我們在上面的NPN晶體管中討論過，它也處于有源模式.大多數電荷載流子是用于p型發射極的孔.對于這些孔，基極發射極結將被正向偏置并朝基極區域移動.這導致發射極電流Ie.基極區很薄，被電子輕摻雜，形成了電子-空穴的結合，并且一些空穴保留在基極區中.這會導致基本電流Ib非常小.基極集電極結被反向偏置到基極區域中的孔和集電極區域中的孔，但是被正向偏置到基極區域中的孔.集電極端子吸引的基極區域的剩余孔引起集電極電流Ic.在此處查看有關PNP晶體管的更多信息在晶體三極管中很小的基極電流可以導致很大的集電極電流，這就是三極管的電流放大作用。成都電路設計晶體管

通俗易懂的三極管工作原理*1、晶體三極管簡介。晶體三極管是p型和n型半導體的有機結合，兩個pn結之間的相互影響，使pn結的功能發生了質的飛躍，具有電流放大作用。晶體三極管按結構粗分有npn型和pnp型兩種類型。如圖2-17所示。（用Q、VT、PQ表示）三極管之所以具有電流放大作用，首先，制造工藝上的兩個特點：(1)基區的寬度做的非常薄；(2)發射區摻雜濃度高，即發射區與集電區相比具有雜質濃度高出數百倍。2、晶體三極管的工作原理。其次，三極管工作必要條件是(a)在B極和E極之間施加正向電壓(此電壓的大小不能超過1V)；（b）在C極和E極之間施加反向電壓（此電壓應比eb間電壓較高）；（c）若要取得輸出必須施加負載。惠州功放晶體管深圳市凱軒業科技致力于晶體管產品研發及方案設計，有想法的可以來電咨詢！

晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）.晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）；場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）.晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱共基放大、CB組態）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態、發射極隨耦器）.晶體管是一種半導體器件，放大器或電控開關常用.晶體管是規范操作電腦，手機，和所有其他現代電子電路的基本構建塊.由于其響應速度快，準確性高，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能，包括放大，開關，穩壓，信號調制和振蕩器.晶體管可包裝或在一個非常小的的區域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分.

半導體三極管是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，應用十分常見。輸入級和輸出級都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬于半導體集成電路的一種，其中用得比較普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個單獨的元件。半導體三極管是電路中應用比較常見的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。想要弄懂晶體管，就要先弄懂二極管。

IRM---反向峰值電流IRR---晶閘管反向重復平均電流IDR---晶閘管斷態平均重復電流IRRM---反向重復峰值電流IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）Irp---反向恢復電流Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流Izk---穩壓管膝點電流IOM---比較大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向比較大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM---穩壓二極管浪涌電流IZM---比較大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極管允許通過的電流iF---正向總瞬時電流iR---反向總瞬時電流ir---反向恢復電流Iop---工作電流Is---穩流二極管穩定電流f---頻率n---電容變化指數；電容比Q---優值。光晶體管三端工作，故容易實現電控或電同步。光晶體管所用材料通常是砷化鎵.惠州功放晶體管

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三極管（BJT管），也稱為雙性型晶體管三極管是一個人丁興旺的“大家族”，其人員眾多.因此在電子電路中如果沒有三極管的話那么這個電路將“一事無成”.電路中的很多元件都是為三極管服務的，比如電阻、電容等.有必要和大家對三極管進行一下剖析，下面讓我們看看三極管的“廬山真面目”.三極管也有三條腿，并且這三條腿不能相互換用，不像MOS管那樣其源極（S）和漏極（D）在一定條件下還可以換用的（低頻的結型管可以互換）.從圖中我們也可以看到，三極管也是有兩個PN結構成.我們以NPN型三極管為例來說明這個問題，分別從三個半導體基座中引出三個極，我們給它分別起個名字叫基極、集電極和發射極.這三個端子的相互作用是，通過控制流入基極的電流就可以達到控制發射極和集電極之間的電流的大小，由此我們可以知道三極管是一個電流型控制器件.成都電路設計晶體管