可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道，傳統工藝需多次掩模對準，良率only 30%。Polos 光刻機的多材料同步曝光技術，支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道，將良率提升至 85%。某微系統實驗室利用該特性，開發出可實時切換流路的生化分析芯片，通過軟件輸入不同圖案，10 分鐘內即可完成從 DNA 擴增到蛋白質檢測的模塊切換。該成果應用于 POCT 設備，使現場快速檢測系統的體積縮小 60%，檢測時間縮短至傳統方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。光束引擎高速掃描：SPS POLOS μ單次寫入400 μm區域，壓電驅動提升掃描速度。四川POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米

細胞培養芯片需根據不同細胞類型設計表面微結構，傳統光刻依賴掩模庫，難以滿足個性化需求。Polos 光刻機支持 STL 模型直接導入，某干細胞研究所在 24 小時內完成了神經干細胞三維培養支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm，適配不同分化階段的細胞黏附需求。實驗顯示，使用該支架的神經細胞軸突生長速度提升 30%，為神經再生機制研究提供了高效工具，相關技術已授權給生物芯片企業實現量產。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。河北德國POLOS光刻機MAX層厚可達到10微米Polos-BESM：基礎款高性價比，適合高校實驗室基礎微納加工。

某半導體實驗室采用 Polos 光刻機開發氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術在藍寶石襯底上實現了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產品水平。該技術還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統core器件的國產化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

Polos-BESM支持GDS文件直接導入和多層曝光疊加，簡化射頻器件（如IDC電容器）制造流程。研究團隊利用類似設備成功制備高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯網硬件中的潛力。其高重復性（0.1 μm）確保科研成果的可轉化性，助力國產芯片產業鏈突破技術封鎖56。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。低成本科研普惠：桌面化設計減少投入，無掩膜工藝降低中小型實驗室門檻。

無掩模激光光刻技術為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具，可用于創建亞微米級特征，并促進電路和器件的快速原型設計。經濟高效的桌面配置使研究人員和行業從業者無需復雜的基礎設施和設備即可使用光刻技術。應用范圍擴展至微機電系統 (MEM)、生物醫學設備和微電子器件的設計和制造，例如以下領域：醫療（包括微流體）、半導體、電子、生物技術和生命科學、先進材料研究。全球無掩模光刻系統市場規模預計在 2022 年達到 3.3606 億美元，預計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元，復合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯網以及半導體電路性能和能耗優化的需求不斷增長，預計未來幾十年光刻市場將持續增長。電子學應用：2μm 線寬光刻能力，第三代半導體器件研發效率提升 3 倍。德國BEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

光學超材料突破：光子晶體結構precise制造，賦能超透鏡與隱身技術研究。四川POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米

柔性電子是未來可穿戴設備的core方向，其電路圖案需適應曲面基底。Polos 光刻機的無掩模技術在聚酰亞胺柔性基板上實現了 2μm 線寬的precise曝光，解決了傳統掩模對準偏差問題。某柔性電子研究中心利用該設備，開發出可貼合皮膚的健康監測貼片，其傳感器陣列的信號噪聲比提升 60%。相比光刻膠掩模工藝，Polos 光刻機將打樣時間從 72 小時壓縮至 8 小時，加速了柔性電路的迭代優化，推動柔性電子從實驗室走向產業化落地。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。四川POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米