稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么，在電壓過零時，晶閘管會自行關斷。可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如圖1所示當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。由于BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由于觸發信號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，此條件見表1三、用萬用表可以區分晶閘管的三個電極嗎?怎樣測試晶閘管的好壞呢?普通晶閘管的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。淄博正高電氣具備雄厚的實力和豐富的實踐經驗。山西單向晶閘管移相調壓模塊組件

    確定了不同型號的產品所應該配備的散熱器型號，推薦采用廠家配套的散熱器和風機，用戶自備時按以下原則選取：1、軸流風機的風速應大于6m/s；2、必須能保證模塊正常工作時散熱底板溫度不大于80℃；3、模塊負載較輕時，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；4、采用自然方式冷卻時散熱器周圍的空氣能實現對流并適當增大散熱器面積；5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊，壓線端子連接牢固，以減少次生熱量的產生，模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導熱硅脂或墊上一片底板大小的導熱墊，以達到佳散熱效果。8、模塊的安裝與維護（1）在模塊導熱底板表面與散熱器表面各均勻涂覆一層導熱硅脂，然后用四個螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不要一次擰緊，幾個螺釘要依次固定，用力要均勻，反復幾次，直至牢固，使模塊底板與散熱器表面緊密接觸。（2）把散熱器和風機按要求裝配好后，垂直固定于機箱合適位置。（3）用接線端頭環帶將銅線扎緊，好浸錫，然后套上絕緣熱縮管，用熱風加熱收縮。將接線端頭固定于模塊電極上，并保持良好的平面壓力接觸，嚴禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。（4）為延長產品使用壽命，建議每隔3-4個月維護一次，更換一次導熱硅脂，表面灰塵。吉林單向晶閘管移相調壓模塊淄博正高電氣通過專業的知識和可靠技術為客戶提供服務。

用萬用表DC10V檔測C2兩端電壓應為5V－6V之間，若不正常，應重點檢查整流穩壓電路，然后再分別按動SB1－SB4開關，觀察各路指示管VD1－VD8應按對應的選擇功能發光或熄滅，風扇也應同步工作于不同狀態。采用TVVH9238-LC901及MAC97A6的多功能無線電遙控電風扇電路圖本例介紹的電風扇無線遙控調速器是采用4位遙控模塊和一塊風扇調速集成電路，它可將普通電風扇改造成無線電遙控多功能調速風扇。工作原理電風扇無線遙控調速器的風扇接收部分電路原理圖如圖1所示。發射部分是一個4位TWH9236匙扣式發射器，其A鍵用作風速（SPEED）調節、B鍵為風類（MODE）調節，C鍵為定時（TIME）設定，D鍵為關（OFF）。圖1中IC1是與TWH9236遙控發射器相對應的TWH9238接收模塊，其A,B、C,D4個引腳與發射器上A、B、C、D4個按鍵是一一對應的。IC3是一塊LC901電風扇調速所用集成電路，其1、巧、14和5腳分別為風速（SPEED）、風類（MODE)、定時(TIME）、關（OFF)控制設定端，低電平觸發有效。當1腳反復受到低電平觸發，風速依次為強風（S）～中風（M）～弱風（L)一強風(S)～……，11腳為強風輸出端S,12腳為中風輸出端M,13腳為弱風輸出端L，有效輸出為高電平，分別觸發驅動雙向晶閘管VTH1一VTH3。

    雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規格、型號、外形以及電極引腳排列依生產廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下，面對標有字符的一面)。市場上*常見的幾種塑封外形結構雙向可控硅的外形及電極引腳排列。關于轉換電壓變化率當驅動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關系，電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時，就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅。淄博正高電氣提供周到的解決方案，滿足客戶不同的服務需要。

圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannelregion）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Draininjector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導調制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。IGBT和可控硅區別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩的可調的單方向的直流電流。其實現條件主要是依靠整流管。淄博正高電氣與廣大客戶攜手并進，共創輝煌！吉林交流晶閘管移相調壓模塊供應商

淄博正高電氣是多層次的模式與管理模式。山西單向晶閘管移相調壓模塊組件

VT2截止，NE555第①腳接地端開路而不工作，此時，電路的耗電只為VT1、VT2的穿透電流，約3～5μA，四節電池能使用一年半以上。按下K1后，VT1飽和導通，R3兩端電壓接近電源電壓，VT2飽和導通，NE555工作，此時，NE555第②腳由高電平變為低電平，而且低于1/3的電源電壓，NE555翻轉，第③腳輸出高電平，其一路能過R7驅動光電耦合器4N25，使雙向可控硅VS導通，床頭燈H點亮；另一路通過二極管VD1、電阻R6向VT2提供足夠大的偏流，維持VT2飽和導通，此時，即使K1斷開，VT2的工作狀態也不變，即NE555的暫穩狀態不變。在此期間，電源經R5為C1充電，使C1兩端電壓不斷升高，當C1兩端電壓大于2/3電源電壓時，通過NE555的放電端第⑦腳放電，NE555的暫穩態結束，第三③腳由高電平變為低電平，VT2截止，進入另一個穩定狀態，只有在K1再次接通時，NE555才再次進入暫穩態，床頭燈再次點亮。該床頭燈所用元件型號及數據如附圖所示，無特殊要求。整個床頭燈安裝容易，調試簡單，只要安裝無誤，就能正常使用。若延時時間太短，可加大R5的阻值或C1的容量，反之亦然。安裝時將按鍵部分外置，其余元件裝入塑料盒內，以確保使用安全。山西單向晶閘管移相調壓模塊組件