熱紅外顯微鏡能高效檢測微尺度半導(dǎo)體電路及MEMS器件的熱問題。在電路檢測方面，這套熱成像顯微鏡可用于電路板失效分析，且配備了電路板檢測用軟件包“模型比較”，能識別缺陷元件；同時還可搭載“缺陷尋找”軟件模塊，專門探測不易發(fā)現(xiàn)的短路問題并定位短路點。在MEMS研發(fā)領(lǐng)域，空間溫度分布與熱響應(yīng)時間是微反應(yīng)器、微型熱交換器、微驅(qū)動器、微傳感器等MEMS器件的關(guān)鍵參數(shù)。目前，非接觸式測量MEMS器件溫度的方法仍存在局限，而紅外成像顯微鏡可提供20微米空間分辨率的熱分布圖像，是迄今為止測量MEMS器件熱分布的高效工具。
熱紅外顯微鏡在 SiC/GaN 功率器件檢測中，量化評估襯底界面熱阻分布。低溫?zé)釤峒t外顯微鏡用戶體驗

致晟光電自主研發(fā)的熱紅外顯微鏡 Thermal EMMI P系列，是電子工業(yè)中不可或缺的精密檢測工具，在半導(dǎo)體芯片、先進(jìn)封裝技術(shù)、功率電子器件以及印刷電路板（PCB）等領(lǐng)域的失效分析中發(fā)揮著舉足輕重的作用。

該設(shè)備搭載——實時瞬態(tài)鎖相紅外熱分析（RTTLIT）系統(tǒng)，并集成高靈敏度紅外相機(jī)、多倍率可選顯微鏡鏡頭、精確高低壓源表等技術(shù)組件，賦予其三大特性：超凡靈敏度與亞微米級檢測精度，可捕捉微弱熱信號與光子發(fā)射；高精度溫度測量能力（鎖相靈敏度達(dá)0.001℃），支持動態(tài)功耗分析；無損故障定位特性，無需破壞器件即可鎖定短路、開路等缺陷。憑借技術(shù)集成優(yōu)勢，ThermaEMMIP系列不僅能快速定位故障點，更能通過失效分析優(yōu)化產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性，為半導(dǎo)體制造、先進(jìn)封裝及電子器件研發(fā)提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。 紅外光譜熱紅外顯微鏡方案設(shè)計定位芯片內(nèi)部微短路、漏電、焊點虛接等導(dǎo)致的熱異常點。

非破壞性分析（NDA）以非侵入方式分析樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)和性能，無需切割、拆解或化學(xué)處理，能保留樣品完整性，為后續(xù)研究留有余地，在高精度、高成本的半導(dǎo)體領(lǐng)域作用突出。

無損分析，通過捕捉樣品自身紅外熱輻射成像，全程無接觸，無需對晶圓、芯片等進(jìn)行破壞性處理。在半導(dǎo)體制造中，可識別晶圓晶體缺陷；封裝階段，能檢測焊接點完整性或封裝層粘結(jié)質(zhì)量；失效分析時，可定位內(nèi)部短路或斷裂區(qū)域的隱性熱信號，為根源分析提供依據(jù)，完美適配半導(dǎo)體行業(yè)對高價值樣品的保護(hù)需求。

在選擇 EMMI 微光顯微鏡時，需綜合考量應(yīng)用需求、預(yù)算、技術(shù)參數(shù)及售后服務(wù)等因素。首先明確具體應(yīng)用場景，例如 LED 檢測可能需要特定波長范圍，而集成電路分析則對分辨率要求更高。預(yù)算方面，進(jìn)口設(shè)備系列價格昂貴，但成立年限長、有品牌加持。而選擇國產(chǎn)設(shè)備——如致晟光電自主全國產(chǎn)研發(fā)的RTTLIT 實時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)在性價比方面更好，且在靈敏度和各種參數(shù)功能上已接近進(jìn)口水平，尤其在垂直芯片等場景中表現(xiàn)穩(wěn)定，適合預(yù)算有限的常規(guī)檢測。
國產(chǎn)熱紅外顯微鏡憑借自主研發(fā)軟件，具備時域重構(gòu)等功能，提升檢測效率。

致晟光電——熱紅外顯微鏡在信號調(diào)制技術(shù)上的優(yōu)化升級，以多頻率調(diào)制為突破點，構(gòu)建了更精細(xì)的微觀熱信號解析體系。其通過精密算法控制電信號的頻率切換與幅度調(diào)節(jié)，使不同深度、不同材質(zhì)的樣品區(qū)域產(chǎn)生差異化熱響應(yīng) —— 高頻信號可捕捉表層微米級熱點，低頻信號則能穿透材料識別內(nèi)部隱性感熱缺陷，形成多維度熱特征圖譜。

這種動態(tài)調(diào)制方式，不僅將特征分辨率提升至納米級，更通過頻率匹配過濾環(huán)境噪聲與背景干擾，使檢測靈敏度較傳統(tǒng)單頻調(diào)制提高 3-5 倍，即使是 0.1mK 的微小溫度波動也能被捕捉。 熱紅外顯微鏡助力科研人員研究新型材料的熱穩(wěn)定性與熱性能 。廠家熱紅外顯微鏡內(nèi)容

熱紅外顯微鏡對電子元件進(jìn)行無損熱檢測，保障元件完整性 。低溫?zé)釤峒t外顯微鏡用戶體驗

非制冷熱紅外顯微鏡基于微測輻射熱計，無需低溫制冷裝置，具有功耗低、維護(hù)成本低等特點，適合長時間動態(tài)監(jiān)測。其通過鎖相熱成像等技術(shù)優(yōu)化后，雖靈敏度（通常 0.01-0.1℃）和分辨率（普遍 5-20μm）略遜于制冷型，但性價比更高，。與制冷型對比，非制冷型無需制冷耗材，適合 PCB、PCBA 等常規(guī)電子元件失效分析；而制冷型（如 RTTLIT P20）靈敏度達(dá) 0.1mK、分辨率低至 2μm，價格高，多用于半導(dǎo)體晶圓等檢測。非制冷熱紅外顯微鏡在中低端工業(yè)檢測領(lǐng)域應(yīng)用較多。低溫?zé)釤峒t外顯微鏡用戶體驗