熱電堆又叫溫差電堆，它利用熱電偶串聯實現探測功能，是較為古老的一種IR探測器。以前，熱電堆都是基于金屬材料制備的，具有響應速度慢、探測率低、成本高等致命劣勢，不受業內人士的待見。隨著近代半導體技術的迅猛發展，半導體材料也被應用到了熱電堆的制作中。半導體材料普遍比金屬材料的塞貝克(Seebeck)系數高，而且半導體的微加工技術保證了器件的微型化程度，降低其熱容量，因此熱電堆的性能得到了**地優化。互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝的引入，讓紅外熱像儀熱電堆芯片電路技術實現了批量生產。紅外熱像儀的維護和保養有哪些要點？防爆型紅外熱像儀

一般而言,所謂的T2SLS探測器都是基于砷化銦(InAs)/銻化鎵(GaSb)材料制作的?InAs/GaSb T2SLS是一個由InAs和GaSb薄層交替構筑的多量子阱交互作用體系,該結構中InAs與GaAs的能帶以II類方式對準?這種能帶續接方式可引發強有力的載流子隧穿現象,使該結構適用于MIR和LWIR探測?理論預言在LWIR波段的性能T2SLS探測器的性能有望超過QWIP和HgCdTe探測器,然而在實驗中,T2SLS探測器的暗電流仍處于較高的水平,遠遠達不到預期目**24x1024規模的T2SLS FPA探測器已研制成功,彰顯了這種探測器的巨大潛力?與前面幾種探測器一樣,T2SLS FPA探測器也是第三代紅外熱像儀系統的成員之一美國雷泰紅外熱像儀批發紅外熱像儀常用于房屋安全、管道漏水、房屋空鼓檢測、建筑氣密性檢測、濕氣滲漏檢測等。

對于該類探測器,基底由Si變為Ge時,其探測波段可從IR延伸到THz,在這里姑且將Si基與Ge基兩類放在一起加以闡述?傳統的非本征探測器是基于被摻雜的Ge或Si作為吸收材料制作而成的結構簡單的PC探測器,主要有Ge:X[X=Hg?Ga?鈹(Be)?鋅(Zn)]?Si:Y[Y=Ga?砷(As)?銦(In)]等類型?這類探測器的響應范圍取決于雜質元素在基底里的離化能量,一般可覆蓋LWIR?VLWIR乃至THz波段,但需要在低溫(<10K)下工作?由于響應波段很寬,非本征探測器被應用到了航天領域,然而困境也隨之出現:在太空中核輻射對探測器響應的影響較大,需要減薄探測器吸收層來降低影響,但這樣也會使量子效率降低

QDIP可視為QWIP紅外熱像儀的衍生品,將QWIP中的量子阱替代為量子點,便產生了QDIP?對于QDIP而言,由于對電子波函數進行了三維量子阱約束,因而其暗電流比QWIP低,工作溫度比QWIP高?但QDIP對量子點異質結材料的質量要求很高,制作難度大?在QDIP里,除使用標準的量子點異質結構外,還常用一種量子阱中量子點(dot-in-a-well, DWELL)異質結構?QDIPFPA探測器也是第三代IR成像系統的成員之一?一般而言,PC探測器的響應速度比PV慢,但QWIP PC探測器的響應速度與其它PV探測器相當,所以大規模QWIP FPA探測器也被研制了出來?與HgCdTe—樣,QWIP FPA探測器也是第三代IR成像系統的重要成員,這類探測器在民用與天文等領域都有著大量的使用案例?汽車維修技師使用紅外熱像儀檢測發動機和其他部件的溫度異常。

大家都知道分辨率的高低會直接影響屏幕顯示的圖片或圖標的細致度，圖像的分辨率越高，屏幕越細膩，圖像也就越清晰，觀看效果也就越好。所以分辨率的高低是選擇熱像儀的一個重要的參數。紅外熱像儀的分辨率有很多種，產品像素為640x480，中端紅外熱像儀的像素為320x240，低端紅外熱像儀的像素為160x120。相同距離拍攝同一物體，紅外熱像儀像素越高，所獲得的紅外熱圖像越清晰。像素越高，紅外熱像儀的價格也越高。MC640擁有高達640x480的超高分辨率，也是市面上為數不多的一款**的單筒紅外夜視熱成像儀。可以分為手持式紅外測溫儀、紅外熱像儀、紅外熱電視。3000℃紅外熱像儀推薦咨詢

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鉛鹽探測器一般指基于PbS和PbSe等IV-VI族半導體材料制作的PC探測器,它們中的PbS探測器早在二戰期間就已經投入到***的實際應用之中?直至現在,紅外熱像儀因其低廉的生產成本與室溫下優良的靈敏度等優勢,這類探測器仍占據著一定比例的商用市場,許多**制造商對此均有涉足,如美國CalSensors?NewEngland Photodetectors?Thorlabs?TJT,西班牙New Infrared Technologies以及日本濱松(Hamamatsu)等?然而,由于銀鹽材料的介電常數很高,這類探測器的響應速度比一般的光子探測器都要慢,這一劣勢很大程度上限制了相應的大規模FPA探測器的發展,截至2014年,鉛鹽FPA探測器像元達到了320x256中等規模?防爆型紅外熱像儀