鎖相熱成像系統的組件各司其職，共同保障了系統的高效運行?？烧{諧激光器作為重要的熱源，能夠提供穩定且可調節頻率的周期性熱激勵，以適應不同被測物體的特性；紅外熱像儀則如同 “眼睛”，負責采集物體表面的溫度場分布，其高分辨率確保了溫度信息的細致捕捉；鎖相放大器是系統的 “中樞處理器” 之一，專門用于從復雜的信號中提取與激勵同頻的相位信息，過濾掉無關噪聲；數據處理單元則對收集到的信息進行綜合處理和分析，**終生成清晰、直觀的缺陷圖像。這些組件相互配合、協同工作，每個環節的運作都不可或缺，共同確保了系統能夠實現高分辨率、高對比度的檢測效果，滿足各種高精度檢測需求。鎖相熱成像系統結合電激勵技術，可實現對電子元件工作狀態的實時監測，及時發現潛在的過熱或接觸不良問題。實時瞬態鎖相分析系統鎖相紅外熱成像系統P10

蘇州致晟光電科技有限公司自主研發的RTTLIT （實時瞬態鎖相熱分析系統），該技術的溫度靈敏度極高，部分型號甚至可達 0.0001℃，功率檢測限低至 1μW。這意味著它能夠捕捉到極其微弱的熱信號變化，哪怕是芯片內部極為微小的漏電或局部發熱缺陷都難以遁形。這種高靈敏度檢測能力在半導體器件、晶圓、集成電路等對精度要求極高的領域中具有無可比擬的優勢，能夠幫助工程師快速、準確地定位故障點，較大程度上的縮短了產品研發和故障排查的時間。實時成像鎖相紅外熱成像系統成像儀非接觸式檢測在不破壞樣品的情況下實現成像，適用于各種封裝狀態的樣品，包括未開封的芯片和PCBA。

致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能InSb（銦銻）探測器，用于中波紅外波段（3–5 μm）的熱輻射信號捕捉。InSb材料具有優異的光電轉換效率和極低的本征噪聲，在制冷條件下可實現高達nW級的熱靈敏度和優于20mK的溫度分辨率，適用于高精度、非接觸式熱成像分析。該探測器在熱紅外顯微系統中的應用，提升了空間分辨率（可達微米量級）與溫度響應線性度，使其能夠對半導體器件、微電子系統中的局部發熱缺陷、熱點遷移和瞬態熱行為進行精細刻畫。配合致晟光電自主開發的高數值孔徑光學系統與穩態熱控平臺，InSb探測器可在多物理場耦合背景下實現高時空分辨的熱場成像，是先進電子器件失效分析、電熱耦合行為研究及材料熱特性評價中的關鍵。

電子產業的電路板老化檢測中，電激勵的鎖相熱成像系統效果優異，為電子設備的維護和更換提供了科學依據，有效延長了設備的使用壽命。電路板在長期使用過程中，會因元件老化、線路氧化、灰塵積累等原因，導致性能下降，可能出現隱性缺陷，如電阻值漂移、電容漏電、線路接觸不良等。這些隱性缺陷在設備正常工作時可能不會立即顯現，但在負載變化或環境溫度波動時，可能會導致設備故障。通過對老化的電路板施加適當的電激勵，模擬設備的工作狀態，老化缺陷處會因性能參數的變化而產生與正常區域不同的溫度變化。鎖相熱成像系統能夠檢測到這些溫度變化，并通過分析溫度場的分布特征，評估電路板的老化程度和潛在故障風險。例如，在檢測工業控制設備的電路板時，系統可以發現老化電容周圍的溫度明顯高于正常區域，提示需要及時更換電容，避免設備在運行過程中突然故障。電激勵強度可控，保護鎖相熱成像系統檢測元件。

鎖相頻率越高，得到的空間分辨率則越高。然而，對于鎖相紅外熱成像系統來說，較高的頻率往往會降低待檢測的熱發射。這是許多 LIT系統的限制。RTTLIT系統通過提供一個獨特的系統架構克服了這一限制，在該架構中，可以在"無限"的時間內累積更高頻率的 LIT 數據。數據采集持續延長，數據分辨率提高。系統采集數據的時間越長，靈敏度越高。當試圖以極低的功率級采集數據或必須從弱故障模式中采集數據時，鎖相紅外熱成像RTTLIT系統的這一特點尤其有價值。鎖相熱成像系統的同步控制模塊需與電激勵源保持高度協同，極小的同步誤差都可能導致檢測圖像出現相位偏移。半導體失效分析鎖相紅外熱成像系統分析

鎖相熱成像系統讓電激勵檢測效率大幅提升。實時瞬態鎖相分析系統鎖相紅外熱成像系統P10

電激勵參數的實時監控對于鎖相熱成像系統在電子產業檢測中的準確性至關重要，是保障檢測結果可靠性的關鍵環節。在電子元件檢測過程中，電激勵的電流大小、頻率穩定性等參數可能會受到電網波動、環境溫度變化等因素的影響而發生微小波動，這些波動看似細微，卻可能對檢測結果產生干擾，尤其是對于高精度電子元件的檢測。通過實時監控系統對電激勵參數進行持續監測，并將監測數據實時反饋給控制系統，可及時調整激勵源的輸出，確保電流、頻率等參數始終穩定在預設范圍內。例如，在檢測高精度 ADC（模數轉換）芯片時，其內部電路對電激勵的變化極為敏感，即使是 0.1% 的電流波動，也可能導致芯片內部溫度分布出現異常，干擾對真實缺陷的判斷。而實時監控系統能將參數波動控制在 0.01% 以內，有效保障了檢測的準確性，為電子元件的質量檢測提供了穩定可靠的技術環境。實時瞬態鎖相分析系統鎖相紅外熱成像系統P10