大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優(yōu)勢！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計，寫入?yún)^(qū)域達155×155 mm，平臺重復性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，實時觀測與多層對準功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復雜圖案設(shè)計，內(nèi)置高性能筆記本實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。亞微米級精度：0.8 μmmost小線寬，支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。河北光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

某能源研究團隊采用 Polos 光刻機制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫技術(shù)在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極，器件的能量轉(zhuǎn)換效率達 35%，在 10Hz 振動下可輸出 50μW/cm2 的功率。通過自定義電極間距和厚度，該收集器可適配不同頻率的環(huán)境振動，在智能穿戴設(shè)備中實現(xiàn)了運動能量的實時采集與存儲。其輕量化設(shè)計（體積 < 1mm3）還被用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點，使傳感器續(xù)航時間從 3 個月延長至 2 年。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。北京光刻機MAX層厚可達到10微米納 / 微機械：亞微米級結(jié)構(gòu)加工，微型齒輪精度達 ±50nm，推動微機電系統(tǒng)創(chuàng)新。

Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構(gòu)合作，推動光子集成與半導體封裝技術(shù)發(fā)展。例如，Quantum X align系統(tǒng)的高對準精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國精密制造與全球產(chǎn)業(yè)鏈整合的優(yōu)勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)實現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設(shè)備，將 SiC MOSFET 的導通電阻降低 15%，開關(guān)損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結(jié)構(gòu)，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。生物界面創(chuàng)新：微納結(jié)構(gòu)可控加工，為組織工程提供新型仿生材料解決方案。

對于納 / 微機械系統(tǒng)的研究與制造，德國 Polos 光刻機系列展現(xiàn)出強大實力。無掩模激光光刻技術(shù)賦予它高度的靈活性，科研人員能夠快速將創(chuàng)新設(shè)計轉(zhuǎn)化為實際器件。在制造微型齒輪、納米級懸臂梁等微機械結(jié)構(gòu)時，Polos 光刻機可precise控制激光，確保每個部件的尺寸和形狀都符合設(shè)計要求。? 借助該光刻機，科研團隊成功研發(fā)出新型微機械傳感器，其靈敏度和響應(yīng)速度遠超傳統(tǒng)產(chǎn)品。并且，由于系統(tǒng)占用空間小，即使是小型實驗室也能輕松引入。Polos 光刻機以其低成本、高效率的特性，成為納 / 微機械系統(tǒng)領(lǐng)域的制造先鋒，助力科研人員不斷探索微納世界的奧秘。無掩模技術(shù)優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案設(shè)計實時調(diào)整，研發(fā)成本直降 70%。北京光刻機MAX層厚可達到10微米

技術(shù)Benchmark：Polos-μPrinter 入選《半導體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動無掩模光刻技術(shù)普及。河北光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

無掩模激光光刻技術(shù)為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具，可用于創(chuàng)建亞微米級特征，并促進電路和器件的快速原型設(shè)計。經(jīng)濟高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無需復雜的基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備即可使用光刻技術(shù)。應(yīng)用范圍擴展至微機電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學設(shè)備和微電子器件的設(shè)計和制造，例如以下領(lǐng)域：醫(yī)療（包括微流體）、半導體、電子、生物技術(shù)和生命科學、先進材料研究。全球無掩模光刻系統(tǒng)市場規(guī)模預計在 2022 年達到 3.3606 億美元，預計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元，復合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯(lián)網(wǎng)以及半導體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長，預計未來幾十年光刻市場將持續(xù)增長。河北光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米