熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學領域的利器，其設備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術結合，呈現物體表面溫度分布，分辨率達微米級，可觀察半導體芯片熱點、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優勢，無需與被測物體直接接觸，避免了對樣品的干擾，適用于多種類型的樣品檢測。實時成像功能可追蹤動態熱變化，如材料相變、化學反應熱釋放。在高校，熱紅外顯微鏡助力多學科實驗；在企業，為產品研發和質量檢測提供支持，推動各領域創新突破。鎖相熱成像系統解析電激勵產生的溫度場信息。thermal鎖相紅外熱成像系統平臺

在光伏行業，鎖相熱成像系統成為了太陽能電池板質量檢測的得力助手。太陽能電池板的質量直接影響其發電效率和使用壽命，而電池片隱裂、焊接不良等問題是影響質量的常見隱患。鎖相熱成像系統通過對電池板施加特定的熱激勵，能夠敏銳地捕捉到因這些缺陷產生的溫度響應差異，尤其是通過分析溫度響應的相位差異，能夠定位到細微的缺陷。這一技術的應用，幫助制造商及時發現生產過程中的問題，有效提高了產品的合格率，為提升太陽能組件的發電效率提供了堅實保障，推動了光伏產業的健康發展。IC鎖相紅外熱成像系統工作原理鎖相檢測模塊功能是通過與電激勵信號的同步鎖相處理，從熱像序列中提取與激勵頻率一致的溫度波動分量。

性能參數的突破更凸顯技術實力。RTTLIT P20 的測溫靈敏度達 0.1mK，意味著能捕捉到 0.0001℃的溫度波動，相當于能檢測到低至 1μW 的功率變化 —— 這一水平足以識別芯片內部柵極漏電等隱性缺陷；2μm 的顯微分辨率則讓成像精度達到微米級，可清晰呈現芯片引線鍵合處的微小熱異常。而 RTTLIT P10 雖采用非制冷型探測器，卻通過算法優化將鎖相靈敏度提升至 0.001℃，在 PCB 板短路、IGBT 模塊局部過熱等檢測場景中，既能滿足精度需求，又具備更高的性價比。此外，設備的一體化設計將可見光、熱紅外、微光三大成像模塊集成，配合自動化工作臺的精細控制，實現了 “一鍵切換檢測模式”“雙面觀測無死角” 等便捷操作，大幅降低了操作復雜度。

電子產業的電路板老化檢測中，電激勵的鎖相熱成像系統效果優異，為電子設備的維護和更換提供了科學依據，有效延長了設備的使用壽命。電路板在長期使用過程中，會因元件老化、線路氧化、灰塵積累等原因，導致性能下降，可能出現隱性缺陷，如電阻值漂移、電容漏電、線路接觸不良等。這些隱性缺陷在設備正常工作時可能不會立即顯現，但在負載變化或環境溫度波動時，可能會導致設備故障。通過對老化的電路板施加適當的電激勵，模擬設備的工作狀態，老化缺陷處會因性能參數的變化而產生與正常區域不同的溫度變化。鎖相熱成像系統能夠檢測到這些溫度變化，并通過分析溫度場的分布特征，評估電路板的老化程度和潛在故障風險。例如，在檢測工業控制設備的電路板時，系統可以發現老化電容周圍的溫度明顯高于正常區域，提示需要及時更換電容，避免設備在運行過程中突然故障。電激勵強度可控，保護鎖相熱成像系統檢測元件。

致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能InSb（銦銻）探測器，用于中波紅外波段（3–5 μm）的熱輻射信號捕捉。InSb材料具有優異的光電轉換效率和極低的本征噪聲，在制冷條件下可實現高達nW級的熱靈敏度和優于20mK的溫度分辨率，適用于高精度、非接觸式熱成像分析。該探測器在熱紅外顯微系統中的應用，提升了空間分辨率（可達微米量級）與溫度響應線性度，使其能夠對半導體器件、微電子系統中的局部發熱缺陷、熱點遷移和瞬態熱行為進行精細刻畫。配合致晟光電自主開發的高數值孔徑光學系統與穩態熱控平臺，InSb探測器可在多物理場耦合背景下實現高時空分辨的熱場成像，是先進電子器件失效分析、電熱耦合行為研究及材料熱特性評價中的關鍵。鎖相熱成像系統縮短電激勵檢測的響應時間。熱紅外成像鎖相紅外熱成像系統設備

電激勵與鎖相熱成像系統結合，實現無損檢測。thermal鎖相紅外熱成像系統平臺

在實際應用中，這款設備已成為半導體產業鏈的 “故障診斷利器”。在晶圓制造環節，它能通過熱分布成像識別光刻缺陷導致的局部漏電；在芯片封裝階段，可定位引線鍵合不良引發的接觸電阻過熱；針對 IGBT 等功率器件，能捕捉高頻開關下的瞬態熱行為，提前預警潛在失效風險。某半導體企業在檢測一批失效芯片時，傳統熱成像設備能看到模糊的發熱區域，而使用致晟光電的一體化設備后，通過鎖相技術發現發熱區域內存在一個 2μm 的微小熱點，終定位為芯片內部的金屬離子遷移缺陷 —— 這類缺陷若未及時發現，可能導致產品在長期使用中突然失效。thermal鎖相紅外熱成像系統平臺