（3）以阻值較小的一次測量為準，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負極。(d)觀察二極管外殼，帶有銀色帶一端為負極。 [7]2. 檢測比較高反向擊穿電壓。對于交流電來說，因為不斷變化，因此最高反向工作電壓也就是二極管承受的交流峰值電壓。 [7]雙向觸發二極管將萬用表置于相應的直流電壓擋，測試電壓由兆歐表提供。 [8]測試時，搖動兆歐表，萬同樣的方法測出VBR值。***將VBO與VBR進行比較，兩者的***值之差越小，說明被測雙向觸發二極管的對稱性越好。 [8]N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。奉賢區如何二極管銷售廠家

當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。 [4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向導通。 叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。硅二極管的正向導通壓降約為0.6~0.8V，鍺二極管的正向導通壓降約為0.2~0.3V。 [4]反向特性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。 [4]金山區進口二極管供應商由P區引出的電極稱為陽極，N區引出的電極稱為陰極。

△V（B）=V（B0）-V（BR）。一般△V（B）應小于2伏。雙向觸發二極管的正向轉折電壓值一般有三個等級：20-60V、100-150V、200-250V。由于轉折電壓都大于20V，可以用萬用表電阻擋正反向測雙向二極管，表針均應不動（RX10k),但還不能完全確定它就是好的。檢測它的好壞，并能提供大于250V的直流電壓的電源，檢測時通過管子的電流不要大于是5mA。用晶體管耐壓測試器檢測十分方便。如沒有，可用兆歐表按圖6所示進行測量（正、反各一次），電壓大的一次V（BR）。例如：測一只DB3型二極管，***次為27.5V，反向后再測為28V，則△V（B）=V（B0）-V（BR）=28V-27.5V=0.5V<2V,表明該管對稱性很好。

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。 [5和普通二極管相似，發光二極管也是由一個PN結構成。

無論是在常見的收音機電路還是在其他的家用電器產品或工業控制電路中，都可以找到二極管的蹤跡 [3]。二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。 [4]采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。 [4]圖1 各種二極管的符號由P區引出的電極稱為陽極，N區引出的電極稱為陰極。因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。 [4]二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。奉賢區如何二極管銷售廠家

隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。奉賢區如何二極管銷售廠家

高反向耐壓點接觸型二極管是比較大峰值反向電壓和比較大直流反向電壓很高的產品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極管中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極管，其耐壓受到限制。要求更高時有硅合金和擴散型。高反向電阻點接觸型二極管正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極管而言，SD54、1N54A等等屬于這類二極管。奉賢區如何二極管銷售廠家

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