半導體二極管主要是依靠 PN 結而工作的。與 PN 結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。包括這兩種型號在內，根據 PN 結構造面的特點，把晶體二極管分類如下：1、點接觸型二極管點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其 PN 結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對于小信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用范圍較廣的類型。深圳市凱軒業科技原裝，線性穩壓電源是比較早使用的一類直流穩壓電源。江西通用二極管單價

15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為 N 型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的 PN 結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響但為 RC 時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達 100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。甘肅自動化通用二極管控制芯片就選深圳市凱軒業科技，竭誠為您服務。

8、外延型二極管用外延面長的過程制造 PN 結而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變容二極管。9、肖特基二極管基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N 型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與 PN 結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有 40V 左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢復時間 trr 特別地短。因此，能制作開關二極和低壓大電流整流二極管。

擴散型二極管在高溫的 P 型雜質氣體中，加熱 N 型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成 P 型，以此法 PN 結。因 PN 結正向電壓降小，適用于大電流整流。較近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉移到硅擴散型。5、臺面型二極管PN 結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留 PN 結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現出臺面形，因而得名。初期生產的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產品型號很少，而小電流開關用的產品型號卻很多。深圳市凱軒業電子專業設計控制芯片，歡迎咨詢來電。

13、江崎二極管 （Tunnel Diode）它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區的 N 型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生的。如發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01 微米以下）；簡并半導體 P 型區和 N 型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標“P”表示“峰”；而下標“V”表示“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。用戶的信賴之選，有想法可以來我司咨詢！晶體管設計，就選深圳市凱軒業電子科技。新型通用二極管銷售代理

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9、頻率倍增用二極管對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變容二極管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變容二極管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變容二極管的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復二極管，從導通切換到關閉時的反向恢復時間 trr 短，因此，其特長是急速地變成關閉的轉移時間顯示地短。如果對階躍二極管施加正弦波，那么，因 tt（轉移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產生很多高頻諧波。 江西通用二極管單價

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