本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供了一種晶圓搬運(yùn)機(jī)械手，本發(fā)明的機(jī)械手在傳送過程中晶片中心始終保證直線運(yùn)動(dòng)，且角度不會(huì)發(fā)生改變。從而提高機(jī)械手整體剛度和承重能力，同時(shí)提高了重復(fù)定位精度。本發(fā)明結(jié)構(gòu)合理性能穩(wěn)定，維護(hù)方便，多功能集一身，可滿足多種工藝設(shè)備要求，適用于各種半導(dǎo)體設(shè)備。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明通過下述技術(shù)方案得以解決：一種晶圓搬運(yùn)機(jī)械手，包括升降軸、旋轉(zhuǎn)軸和伸展軸，其特征為，所述的伸展軸包括伸展電機(jī)、一級伸展臂、二級伸展臂和手指固定座，所述的一級伸展臂與所述伸展電機(jī)之間設(shè)置有一級關(guān)節(jié)，所述的一級伸展臂與所述的二級伸展臂之間設(shè)置有二級關(guān)節(jié)，所述的二級伸展臂和所述的手指固定座之間設(shè)置有三級關(guān)節(jié)，所述的伸展電機(jī)、所述的一級關(guān)節(jié)、所述的二級關(guān)節(jié)和所述的三級關(guān)節(jié)依次傳動(dòng)，所述的手指固定座始終保持直線運(yùn)動(dòng)。

對于半導(dǎo)體制造應(yīng)用來說，常用的機(jī)械手臂是用來搬送晶片.珠海進(jìn)口晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂生產(chǎn)廠家

    6)自適應(yīng)控制。采用組合自適應(yīng)控制將系統(tǒng)劃分成關(guān)節(jié)子系統(tǒng)和柔性子系統(tǒng)。利用參數(shù)線性化的方法設(shè)計(jì)自適應(yīng)控制規(guī)則來辨識柔性機(jī)械臂的不確定性參數(shù)。對具有非線性和參數(shù)不確定性的柔性機(jī)械臂進(jìn)行了**控制器的設(shè)計(jì)。控制器的設(shè)計(jì)是依據(jù)Lyapunov方法的魯棒和自適應(yīng)控制設(shè)計(jì)。通過狀態(tài)轉(zhuǎn)換將系統(tǒng)分成兩個(gè)子系統(tǒng)。用自適應(yīng)控制和魯棒控制分別對兩個(gè)子系統(tǒng)進(jìn)行控制。7)PID控制。PID控制器作為很受歡迎和最廣泛應(yīng)用的控制器,由于其簡單、有效、實(shí)用,被普遍地用于剛性機(jī)械臂控制,常通過調(diào)整控制器增益構(gòu)成自校正PID控制器或與其它控制方法結(jié)合構(gòu)成復(fù)合控制系統(tǒng)以改善PID控制器性能。8)變結(jié)構(gòu)控制。變結(jié)構(gòu)控制系統(tǒng)是一種不連續(xù)的反饋控制系統(tǒng),其中滑模控制是最普遍的變結(jié)構(gòu)控制。其特點(diǎn);在切換面上,具有所謂的滑動(dòng)方式,在滑動(dòng)方式中系統(tǒng)對參數(shù)變化和擾動(dòng)保持不敏感,同時(shí),它的軌跡位于切換面上,滑動(dòng)現(xiàn)象并不依賴于系統(tǒng)參數(shù),具有穩(wěn)定的性質(zhì)。變結(jié)構(gòu)控制器的設(shè)計(jì),不需要機(jī)械臂精確的動(dòng)態(tài)模型,模型參數(shù)的邊界就足以構(gòu)造一個(gè)控制器。 珠海晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂哪個(gè)牌子好為此，手臂一般都采用剛性較好的導(dǎo)向桿來加大手臂的剛度.

