選擇可控硅模塊時不能只看表面，應參考實際工作條件來選擇，選用可控硅模塊的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。1.可控硅模塊的冷卻及環境條件:(1)強迫風冷：風速≥6m/s，風溫≤40℃；(2)水冷：流量≥4L/mm，壓強。水溫≤35℃.水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；(3)自冷和負冷環境溫度—40℃—40℃.水冷以環境溫度5℃—40℃；(4)空氣相對濕度≤85%；(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃；(6)氣壓86—106Kpa；(7)無劇烈震動或沖擊；(8)若有特殊場合，應進行相應的試驗，證明工作可靠方可使用。2、可控硅模塊選購注意事項:(1)注明您需要的產品的型號、結構（螺栓、凹臺、凸臺）、配置散熱器型號。(2)注明您關注的參數要求。(3)選擇電流電壓時要留有適當的余量；3、可控硅模塊使用注意事項：(1)線路中須有過壓過流保護措施，串并聯使用時必須有均流措施。(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞：門陰極間電阻，應有十幾或幾十Ω，否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻，應大于1MΩ，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良。淄博正高電氣產品暢銷國內。甘肅三相晶閘管調壓模塊

軟啟動器可控硅降溫的重要性軟啟動器中可控硅模塊是比較重要的一環，所以保護好可控硅模塊能夠的延長軟啟動器的使用壽命。可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時由于自身功耗而發熱。如果不采取適當措施將這種熱量散發出去，就會引起模塊管芯PN結溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應用中主要的是導通損耗。散熱器的常用散熱方式有：自然風冷、強迫風冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。正常工作情況的軟啟動器設備有，主要以熱量的形式散失在環境當中，所以我們要先解決軟啟動器工作環境的溫度問題，若工作環境的溫度過高則將危害到軟啟動器的工作，導致軟啟動器過熱保護跳閘。保證軟起動器具有良好的運行環境，須對變頻器及運行環境的溫度控制采取相應的措施。給軟啟動器預留一定的空間，定期給軟啟動器進行清灰處理，都是能夠有效降低可控硅溫度的方式。山西小功率晶閘管調壓模塊淄博正高電氣尊崇團結、信譽、勤奮。

在這里單結晶體管張弛振蕩器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在晶閘管模塊沒有導通時，張弛振蕩器的電容器C被電源充電，UC按指數規律上升到峰點電壓UP時，單結晶體管VT導通，在VS導通期間，負載RL上有交流電壓和電流，與此同時，導通的VS兩端電壓降很小，迫使張弛振蕩器停止工作。當交流電壓過零瞬間，晶閘管VS被迫關斷，張弛振蕩器得電，又開始給電容器C充電，重復以上過程。這樣，每次交流電壓過零后，張弛振蕩器發出個觸發脈沖的時刻都相同，這個時刻取決于RP的阻值和C的電容量。調節RP的阻值，就可以改變電容器C的充電時間，也就改變了個Ug發出的時刻，相應地改變了晶閘管的控制角，使負載RL上輸出電壓的平均值發生變化，達到調壓的目的。雙向晶閘管模塊的T1和T2不能互換。否則會損壞管子和相關的控制電路。

可控硅模塊在電源設備中的應用可以說是相當廣了，它的優勢也是人人皆知的，那么可控硅模塊具體電流應用是怎么的您知道嗎？下面正高電氣在給您講解一下。可控硅模塊可以用在交流電路中，也可以用在直流電路中。用于直流電路時好使用直流下可關斷可控硅，可控硅模塊主回路的在導通情況下關斷時，要滿足主回路電流小于其維持電流的條件才能被關斷，一般可控硅模塊的維持電流在幾毫安——幾十毫安范圍內。控制交流電路時，由于交流電流有過零時刻，可控硅模塊主回路電流小于維持電流，因此能夠滿足關斷條件。直流電路中也可以采用產生反向電流的電路使主回路電流瞬間小于維持電流，而被關斷。用可控硅模塊控制交流的應用很廣，單結晶體管交流調壓電路就是一種典型的交流調壓電路。調壓原理是：通過改變單結晶體管發出觸發脈沖的導通角度來控制可控硅的導通時間，來實現交流調壓。此電路中，單結晶體管是接在交流電路中的，通過半波整流和降壓獲取工作電源。通常在調壓電路中，觸發電路由控制電路產生，控制電路工作在直流電路中。其實，不必深究是否是直流控制交流，只要知道可控硅模塊的控制原理就行了，其基本的原理就是用觸發脈沖控制可控硅的導通。淄博正高電氣秉承團結、奮進、創新、務實的精神，誠實守信，厚德載物。

可控硅模塊的作用和優勢大家都知道，它的應用范圍是非常廣的，在不同設備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢？下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，可控硅模塊被觸發導通。只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ。淄博正高電氣以質量求生存，以信譽求發展！甘肅三相晶閘管調壓模塊

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整機裝置是否工作可靠與正確選擇可控硅智能調壓模塊的額定電壓、額定電流等參數有很大關系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的可控硅智能調壓模塊需要訂做。對可控硅智能調壓模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲(或加熱件)的額定工作電流及可控硅智能調壓模塊的輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的(即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到較高溫度時，額定電流會很大或加熱到較高溫度時，額定電流會很大)，必須考慮加熱絲整個工作狀態的電流值，作為加熱絲的額定電流值來確定可控硅智能調壓模塊的規格大小。甘肅三相晶閘管調壓模塊

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