高效異質結電池整線設備，HWCVD 1、熱絲化學氣相沉積(HotWireCVD，HWCVD)是利用高溫熱絲催化作用使SiH4分解來制備非晶硅薄膜，對襯底無損傷，且成膜質量非常好，但鍍膜均勻性較差，且熱絲作為耗材，成本較高；2、HWCVD一般分為三個階段，一是反應氣體在熱絲處的分解反應，二是基元向襯底運輸過程中的氣相反應，第三是生長薄膜的表面反應。PECVD鍍膜均勻性較高，工藝窗口寬，對襯底損傷較大。HWCVD是利用高溫熱絲催化作用使SiH4分解來成膜，對襯底無損傷，且成膜質量好，但鍍膜均勻性較差且成本較高。釜川高效異質結電池濕法制絨設備全線采用臭氧工藝，降低了運營材料成本。西安光伏異質結銅電鍍產線

HJT電池所有制程的加工溫度均低于250，避免了生產效率低而成本高的高溫擴散制結的過程，而且低溫工藝使得a-Si薄膜的光學帶隙、沉積速率、吸收系數以及氫含量得到較精確的控制，也可避免因高溫導致的熱應力等不良影響。HJT電池轉換效率高，拓展潛力大，工藝簡單并且降本路線清晰，契合了光伏產業發展的規律，是有潛力的下一代電池技術。HJT電池為對稱的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。HJT異質結費用異質結電池提升了太陽能電池的轉換效率、良率和產能，并極大降低了生產成本。

HJT電池生產流程，HJT電池生產設備，制絨清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和損傷層；2利用KOH腐蝕液對n型硅片進行各項異性腐蝕，將Si（100）晶面腐蝕為Si（111）晶面的四方椎體結構（“金字塔結構”），即在硅片表面形成絨面，可將硅片表面反射率降低至12.5%以下，從而產生更多的光生載流子；3形成潔凈硅片表面，由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質結界面的一部分，避免不潔凈引進的缺陷和雜質而帶來的結界面處載流子的復合。堿溶液濃度較低時，單晶硅的(100)與(111)晶面的腐蝕速度差別比較明顯，速度的比值被稱為各向異性因子(anisotropicfactorAF)；因此改變堿溶液的濃度及溫度，可以有效地改變AF，使得在不同方向上的速度不同，在硅片表面形成密集分布的“金字塔”結構的減反射絨面；在制絨工序，絨面大小為主要指標，一般可通過添加劑的選擇、工藝配比的變化、工藝溫度及工藝時間等來進行調節控制。

異質結電池具備光電轉化效率提升潛力高、更大的降成本空間、更高的雙面率、可有效降低熱損失、更低的光致衰減、制備工藝簡單等特點，為光伏領域帶來了新的希望。釜川（無錫）智能科技有限公司，以半導體生產設備、太陽能電池生產設備為主要產品，打造光伏設備一體化服務。擁有強大的科研團隊，憑借技術競爭力，在清洗制絨設備、PECVD設備、PVD設備、電鍍銅設備等方面都有獨特優勢；以高效加工制造、快速終端交付的能力，為客戶提供整線工藝設備的交付服務。光伏異質結是一種高效太陽能電池，具有更高的轉換效率和更低的衰減率。

異質結（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，HJT）電池為對稱的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層（包括 N 型非晶硅薄膜 n-a-Si:H、本征非晶硅薄膜 i-a-Si:H 和 P 型非晶硅薄膜 p-a-Si:H）、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。HJT是很有潛力優勢的技術，在將來HJT電池與鈣鈦礦技術進行復合疊層，突破轉換效率30%成為可能。異質結電池以其出色的發電性能、技術延展性和低碳制造過程，脫穎而出成為主流技術之一。江蘇太陽能異質結價格

光伏異質結技術可以應用于各種類型的太陽能電池，包括晶體硅、薄膜和多結太陽能電池。西安光伏異質結銅電鍍產線

光伏異質結和PN結都是半導體器件中常見的結構，但它們的區別在于其形成的原因和應用場景。PN結是由兩種不同摻雜的半導體材料（P型和N型）形成的結構。在PN結中，P型半導體中的電子和N型半導體中的空穴會在結區域發生復合，形成一個空穴富集區和一個電子富集區，從而形成一個電勢壘。PN結的主要應用包括二極管、光電二極管等。光伏異質結是由兩種不同材料的半導體形成的結構，其中一種材料的帶隙比另一種材料大。在光伏異質結中，當光子進入結區域時，會激發出電子和空穴，從而形成電子空穴對。由于材料的帶隙不同，電子和空穴會在結區域形成電勢壘，從而產生電壓和電流。光伏異質結的主要應用是太陽能電池。因此，PN結和光伏異質結的區別在于其形成的原因和應用場景。PN結主要用于電子學器件，而光伏異質結則主要用于光電器件。西安光伏異質結銅電鍍產線