開關模式放大器在提高放大器效率方面做了質的**，它把有源器件作為接通/斷開的開關運用。晶體管工作在伏安特性曲線的飽和區(qū)或截止區(qū)。當晶體管被激勵而接通時進入飽和區(qū)，斷開時進入截止區(qū)。由于晶體管飽和壓降很低，集電極功耗降到比較低限度，提高了放大器的能量轉換效率。一般在理想的晶體管條件下(飽和壓降為零，飽和電阻為零．斷開電阻為無窮大，開關時間為零)，屬于開關模式工作的D類放大器，理論效率為100%，實際效率可達90%以上。而通常的A類放大器效率只有 50%，B類效率為78．5%。從而可以看出開關模式功率放大器在功率超聲的應用中具有相當大的實際意義。實際使用中大多數(shù)的超聲波發(fā)生器都是b,c類放大器，c類居多，部分特殊用途的設計為b類。在加壓的情況下，使兩個塑料件或其它件與塑料件接觸部位的分子相互撞擊產(chǎn)生融化。福建國內超聲波發(fā)生器產(chǎn)品介紹

工作原理：本機采用了單片機控制技術和鎖相環(huán)頻率自動跟蹤，通過簡單的鍵盤操作即可設置數(shù)據(jù)和控制工作狀態(tài)。功率放大器與換能器的振蕩頻率經(jīng)相位取樣使鎖相環(huán)實現(xiàn)頻率自動跟蹤。功率檢測和溫度測量電路使單片機實現(xiàn)超聲波發(fā)射功率超限自動調整和超溫保護及報警功能。超聲波發(fā)生器的工作原理：它是利用了電能，將電能轉為一個超聲波信號，信號可以是正弦信號，也可以是脈沖信號，一般應用在超聲波設備中的超聲波頻率為20KHz、25KHz、28KHz、33KHz、40KHz、60KHz、80KHz、100KHz、128KHz等等。國內超聲波發(fā)生器工廠直銷超聲波發(fā)生器的存放溫度通常在-20°C~+60°C之間。

超聲操作過程中，振動系統(tǒng)的溫度、剛度、靜載荷、加工面積、工具損壞等諸多因素的改變，促使系統(tǒng)的固有頻率發(fā)生漂移，這就需要超聲發(fā)生器具備頻率自動跟蹤作用，與此同時為確保加工質量和保護超聲系統(tǒng)，規(guī)定發(fā)生器具備按照負載調整輸出功率的作用。在工業(yè)化生產(chǎn)中超聲波換能器操作過程中即便頻率跟蹤優(yōu)良，超聲波發(fā)生器供入交流電壓的改變、超聲波從空載到負載從幾十瓦到幾千瓦在幾毫秒內瞬間轉變，促使超聲波換能器的振幅和功率繼而更改換能器無法達到高效率運行狀態(tài)，促使超聲波加工得出來的產(chǎn)品不同步，針對超聲波設備經(jīng)常出現(xiàn)的難題。

超聲波發(fā)生器，通常稱為超聲波發(fā)生源，超聲波電源。它的作用是把我們的市電（220V或380V，50或60Hz）轉換成與超聲波畫呢能起相匹配的高頻交流電信號。從放大電路形式，可以采用線性放大電路和開關電源電路，大功率超聲波電源從轉換效率方面考慮一般采用開關電源的電路形式。線性電源也有它特有的應用范圍，它的優(yōu)點是可以不嚴格要求電路匹配，允許工作頻率連續(xù)快速變化。從目前超聲業(yè)界的情況看，超聲波主要分為自激式和它激式電源超聲波發(fā)生器在使用過程中應注意噪音問題，盡量減少噪音對周圍環(huán)境的影響。

超聲波內置發(fā)生器，一體式超聲波發(fā)生器。一．性能簡小功率超聲波發(fā)生器介：控制箱采用微電腦控制下的它激式線路，同時，具有完善的保護功能：過熱保護和過流保護，工作更加可靠。小功率超聲波發(fā)生器配合數(shù)碼功率調整可適應各種不同的清洗要求。二．主要技術指標：工作電壓： 220V 10% 額定功率 100W 200W 300W 工作頻率：28 KHz 40KHZ 時間控制： 0--59分59秒 功率控制范圍：0-100%適用于：小功率超聲波清洗機，家用清洗機，內置發(fā)生器型超聲波機。超聲波發(fā)生器的應用非常***，包括塑料焊接、超聲波振水口、織造布等。福建國內超聲波發(fā)生器產(chǎn)品介紹

超聲波發(fā)生器的應用非常***，包括塑料焊接、超聲波振水口、織造布、無紡布連續(xù)焊接。福建國內超聲波發(fā)生器產(chǎn)品介紹

(1)閉態(tài)飽和損耗由(1．101)式可知．晶體管飽和壓降愈大則效率越低。理論和實驗可以說明，隨著頻率的升高和功率加大，飽和壓降將迅速增大，為了減小飽和損耗，必須選用fT高的晶體管。一般來說，對小功率管(<10W)，f≥0.1fT，對于大功率管(>10W) f ≥0.01fT時才需考慮飽和壓降的影響。因為這時飽和壓降隨頻率急劇增大，在大功率時由于電流的增加飽和壓降也**上升，因此D類放大器的效率在這些頻率和電流下將急劇下降。(2)開關過程引起的過渡損耗。過渡損耗是由過渡瞬變過程的時間來確定，它取決于晶體管電流或電壓的上升和下降時間及基極和集電極的電荷存儲效應。在晶體管電流或電壓上升和下降時間內，晶體管處于有源狀態(tài)，要消耗一定功率。此外接通延遲時間td（由晶體管基極電容和其他電路電容的充電時間決定）和晶體管開關從飽和進入有源狀態(tài)時，從基區(qū)和集電極抽出過量電荷的存儲時間ts也要增大過渡損耗。延遲時間td和存儲時間ts，不僅延長晶體管的開關過渡過程，而且要產(chǎn)生電流和電壓瞬變，會使晶體管由于二次擊穿或雪崩效應而損壞。福建國內超聲波發(fā)生器產(chǎn)品介紹