優(yōu)普納不只提供高性能砂輪，更構建了覆蓋售前、售中、售后的全周期服務體系。針對客戶新設備導入或工藝升級需求，優(yōu)普納技術團隊可提供磨削參數(shù)優(yōu)化（如進給速度、冷卻液配比）與砂輪選型指導。某客戶在導入12吋SiC試驗線時，優(yōu)普納通過定制25000#砂輪與工藝調(diào)試，將TTV從初始的5μm降至2μm，良率提升40%，加速產(chǎn)線量產(chǎn)進程。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產(chǎn)品以及方案。優(yōu)普納碳化硅晶圓減薄砂輪在性能和質量上不斷突破，為國產(chǎn)半導體加工設備及耗材的自主可控發(fā)展貢獻力量。江蘇進口替代砂輪

江蘇優(yōu)普納科技有限公司的碳化硅減薄砂輪，采用自主研發(fā)的強度高微晶增韌陶瓷結合劑及多孔砂輪顯微組織調(diào)控技術，打破國外技術壟斷，實現(xiàn)國產(chǎn)化替代。相比進口砂輪，產(chǎn)品磨耗比降低至15%-35%（粗磨）及100%-300%（精磨），表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度達2μm以內(nèi)，適配東京精密、DISCO等國際主流設備。例如，在8吋SiC線割片加工中，砂輪磨耗比只為30%（粗磨）和200%（精磨），效率提升20%以上，明顯降低客戶綜合成本。歡迎您的隨時咨詢~浙江砂輪材料在東京精密-HRG200X減薄機上，優(yōu)普納砂輪對6吋SiC線割片進行精磨，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。

江蘇優(yōu)普納科技有限公司：5G基站氮化鎵（GaN）器件對晶圓表面質量要求極高，江蘇優(yōu)普納科技有限公司的砂輪通過超精密磨削工藝實現(xiàn)Ra≤3nm的鏡面效果。某通信設備制造商采用優(yōu)普納砂輪加工6吋GaN襯底，精磨磨耗比120%，TTV≤2μm，芯片良率從88%提升至95%，單月產(chǎn)能突破10萬片。這一案例驗證了國產(chǎn)砂輪在高頻、高功率半導體領域的可靠性與競爭力。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產(chǎn)品以及方案。

針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優(yōu)普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩(wěn)定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產(chǎn)品。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產(chǎn)品以及方案。優(yōu)普納碳化硅晶圓減薄砂輪，以高性能陶瓷結合劑和“Dmix+”制程工藝為基礎，不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能。

江蘇優(yōu)普納科技有限公司：強度高微晶增韌陶瓷結合劑通過優(yōu)化陶瓷相分布，提升砂輪抗沖擊性，減少磨粒脫落；多孔顯微組織調(diào)控技術增強冷卻液滲透效率，降低磨削熱損傷。兩項技術結合使砂輪壽命延長30%，磨削效率提升25%，尤其適用于高硬度SiC晶圓加工。實際案例顯示，在DISCO-DFG8640設備上，8吋晶圓精磨磨耗比達200%，遠優(yōu)于行業(yè)平均水平。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產(chǎn)品以及方案。在6吋和8吋SiC線割片的加工中，優(yōu)普納砂輪均能保持穩(wěn)定性能，無論是粗磨還是精磨，達到行業(yè)更高加工標準。磨削砂輪特點

通過優(yōu)化砂輪的基體設計，優(yōu)普納產(chǎn)品有效減少加工過程中的振動，提升加工精度，增強冷卻效果 延長使用壽命。江蘇進口替代砂輪

在第三代半導體材料加工領域，江蘇優(yōu)普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪憑借其高精度加工能力脫穎而出。采用專研的強度高微晶增韌陶瓷結合劑，砂輪在磨削過程中展現(xiàn)出優(yōu)越的穩(wěn)定性，能夠有效減少振動，確保加工后的晶圓表面粗糙度極低。無論是6吋還是8吋的SiC線割片，使用優(yōu)普納砂輪加工后，表面粗糙度Ra值均能達到納米級別，總厚度變化TTV控制在微米級別以內(nèi)。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，也為優(yōu)普納在國產(chǎn)碳化硅減薄砂輪市場奠定了堅實的基礎，助力其品牌形象進一步鞏固。江蘇進口替代砂輪