目前，直拉法是生長晶圓**常用的方法了，除了直拉法之外，常用的方法還有區(qū)熔法。區(qū)熔法，簡稱Fz法。1939年，在貝爾實(shí)驗(yàn)室工作的W·G·Pfann較早萌生了“區(qū)域勻平”的念頭，后來在亨利·休勒、丹·多西等人的協(xié)助下，生長出了高純度的鍺以及硅單晶，并獲得了**。這種方法是利用熱能在半導(dǎo)體多晶棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū)，使其重結(jié)晶為單晶。使熔區(qū)沿一定方向緩慢地向棒的另一端移動，進(jìn)而通過整根棒料，使多晶棒料生長成一根單晶棒料，區(qū)熔法也需要籽晶，且**終得到的柱狀單晶錠晶向與籽晶的相同。 X移動，Y移動，Z移動組成，通過在執(zhí)行終端加裝X轉(zhuǎn)動，Y轉(zhuǎn)動，Z轉(zhuǎn)動可以到達(dá)空間內(nèi)的任何坐標(biāo)點(diǎn)。佛山正規(guī)晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂推廣

可選地，所述托板包括：

主板；

排列成八字形的***支板和第二支板，在所述主板的同一側(cè)與所述主板固定連接；

所述主板靠近所述***支板和第二支板的一端、所述***支板遠(yuǎn)離所述主板的一端、所述第二支板遠(yuǎn)離所述主板的一端均設(shè)置有所述絨毛墊。

可選地，所述表面為平面。

另外，本實(shí)用新型還提供了一種晶圓傳輸裝置，其包括上述任一所述的機(jī)械手臂。

在本實(shí)用新型的技術(shù)方案中，機(jī)械手臂傳送晶圓時(shí)，晶圓放置在托板的表面，并與絨毛墊接觸，借助晶圓與絨毛墊的絨毛之間的范德華力，晶圓被穩(wěn)穩(wěn)地附著在機(jī)械手臂上，不易發(fā)生平移，這樣不僅可以避免發(fā)生機(jī)械手臂碰傷，還可以提高晶圓的傳送速度以提高生產(chǎn)效率。

通過以下參照附圖對本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征、方面及其優(yōu)點(diǎn)將會變得清楚。 廣東晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂價(jià)格便宜精確地定位到三維（或二維）空間上的某一點(diǎn)進(jìn)行作業(yè)。

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造技術(shù)，尤其是一種用于晶圓搬運(yùn)的機(jī)械手。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體加工設(shè)備中，經(jīng)常需要將晶圓在各個(gè)工位之間進(jìn)行傳送，在傳送的過程中，傳送精度越高，設(shè)備工藝一致性就越好，速度越快，單臺設(shè)備的產(chǎn)能就越大。隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，設(shè)備處理的工藝越來越復(fù)雜，對設(shè)備自動化程度、柔性化程度要求也越來越高，這就需要一種定位精度高，速度快的多自由度的機(jī)械手。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供了一種晶圓搬運(yùn)機(jī)械手，本發(fā)明的機(jī)械手在傳送過程中晶片中心始終保證直線運(yùn)動，且角度不會發(fā)生改變。從而提高機(jī)械手整體剛度和承重能力，同時(shí)提高了重復(fù)定位精度。本發(fā)明結(jié)構(gòu)合理性能穩(wěn)定，維護(hù)方便，多功能集一身，可滿足多種工藝設(shè)備要求，適用于各種半導(dǎo)體設(shè)備。

晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。

晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，**化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.9%。

晶圓是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料，半導(dǎo)體集成電路**主要的原料是硅，因此對應(yīng)的就是硅晶圓。 手臂回轉(zhuǎn)升降機(jī)構(gòu)就是機(jī)械臂在升降的同時(shí)也可以旋轉(zhuǎn)的。

半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是集成電路領(lǐng)域，晶圓的身影隨處可見。

晶圓就是一塊薄薄的、圓形的高純硅晶片，而在這種高純硅晶片上可以加工制作出各種電路元件結(jié)構(gòu)，使之成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。

眼前這密密麻麻的元器件，被整整齊齊的安放在一塊單晶硅材料之上，都是規(guī)規(guī)矩矩、方方正正的。可見，晶圓在實(shí)際應(yīng)用之中還是要被切割成方形的。

所以疑問?來了——硅片為什么要做成圓的？為什么是“晶圓”，而不做成“晶方”？

要解釋這個(gè)問題，有兩方面的原因：一方面似乎是由“基因決定的”；另一方面是“環(huán)境造成的”。 加設(shè)定位裝置和行程檢測機(jī)構(gòu)。韶關(guān)晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂價(jià)格信息

手臂的結(jié)構(gòu)要緊湊小巧，才能做手臂運(yùn)動輕快、靈活。佛山正規(guī)晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂推廣

接下來是單晶硅生長，**常用的方法叫直拉法（CZ法）。如下圖所示，高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約1400 ℃，爐中的氣體通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時(shí)又不會產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)。為了形成單晶硅，還需要控制晶體的方向：坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn)，把一顆籽晶浸入其中，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去。因此所生長的晶體的方向性是由籽晶所決定的，在其被拉出和冷卻后就生長成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。佛山正規(guī)晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂推廣

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