在半導體行業飛速發展的現在，芯片集成度不斷提升，器件結構日益復雜，失效分析的難度也隨之大幅增加。傳統檢測設備往往難以兼顧微觀觀測與微弱信號捕捉，導致許多隱性缺陷成為 “漏網之魚”。蘇州致晟光電科技有限公司憑借自主研發實力，將熱紅外顯微鏡與鎖相紅外熱成像系統創造性地集成一體，推出 Thermal EMMI P 熱紅外顯微鏡系列檢測設備（搭載自主研發的 RTTLIT （實時瞬態鎖相紅外系統），為半導體的失效分析提供了全新的技術范式。

電激勵激發缺陷熱特征，鎖相熱成像系統識別。直銷鎖相紅外熱成像系統售價

致晟光電推出的多功能顯微系統，創新實現熱紅外與微光顯微鏡的集成設計，搭配靈活可選的制冷/非制冷模式，可根據您的實際需求定制專屬配置方案。這套設備的優勢在于一體化集成能力：只需一套系統，即可同時搭載可見光顯微鏡、熱紅外顯微鏡及InGaAs微光顯微鏡三大功能模塊。這種設計省去了多設備切換的繁瑣，更通過硬件協同優化提升了整體性能，讓您在同一平臺上輕松完成多波段觀測任務。相比單獨購置多套設備，該集成系統能大幅降低采購與維護成本，在保證檢測精度的同時，為實驗室節省空間與預算，真正實現性能與性價比的雙重提升。實時鎖相鎖相紅外熱成像系統價格電激勵為鎖相熱成像系統提供穩定熱信號源。

RTTLIT 系統采用了先進的鎖相熱成像（Lock-In Thermography）技術，這是一種通過調制電信號來大幅提升特征分辨率與檢測靈敏度的創新方法。在傳統的熱成像檢測中，由于背景噪聲和熱擴散等因素的影響，往往難以精確檢測到微小的熱異常。而鎖相熱成像技術通過對目標物體施加特定頻率的電激勵，使目標物體產生與激勵頻率相同的熱響應，然后通過鎖相放大器對熱響應信號進行解調，只提取與激勵頻率相關的熱信號，從而有效地抑制了背景噪聲，極大地提高了檢測的靈敏度和分辨率。

失效背景調查就像是為芯片失效分析開啟“導航系統”，能幫助分析人員快速了解芯片的基本情況，為后續工作奠定基礎。收集芯片型號是首要任務，不同型號的芯片在結構、功能和特性上存在差異，這是開展分析的基礎信息。同時，了解芯片的應用場景也不可或缺，是用于消費電子、工業控制還是航空航天等領域，不同的應用場景對芯片的性能要求不同，失效原因也可能大相徑庭。失效模式的收集同樣關鍵，短路、漏電、功能異常等不同的失效模式，指向的潛在問題各不相同。比如短路可能是由于內部線路故障，而漏電則可能與芯片的絕緣性能有關。失效比例的統計也有重要意義，如果同一批次芯片失效比例較高，可能暗示著設計缺陷或制程問題；如果只是個別芯片失效，那么應用不當的可能性相對較大。
電激勵強度可控，保護鎖相熱成像系統檢測元件。

電子產業的電路板老化檢測中，電激勵的鎖相熱成像系統效果優異，為電子設備的維護和更換提供了科學依據，有效延長了設備的使用壽命。電路板在長期使用過程中，會因元件老化、線路氧化、灰塵積累等原因，導致性能下降，可能出現隱性缺陷，如電阻值漂移、電容漏電、線路接觸不良等。這些隱性缺陷在設備正常工作時可能不會立即顯現，但在負載變化或環境溫度波動時，可能會導致設備故障。通過對老化的電路板施加適當的電激勵，模擬設備的工作狀態，老化缺陷處會因性能參數的變化而產生與正常區域不同的溫度變化。鎖相熱成像系統能夠檢測到這些溫度變化，并通過分析溫度場的分布特征，評估電路板的老化程度和潛在故障風險。例如，在檢測工業控制設備的電路板時，系統可以發現老化電容周圍的溫度明顯高于正常區域，提示需要及時更換電容，避免設備在運行過程中突然故障。鎖相熱成像系統放大電激勵下的微小溫度差異。低溫熱鎖相紅外熱成像系統原理

高靈敏度紅外相機（ mK 級），需滿足高幀率（至少為激勵頻率的 2 倍，遵循采樣定理）以捕捉周期性溫度變化。直銷鎖相紅外熱成像系統售價

OBIRCH與EMMI技術在集成電路失效分析領域中扮演著互補的角色，其主要差異體現在檢測原理及應用領域。具體而言，EMMI技術通過光子檢測手段來精確定位漏電或發光故障點，而OBIRCH技術則依賴于激光誘導電阻變化來識別短路或阻值異常區域。這兩種技術通常被整合于同一檢測系統（即PEM系統）中，其中EMMI技術在探測光子發射類缺陷，如漏電流方面表現出色，而OBIRCH技術則對金屬層遮蔽下的短路現象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術能夠有效檢測未開封芯片中的失效點，而OBIRCH技術則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。直銷鎖相紅外熱成像系統售價