接下來(lái)是單晶硅生長(zhǎng)，**常用的方法叫直拉法（CZ法）。如下圖所示，高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約1400 ℃，爐中的氣體通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時(shí)又不會(huì)產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)。為了形成單晶硅，還需要控制晶體的方向：坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn)，把一顆籽晶浸入其中，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會(huì)粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不斷地生長(zhǎng)上去。因此所生長(zhǎng)的晶體的方向性是由籽晶所決定的，在其被拉出和冷卻后就生長(zhǎng)成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。各支承、連接件的剛性也要有一定的要求，以保證能承受所需要的驅(qū)動(dòng)力。安徽庫(kù)存晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂設(shè)計(jì)

    目前，直拉法是生長(zhǎng)晶圓**常用的方法了，除了直拉法之外，常用的方法還有區(qū)熔法。區(qū)熔法，簡(jiǎn)稱Fz法。1939年，在貝爾實(shí)驗(yàn)室工作的W·G·Pfann較早萌生了“區(qū)域勻平”的念頭，后來(lái)在亨利·休勒、丹·多西等人的協(xié)助下，生長(zhǎng)出了高純度的鍺以及硅單晶，并獲得了**。這種方法是利用熱能在半導(dǎo)體多晶棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū)，使其重結(jié)晶為單晶。使熔區(qū)沿一定方向緩慢地向棒的另一端移動(dòng)，進(jìn)而通過(guò)整根棒料，使多晶棒料生長(zhǎng)成一根單晶棒料，區(qū)熔法也需要籽晶，且**終得到的柱狀單晶錠晶向與籽晶的相同。 徐匯區(qū)庫(kù)存晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)柔性機(jī)械臂高精度有效控制也必須考慮系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)特性。

與剛性機(jī)械臂相比較，柔性機(jī)械臂具有結(jié)構(gòu)輕、載重/自重比高等特性，因而具有較低的能耗、較大的操作空間和很高的效率，其響應(yīng)快速而準(zhǔn)確，有著很多潛在的優(yōu)點(diǎn)，在工業(yè)、**等應(yīng)用領(lǐng)域中占有十分重要的地位。隨著宇航業(yè)及機(jī)器人業(yè)的飛速發(fā)展，越來(lái)越多地采用由若干個(gè)柔性構(gòu)件組成的多柔體系統(tǒng)。傳統(tǒng)的多剛體動(dòng)力學(xué)的分析方法及控制方法已不能滿足多柔體系統(tǒng)的動(dòng)力分析及控制的要求。柔性機(jī)械臂作為簡(jiǎn)單的非平凡多柔體系統(tǒng)，被用作多柔體系統(tǒng)的研究模型。

多功能一體化機(jī)械臂，包括機(jī)械臂主體，所述機(jī)械臂主體由設(shè)置在該機(jī)械臂主體底部的底座、設(shè)置在底座頂部的后臂及設(shè)置在后臂頂部的前臂構(gòu)成的，該種多功能一體化機(jī)械臂，改進(jìn)了原有產(chǎn)品的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型多功能一體化機(jī)械臂具有成本費(fèi)用較低、占地面積較小和驅(qū)動(dòng)充足的特點(diǎn)，本機(jī)械臂*由底座、前臂和后臂構(gòu)成的，實(shí)現(xiàn)了占地面積小的特點(diǎn)，且在生產(chǎn)過(guò)程中由于體積較小，廠家生產(chǎn)成本費(fèi)較低，同時(shí)工人在使用時(shí)，移動(dòng)較為方便，設(shè)有的安全離合器、液壓器和液壓室，實(shí)現(xiàn)了本新型機(jī)械臂驅(qū)動(dòng)充足的特點(diǎn)，在使用過(guò)程中完全依靠程序芯片控制，液壓器液壓精細(xì)不會(huì)手臂。起著連接和承受外力的作用。

進(jìn)行光刻：

將設(shè)計(jì)好的電路掩模，置于光刻機(jī)的紫外射線下，然后再在它的下面放置Wafer，這一刻，Wafer上被光刻部分的光刻膠被融化掉，刻上了電路圖。然后將光刻膠去除，光刻膠上的圖案要與掩模上的圖案一致，然后進(jìn)行再次光刻。一般來(lái)說(shuō)一個(gè)晶圓的電路要經(jīng)過(guò)多次光刻。而隨著技術(shù)革新，極紫光刻出現(xiàn)了，現(xiàn)階段光刻的效率變得比以前更高，甚至于可以達(dá)到光刻一次完成。

注射：

在真空下，將導(dǎo)電材料注入晶圓的電路內(nèi)部。其真空的標(biāo)準(zhǔn)比無(wú)菌室或ICU還要高出千萬(wàn)倍。 其特征在于：所述機(jī)械臂包括內(nèi)部具有真空腔體的鋁合金平板.金山區(qū)銷售晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂推廣

手臂一般有3個(gè)運(yùn)動(dòng)：伸縮、旋轉(zhuǎn)和升降.安徽庫(kù)存晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂設(shè)計(jì)

    區(qū)熔法分為兩種：水平區(qū)熔法和立式懸浮區(qū)熔法。前者主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長(zhǎng)；后者主要用于硅。為什么有橫著和豎著長(zhǎng)的不同捏？這是由于硅的熔點(diǎn)高，化學(xué)性能活潑，容易受到異物的玷污，所以難以找到適合的器皿來(lái)盛方，自然水平區(qū)熔法不能用在硅的生長(zhǎng)上啦。區(qū)熔法與直拉法比較大的不同之處在于：區(qū)熔法一般不使用坩鍋，引入的雜質(zhì)更少，生長(zhǎng)的材料雜質(zhì)含量也就更少。總而言之，單晶硅棒是圓柱形的，使用這種方法得到的單晶硅圓片自然也是圓形的了。就是下圖這個(gè)樣的——知道是兩頭的尖尖是如何造成的嗎？Bingo，圖左的尖尖是籽晶，圖右的尖尖是晶棒長(zhǎng)到***，從熔融態(tài)里出來(lái)后，由于復(fù)雜的流體力學(xué)原理，以及熔融態(tài)的硅迅速凝固而導(dǎo)致的。 安徽庫(kù)存晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂設(shè)計(jì)

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