可控硅模塊一般都對(duì)錯(cuò)正弦電流，存在導(dǎo)通角的疑問而且負(fù)載電流有必定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定要素，且可控硅芯片抗電流沖擊才華較差，在使用的使用的時(shí)候一定要定期維護(hù)，這樣可以延長(zhǎng)可控硅模塊的使用壽命。1.可控硅模塊的設(shè)備與維護(hù)（1）在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不要一次擰緊，幾個(gè)螺釘要順次固定，用力要均勻，重復(fù)幾回，直至強(qiáng)健，使模塊底板與散熱器外表嚴(yán)密觸摸。（2）把散熱器和風(fēng)機(jī)按需求安裝好后，筆直固定于機(jī)箱合適方位。（3）用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫，然后套上絕緣熱縮管，用熱風(fēng)加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上，并堅(jiān)持超卓的平面壓力觸摸，阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。（4）為延伸商品運(yùn)用壽數(shù)，主張每隔3-4個(gè)月維護(hù)一次，替換一次導(dǎo)熱硅脂，鏟除外表塵土，緊固各壓線螺釘。2.可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域該智能模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、部隊(duì)所用等各類電氣操控、電源等，依據(jù)還可經(jīng)過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接。淄博正高電氣通過專業(yè)的知識(shí)和可靠技術(shù)為客戶提供服務(wù)。山東交流晶閘管調(diào)壓模塊

可控硅模塊的發(fā)展及應(yīng)用可控硅模塊簡(jiǎn)稱可控硅，又名晶閘管，通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊，可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)顯而易見，體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝。下面來看看可控硅模塊的發(fā)展和應(yīng)用。可控硅模塊在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生，且動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影。可控硅模塊分為單向可控硅和雙向可控硅，符號(hào)也不同。單向可控硅模塊有三個(gè)PN結(jié)，由外層的P極和N極引出兩個(gè)電極，它們分別稱為陽極和陰極，由中間的P極引出一個(gè)控制極。單向可控硅模塊有其獨(dú)特的特性：當(dāng)陽極接反向電壓，或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓時(shí)，它都不導(dǎo)通，而陽極和控制極同時(shí)接正向電壓時(shí)，它就會(huì)變成導(dǎo)通狀態(tài)。一旦導(dǎo)通，控制電壓便失去了對(duì)它的控制作用，不論有沒有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處于導(dǎo)通狀態(tài)。要想關(guān)斷，只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。雙向可控硅模塊的引腳多數(shù)是按T1、T2、G的順序從左至右排列（電極引腳向下，面對(duì)有字符的一面時(shí)）。貴州單向晶閘管調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家淄博正高電氣公司自成立以來，一直專注于對(duì)產(chǎn)品的精耕細(xì)作。

晶閘管模塊的應(yīng)用非常廣，大到電氣行業(yè)設(shè)備中的應(yīng)用，小到日常生活中的應(yīng)用，但是如果有使用不當(dāng)?shù)臅r(shí)候就會(huì)造成晶閘管模塊燒壞的情況，下面正高來介紹下晶閘管模塊被燒壞的原因有哪些？晶閘管模塊燒壞都是由溫度過高造成的，而溫度是由晶閘管模塊的電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性決定的，因此保證晶閘管模塊在研制、生產(chǎn)過程中的質(zhì)量應(yīng)從三方面入手：電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性，而且三者是緊密相連、密不可分的，所以在研制、生產(chǎn)晶閘管模塊時(shí)應(yīng)充分考慮其電應(yīng)力、熱應(yīng)力、結(jié)構(gòu)應(yīng)力。燒壞晶閘管模塊的原因很多，總的說來還是三者共同作用下才致使晶閘管模塊燒壞的，某一單獨(dú)的特性下降很難造成品閘管燒壞，因此我們?cè)谏a(chǎn)過程中可以充分利用這個(gè)特點(diǎn)，就是說如果其中的某個(gè)應(yīng)力達(dá)不到要求時(shí)可以采取提高其他兩個(gè)應(yīng)力的辦法來彌補(bǔ)。從晶閘管模塊的各相參數(shù)看，經(jīng)常發(fā)生的參數(shù)有：電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等，甚至有時(shí)控制極也可燒壞。由于晶閘管模塊各參數(shù)性能的下降或線路問題會(huì)造成晶閘管模塊燒損，從表面看來每個(gè)參數(shù)所造成晶閘管模塊燒損的現(xiàn)象是不同的，因此通過解剖燒損的晶閘管模塊就可以判斷出是由哪個(gè)參數(shù)造成晶閘管模塊燒壞的。

選擇可控硅模塊時(shí)不能只看表面，應(yīng)參考實(shí)際工作條件來選擇，選用可控硅模塊的額定電流時(shí)，除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷：風(fēng)速≥6m/s，風(fēng)溫≤40℃；(2)水冷：流量≥4L/mm，壓強(qiáng)±。水溫≤35℃.水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃；(4)空氣相對(duì)濕度≤85%；(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃；(6)氣壓86—106Kpa；(7)無劇烈震動(dòng)或沖擊；(8)若有特殊場(chǎng)合，應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗(yàn)，證明工作可靠方可使用。2、可控硅模塊選購(gòu)注意事項(xiàng):(1)注明您需要的產(chǎn)品的型號(hào)、結(jié)構(gòu)（螺栓、凹臺(tái)、凸臺(tái)）、配置散熱器型號(hào)。(2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求。(3)選擇電流電壓時(shí)要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚?、可控硅模塊使用注意事項(xiàng)：(1)線路中須有過壓過流保護(hù)措施，串并聯(lián)使用時(shí)必須有均流措施。(2)用萬用表簡(jiǎn)單判斷器件是否損壞：門陰極間電阻，應(yīng)有十幾或幾十Ω，否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻，應(yīng)大于1MΩ，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良。淄博正高電氣從國(guó)內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。

正高教你區(qū)分可控硅模塊損壞的原因當(dāng)可控硅模塊損壞后，一定要及時(shí)找到損壞的原因，然后立即進(jìn)行故障處理，下面正高教你如何區(qū)分可控硅模塊損壞的原因。當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出芯片，調(diào)查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其方位在遠(yuǎn)離操控極上。電壓擊穿。可控硅因不能接受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光亮的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時(shí)發(fā)生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。以上4種緣由都是可控硅模塊的常見損壞緣由，遇到可控硅模塊損壞事情，應(yīng)剖析。淄博正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn)，邁向優(yōu)良品質(zhì)！江蘇雙向晶閘管調(diào)壓模塊供應(yīng)商

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可控硅模塊的作用和優(yōu)勢(shì)大家都知道，它的應(yīng)用范圍是非常廣的，在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢？下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅模塊導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅取Ｉ綎|交流晶閘管調(diào)壓模塊