說起可控硅，相信熟悉的人對它自然是不陌生的，可控硅有時也被稱為晶閘管，被的運用在各種的電子設備和產品上。接下來就讓小編帶大家看看可控硅的型號有哪些，是怎么區分的，來看看吧。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，它是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，有時也被叫做晶閘管。可控硅因為其體積小、結構簡單、功能好的特點被運用在各種電子設備和產品上。在家用電器中，例如：調光燈、調速風扇、空調、電視、電冰箱中都使用可控硅器件，它與我們的生活是分不開的，那么，可控硅的分類又有哪些呢？1、以關斷、導通及控制方式來分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。2、以引腳和極性來分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。3、以封裝形式來分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。公司生產工藝得到了長足的發展，優良的品質使我們的產品****各地。甘肅恒壓晶閘管調壓模塊廠家

晶閘管模塊的專業術語，您知道幾個？相信大家對于晶閘管模塊并不陌生了，但是有很多人對于晶閘管模塊的專業術語并不清楚，下面正高來講幾個晶閘管模塊的專業術語，會對您以后的使用和選購有幫助。①控制角：在u2的每個正半周，從晶閘管模塊承受正向電壓到加入門極觸發電壓、使晶閘管模塊開始導通之間的電角度叫做控制角，又稱為觸發脈沖的移相角，用α表示。②導通角：在每個正半周內晶閘管模塊導通時間對應圖4-4單相半波可控整流的電角度叫做導通角，用θ表示。顯然在這里α+θ=π。③移相范圍：α的變化范圍稱為移相范圍。很明顯，α和π都是用來表示晶閘管模塊在承受正向電壓的半個周期內的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，可以改變觸發脈沖的出現時刻，也就可以改變輸出電壓的大小，實現了可控整流。以上就是晶閘管模塊的專業術語，希望對您有所幫助。廣東恒壓晶閘管調壓模塊批發淄博正高電氣為客戶服務，要做到更好。

所以脈沖寬度下應小于300μs，通常取1ms，相當廣50Hz正弦波的18°電角度。二、觸發脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發電路導通時間的一致性對于可控硅串并聯電路，要求并聯或者串聯的元件要同一時刻導通，使兩個管子中流過的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯電路中使導通較早的元件超出允許范圍，在串聯電路中使導通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對上述問題，通常采取強觸發措施，使并聯或者串聯的可控硅盡量在同一時間內導通。三、觸發電路的觸發脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內工作，必須使觸發脈沖能在相應的范圍內進行移相。同時，無論是在可控整流、有源逆變還是在交流調壓的觸發電路中，為了使每—周波重復在相同位置上觸發可控硅，觸發信號必須與電源同步，即觸發信號要與主回路電源保持固定的相位關系。否則，觸發電路就不能對主回路的輸出電壓Ud進行準確的控制。逆變運行時甚至會造成短路，而同步是由相主回路接在同一個電源上的同步變壓器輸出的同步信號來實現的。以上就是可控硅模塊觸發電路時必須滿足的三個必定條件，希望對您有所幫助。

可控硅模塊的發展及應用可控硅模塊簡稱可控硅，又名晶閘管，通常被稱之為功率半導體模塊，可控硅模塊的優點顯而易見，體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝。下面來看看可控硅模塊的發展和應用?？煽毓枘K在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產生，且動作快、壽命長、可靠性好。在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影?？煽毓枘K分為單向可控硅和雙向可控硅，符號也不同。單向可控硅模塊有三個PN結，由外層的P極和N極引出兩個電極，它們分別稱為陽極和陰極，由中間的P極引出一個控制極。單向可控硅模塊有其獨特的特性：當陽極接反向電壓，或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓時，它都不導通，而陽極和控制極同時接正向電壓時，它就會變成導通狀態。一旦導通，控制電壓便失去了對它的控制作用，不論有沒有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處于導通狀態。要想關斷，只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。雙向可控硅模塊的引腳多數是按T1、T2、G的順序從左至右排列（電極引腳向下，面對有字符的一面時）。誠摯的歡迎業界新朋老友走進淄博正高電氣！

一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點說明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管模塊的原因有兩中可能，一是晶閘管模塊電壓失效，就是我們常說的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問題，線路中產生了過電壓，且對晶閘管模塊所采取的保護措施失效。電流燒壞晶閘管模塊通常是陰極表面有較大的燒損痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。由di/dt所引起的燒壞晶閘管模塊的現象較容易判斷，一般部是門極或放大門極附近燒成一小黑點。我們知道晶閘管模塊的等效電路是由兩只可控硅構成，門極所對應的可控硅做觸發用，目的是當觸發信號到來時將其放大，然后盡快的將主可控硅導通，然而在短時間內如果電流過大，主可控硅還沒有完全導通，大的電流主要通過相當于門極的可控硅流過，而此可控硅的承載電流的能力是很小的，所以造成此可控硅燒壞，表面看就是門極或放大門極附近燒成一小黑點。至于dv/dt其本身是不會燒壞晶閘管模塊的，只是高的dv/dt會使晶閘管模塊誤觸發導通，其表面現象跟電流燒壞的現象差不多。淄博正高電氣以顧客為本，誠信服務為經營理念。內蒙古大功率晶閘管調壓模塊價格

淄博正高電氣技術力量雄厚，工裝設備和檢測儀器齊備，檢驗與實驗手段完善。甘肅恒壓晶閘管調壓模塊廠家

②輸出電流要求：標稱電流小于500安培產品：I+12V＞，標稱電流大于500安培產品：I+12V＞1A。（2）控制信號：0～10V或4～20mA控制信號，用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號，正極接CON10V或CON20mA，負極接GND1。（3）供電電源和負載：供電電源一般為電網電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接模塊的輸入端子；負載為用電器，接模塊的輸出端子。4、導通角與模塊輸出電流的關系：山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關系，模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流。在小導通角（輸出電壓與輸入電壓比值很小）下輸出的電流峰值很大，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小），但是輸出電流的有效值很大，半導體器件的發熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。因此，山東可控硅模塊應選擇在強大導通角的65％以上工作，及控制電壓應在5V以上。5、山東可控硅模塊規格的選取方法：考慮到可控硅產品一般都是非正弦電流，存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩定因素，且可控硅芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規格時必須留出一定余量。甘肅恒壓晶閘管調壓模塊廠家