BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過觸發信號（小觸發電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，此條件見表1應用舉例：可控硅在實際應用中電路花樣多的是其柵極觸發回路，概括起來有直流觸發電路，交流觸發電路，相位觸發電路等等。1.直流觸發電路：如圖2是一個電視機常用的過壓保護電路，當E+電壓過高時A點電壓也變高，當它高于穩壓管DZ的穩壓值時DZ道通，可控硅D受觸發而道通將E+短路，使保險絲RJ熔斷，從而起到過壓保護的作用。2.相位觸發電路：相位觸發電路實際上是交流觸發電路的一種，這個電路的方法是利用RC回路控制觸發信號的相位。當R值較少時，RC時間常數較少，觸發信號的相移A1較少，因此負載獲得較大的電功率；當R值較大時，RC時間常數較大，觸發信號的相移A2較大。淄博正高電氣迎接挑戰，推陳出新，與廣大客戶攜手并進，共創輝煌！遼寧整流晶閘管移相調壓模塊

在負半周期間，C向R3和R2放電并觸發雙向可控硅，這樣使雙向可控硅繼續導通，保證負載正常工作。一旦電網突然停電，C上的電荷經R3和R2放電。在電網恢復供電后，由于K1常開，C上又無電壓，不能使雙向可控硅觸發導通，電路呈斷開自鎖狀態，因此沒有電流流過負載。只有重按一下K1，負載才能正常工作，從而有效地防止了因斷電后恢復供電造成的浪費和。常閉按鈕K2用于正常供電情況下關斷電路。10：雙色彩燈本彩燈是以多諧振蕩器為控制信號，燈光交替閃耀，可給節日晚上（尤其是舞會）增加不少光彩和歡快氣氛。工作原理如下圖所示。交流220V電源經C1、VD1、VD2及VD3降壓、整流、濾波后，在VD3兩端得到3V的穩定電壓。多諧振蕩器中的VT1、VT2輪流導通，其集電極電流控制雙向晶閘管VS1和VS2工作，彩燈將交替閃爍著光彩。元器件選擇：電容C1為μ/400V（滌綸電容）、C2為220μ/6V，C3、C4為50μ/16V。電阻R1為1M/1W，R2、R3為20K／1/4W。二極管VD1、VD2選1N4004。穩壓二極管VD3選3V/1W。發光二極管VD4、VD5為FG114001。雙向晶閘管VS1、VS2為TLC3A/400V。三極管VT1、VT2為3CK9D，60≤β≤120。使用方法：（1）如彩燈不亮，將3V穩壓管換成。（2）為防止流過發光二極管VD4、VD5的電流過大。福建進口晶閘管移相調壓模塊供應商公司生產工藝得到了長足的發展，優良的品質使我們的產品暢銷全國各地。

維持繼電器吸合約4秒鐘，故電路動作較為準確。如果將負載換為繼電器，即可控制大電流工作的負載。可控硅是一種新型的半導體器件，它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、動作快以及使用方便等優點，活動導入以可控硅實際應用案例的展示，以激發學生的活動興趣。可控硅控制電路的制作13例：1：可調電壓插座電路如圖，可用于調溫（電烙鐵）、調光（燈）、調速（電機），使用時只要把用電器的插頭插入插座即可，十分方便。V1為雙向二極管2CTS，V2為3CTSI雙向可控硅，調節RP可使插座上的電壓發生變化。2：簡易混合調光器根據電學原理可知，電容器接入正弦交流電路中，電壓與電流的大值在相位上相差90。根據這一原理，把C1和C2串聯聯接，并從中間取出該差為我所用，這比電阻與電容串聯更穩定。電路中，D1和D2分別對電源的正半波及負半波進行整流，并加到A觸發和C1或C2充電。進一步用W來改變觸發時間進行移相，只要調整W的阻值，就可達到改變輸出電壓的目的。D1和D2還起限制觸發極的反相電壓保護雙向可控硅的作用。3：可調速吸塵器這種吸塵器使用可控硅元件構成調速電路，能根據需要控制電機轉速，以發跡管道吸力的大小。

因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調整電路在日常生活中有很多電氣產品中都應用它。可控硅主要參數有：額定通態平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。反向陰斷峰值電壓當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。控制極觸發電流在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加一定電壓，使可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。采用可控硅技術對照明系統進行控制具有：電壓調節速度快，精度高，可分時段實時調整，有穩壓作用，采用電子元件，相對來說體積小、重量輕、成本低。但該調壓方式存在一致命缺點，由于斬波，使電壓無法實現正弦波輸出，還會出現大量諧波，形成對電網系統諧波污染，危害極大，不能用在有電容補償電路中。。淄博正高電氣尊崇團結、信譽、勤奮。

可控硅損壞原因判別哪種參數壞了？當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，損壞的面積小，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。5、G-K電壓擊穿。晶閘管G-K間因不能承受反向電壓（）12V）而損壞，其芯片G-K間有燒焦的通路（短路痕跡）。淄博正高電氣以發展求壯大，就一定會贏得更好的明天。遼寧整流晶閘管移相調壓模塊

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可控硅模塊是有PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極，陽極a，陰極K和控制機G所構成的。可控硅模塊的應用領域模塊應用詳細說明介紹：可控硅模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業、通訊等各類電氣控制、電源等，根據還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現穩流、穩壓、軟啟動等功能，并可實現過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。可控硅模塊的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個可調的電壓或者電流信號，通過調整該信號的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進行平滑調節，實現可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導通的過程。電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法；控制信號采用0～5V，0～10V，4～20mA三種比較常用的控制形式。滿足可控硅模塊工作的必要條件：（1）+12V直流電源：可控硅模塊內部控制電路的工作電源。①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12，紋波電壓小于20mv。②可控硅模塊輸出電流要求：標稱電流小于500安培產品：I+12V＞。遼寧整流晶閘管移相調壓模塊

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