟s307中，控制器160將消耗功率的功耗電路130的數目、即接通的功耗電路130的數目增加預定的增量數目i。在步驟s307之后，處理進入步驟s308。在步驟s308中，診斷部分170檢查在步驟s307中增加要接通的功耗電路130之后是否已經過了等待時間tw。也就是說，它一直等到結溫穩定。當經過等待時間tw時，處理返回到步驟s301，并且檢查溫度傳感器120是否在高于先前測量的溫度帶的溫度帶中正常操作。以這種方式，重復診斷操作。電力電子器件又稱為功率半導體器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。

    第三實施例接下來，將描述第三實施例。圖9是示出根據第三實施例的微控制器300的示例性配置的框圖。微控制器300與根據第二實施例的微控制器200的不同之處在于，控制器150被替換為控制器160，并且添加了診斷部分170。在下文中，將描述與第二實施例的不同點，并且將省略對與第二實施例相同的點的描述。控制器160與控制器150的不同之處在于，除了控制器150的控制功能之外，控制器160還具有用于診斷溫度傳感器120的控制功能。下面，將描述用于診斷溫度傳感器120的控制器160的控制功能。在診斷部分170執行診斷操作的同時，控制器160控制消耗功率的功耗電路的數目(即，操作的功耗電路130的數目)。具體地，在診斷部分170隨著功耗電路130的數目的變化而執行診斷操作的同時，控制器160設置消耗功率一次或多次的功耗電路130的數目。例如，控制器160具有要操作的一個功耗電路130和在預定的等待時間過去之后要操作的兩個功耗電路130。在本實施例中，控制器160在每個預定等待時間由診斷部分170執行診斷的同時改變數目以增加要操作的功耗電路130的數目。具體地，當診斷部分170執行診斷操作時，控制器160首先將要操作的功耗電路130設置為0，然后將要操作的功耗電路130設置為1。此后。在半導體器件的具體的制備工藝中，通常是在半導體襯底的非原胞區域形成場氧，以場氧為掩膜對半導體。山西國內半導體器件設備在線

半導體行業技術高、進步快,一代產品需要一代工藝,而一代工藝需要一代設備。天津質量半導體器件設備24小時服務

    本發明涉及用于控制半導體器件的方法和半導體器件，例如，本發明涉及用于確保半導體器件操作的技術。近年來，對更高可靠性和功能安全性的需求不斷增加，特別是在汽車工業中。因此，在半導體器件中，還需要擴大半導體器件可以操作的溫度。日本未審專利申請公開，其能夠通過使用包括功率晶體管的線性調節器電路來控制對發光二極管的供電，并且能夠防止功率晶體管的過度發熱。作為相關技術，日本未審專利申請公開。日本未審專利申請公開，其用于容易地抑制由與時鐘周期同步的電路引起的功耗狀態的差異引起的電源電壓的變化。技術實現要素：日本未審專利申請公開，但是不能防止過低的結溫。如果由于環境溫度低而導致結溫過低，則可能無法確保半導體器件中的邏輯塊的正常操作。因此，本領域需要一種能夠限定半導體器件可以正常操作的低環境溫度的技術。根據本說明書的描述和附圖，其他目的和新穎特征將變得很清楚。根據一個實施例，半導體器件包括用于控制功耗電路的功率耗散使得在溫度傳感器處測量的結溫不小于邏輯塊的預定下限操作溫度的控制器。根據率先實施例，可以將半導體器件可以正常操作的環境溫度定義為低于不使用根據率先實施例的技術時的環境溫度。天津質量半導體器件設備24小時服務

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