晶體二極管分類如下：平面型二極管，在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上只選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。二極管具有快速開關速度的優勢，適用于高頻應用。江門整流二極管現貨直發

二極管是否損壞如何判斷：單負導電性能的檢測及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向導電特性越好。若測得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小，則說明該二極管內部已擊穿短路或漏電損壞。若測得二極管的正、反向電阻值均為無窮大，則說明該二極管已開路損壞。江門整流二極管現貨直發二極管有正向導通和反向截止的特性，用于整流、限流、保護和變頻等電路中。

工作原理：晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，pn結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。pn結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

瞬態抑制二極管(TVS管)，瞬態電壓抑制二極管英文名稱為Transient Voltage Suppressor，簡稱TVS，它是一種高效保護器件的一種二極管。當瞬態電壓抑制二極的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變為低阻抗，吸收高達數千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓鉗位于一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元 器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應時間快、瞬態功率大、漏電流 低、擊穿電壓偏差 、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優點。普遍應用于計算機系統、通訊設備、交/直流電源、汽車、電子鎮流 器、家用電器、儀器儀表電路中。瞬態電壓抑制二極管有單向和雙向兩種，單向的引腳有正負極方向性，使用方法和穩壓管相同，正極接入低電位，負極接入高電位，反向接入電路中。二極管的主要作用之一是整流，將交流電轉換為直流電。

半導體二極管的參數包括較大整流電流IF、反向擊穿電壓VBR、較大反向工作電壓VRM、反向電流IR、較高工作頻率fmax和結電容Cj等。幾個主要的參數介紹如下：1、較大整流電流IF：是指管子長期運行時，允許通過的較大正向平均電流。因為電流通過PN結要引起管子發熱，電流太大，發熱量超過限度，就會使PN結燒壞。例如2APl較大整流電流為16mA。2、反向擊穿電壓VBR：指管子反向擊穿時的電壓值。擊穿時，反向電流劇增，二極管的單向導電性被破壞，甚至因過熱而燒壞。一般手冊上給出的較高反向工作電壓約為擊穿電壓的一半，以確保管子安全運行。例如2APl較高反向工作電壓規定為2OV， 而反向擊穿電壓實際上大于40V。整流二極管用于將交流電信號轉換為直流電信號，常用于電源和電視機等設備中。江門發光二極管價位

二極管具有快速開關特性，適用于高頻電路。江門整流二極管現貨直發

穩壓二極管和普通二極管應用場景區別，由于穩壓二極管具有穩定的電壓支撐作用，因此它主要應用于需要高精度控制電壓的電路中。例如，在通信設備中，穩壓二極管可以確保電路中的電壓穩定，從而保證通信質量；在電源設備中，穩壓二極管可以穩定輸出電壓，保護電子設備免受電壓波動的影響；在工業自動化設備中，穩壓二極管可以確保設備的穩定運行，提高生產效率。而普通二極管則普遍應用于各種開關電路和整流電路中。例如，在電源電路中，普通二極管可以作為整流器使用，將交流電轉換為直流電；在數字電路中，普通二極管可以作為開關元件使用，控制電流的通斷；在照明電路中，普通二極管可以作為LED燈的驅動元件，實現節能降耗。江門整流二極管現貨直發