    建模理論柔性機(jī)械臂動(dòng)力學(xué)方程的建立主要是利用Lagrange方程和NeWton-Euler方程這兩個(gè)相當(dāng)有代表性的方程。另外比較常用的還有變分原理,虛位移原理以及Kane方程的方法。而柔性體變形的描述是柔性機(jī)械臂系統(tǒng)建模與控制的基礎(chǔ)。因此因首先選擇一定的方式描述柔性體的變形，同時(shí)變形的描述與系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)方程的求解關(guān)系密切。[3]柔性體變形的描述主要有以下幾種：1)有限元法；2)有限段法；3)模態(tài)綜合法；4)集中質(zhì)量法；動(dòng)力學(xué)方程的建立無論是連續(xù)或離散的動(dòng)力學(xué)模型，其建模方法主要基于兩類基本方法：矢量力學(xué)法和分析力學(xué)法。應(yīng)用較***同時(shí)也是比較成熟的是Newton-Euler公式、Lagrange方程、變分原理、虛位移原理和Kane方程。

年來全球硅晶圓供給不足，導(dǎo)致8英寸、12英寸硅晶圓訂單能見度分別已達(dá)2019上半年和年底。目前國內(nèi)多個(gè)硅晶圓項(xiàng)目已經(jīng)開始籌備，期望有朝一日能夠打破進(jìn)口依賴，并有足夠的能力滿足市場需求。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式***存在于巖石、砂礫中，硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。一，晶柱制造步驟硅提純:將沙石原料放入一個(gè)溫度約為2000℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)（碳氧結(jié)合，得硅），提純得純度約為98%的純硅，又稱冶金級硅，這對微電子器件來說依然不夠純，因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電學(xué)特性對雜質(zhì)的濃度相當(dāng)?shù)拿舾校蚨鴮σ苯鸺壒枳鬟M(jìn)一步提純：將粉碎的冶金級硅與氣態(tài)的氯化氫進(jìn)行氯化反應(yīng)，生成液態(tài)的硅烷，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度達(dá)99%，成為電子級硅。機(jī)械手臂的應(yīng)用場景有哪些呢？

 晶圓是半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵元件，隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展，晶圓的搬運(yùn)技術(shù)逐漸成為制約行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素。晶圓搬運(yùn)機(jī)械手是IC裝備的**之一，其性能的優(yōu)劣直接影響晶圓的生產(chǎn)效率和制造質(zhì)量，體現(xiàn)著整個(gè)加工系統(tǒng)的自動(dòng)化程度和可靠性。在晶圓加工系統(tǒng)中包含兩類晶圓搬運(yùn)機(jī)械手：大氣機(jī)械手（FI robot) 和真空機(jī)械手(Vacuum robot)。前者將晶圓從晶圓盒中取出并放到預(yù)對準(zhǔn)設(shè)備上，工作環(huán)境滿足一定的大氣潔凈度要求，控制精度要求相對較低。后者將晶圓從預(yù)對準(zhǔn)設(shè)備上取下，搬運(yùn)到各個(gè)工位進(jìn)行刻蝕等工藝流程加工，并將加工完的晶圓搬運(yùn)到接口位置，等待大氣機(jī)械手放回晶圓盒。這些工藝流程需要在真空環(huán)境下進(jìn)行，機(jī)械手必須要完全滿足真空潔凈度要求，控制精度和可靠性要求極高。手臂自重輕，其啟動(dòng)和停止的平穩(wěn)性就好。本地晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂供應(yīng)商家

單軸機(jī)械手臂作為一個(gè)組件在工業(yè)中應(yīng)用***。珠海進(jìn)口晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂生產(chǎn)廠家

    區(qū)熔法分為兩種：水平區(qū)熔法和立式懸浮區(qū)熔法。前者主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長；后者主要用于硅。為什么有橫著和豎著長的不同捏？這是由于硅的熔點(diǎn)高，化學(xué)性能活潑，容易受到異物的玷污，所以難以找到適合的器皿來盛方，自然水平區(qū)熔法不能用在硅的生長上啦。區(qū)熔法與直拉法比較大的不同之處在于：區(qū)熔法一般不使用坩鍋，引入的雜質(zhì)更少，生長的材料雜質(zhì)含量也就更少。總而言之，單晶硅棒是圓柱形的，使用這種方法得到的單晶硅圓片自然也是圓形的了。就是下圖這個(gè)樣的——知道是兩頭的尖尖是如何造成的嗎？Bingo，圖左的尖尖是籽晶，圖右的尖尖是晶棒長到***，從熔融態(tài)里出來后，由于復(fù)雜的流體力學(xué)原理，以及熔融態(tài)的硅迅速凝固而導(dǎo)致的。 珠海進(jìn)口晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂生產(chǎn)廠家

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