致晟光電始終以客戶需求為重心，兼顧貨源保障方面。目前，我們有現貨儲備，設備及相關配件一應俱全，能夠快速響應不同行業、不同規模客戶的采購需求。無論是緊急補購的小型訂單，還是批量采購的大型項目，都能憑借充足的貨源實現高效交付，讓您無需為設備短缺而擔憂，確保生產計劃或項目推進不受影響。

為了讓客戶對設備品質有更直觀的了解，我們大力支持現場驗貨。您可以親臨我們的倉庫或展示區，近距離觀察設備的外觀細節，親身操作查驗設備的運行性能、精度等關鍵指標。每一臺設備都經過嚴格的出廠檢測，我們敢于將品質擺在您眼前，讓您在采購前就能對設備的實際狀況了然于胸，消除后顧之憂。 針對接面漏電，我司微光顯微鏡能偵測其光子定位位置，利于篩選不良品，為改進半導體制造工藝提供數據。實時成像微光顯微鏡備件

失效分析是指通過系統的檢測、實驗和分析手段，探究產品或器件在設計、生產、使用過程中出現故障、性能異常或失效的根本原因，進而提出改進措施以預防同類問題再次發生的技術過程。它是連接產品問題與解決方案的關鍵環節，**在于精細定位失效根源，而非*關注表面現象。在半導體行業，失效分析具有不可替代的應用價值，貫穿于芯片從研發到量產的全生命周期。

在研發階段，針對原型芯片的失效問題（如邏輯錯誤、漏電、功耗過高等），通過微光顯微鏡、探針臺等設備進行失效點定位，結合電路仿真、材料分析等手段，可追溯至設計缺陷（如布局不合理、時序錯誤）或工藝參數偏差，為芯片設計優化提供直接依據；在量產環節，當出現批量性失效時，失效分析能快速判斷是光刻、蝕刻等制程工藝的穩定性問題，還是原材料（如晶圓、光刻膠）的質量波動，幫助生產線及時調整參數，降低報廢率；在應用端，針對芯片在終端設備（如手機、汽車電子）中出現的可靠性失效（如高溫環境下性能衰減、長期使用后的老化失效），通過環境模擬測試、失效機理分析，可推動芯片在封裝設計、材料選擇上的改進，提升產品在復雜工況下的穩定性。 直銷微光顯微鏡售價我司自研含微光顯微鏡等設備，獲多所高校、科研院所及企業認可使用，性能佳，廣受贊譽。

在故障分析領域，微光顯微鏡（EmissionMicroscope,EMMI）是一種極具實用價值且效率出眾的分析工具。其功能是探測集成電路（IC）內部釋放的光子。在IC元件中，電子-空穴對（ElectronHolePairs,EHP）的復合過程會伴隨光子（Photon）的釋放。具體可舉例說明：當P-N結施加偏壓時，N區的電子會向P區擴散，同時P區的空穴也會向N區擴散，隨后這些擴散的載流子會與對應區域的載流子（即擴散至P區的電子與P區的空穴、擴散至N區的空穴與N區的電子）發生EHP復合，并在此過程中釋放光子。

為了讓客戶對設備品質有更直觀的了解，我們大力支持現場驗貨。您可以親臨我們的實驗室，近距離觀察設備的外觀細節，親身操作查驗設備的運行性能、精度等關鍵指標。每一臺設備都經過嚴格的出廠檢測，我們敢于將品質擺在您眼前，讓您在采購前就能對設備的實際狀況了然于胸，消除后顧之憂。一位來自汽車零部件廠商的客戶分享道：“之前采購設備總擔心實際性能和描述有差距，在致晟光電現場驗貨時，工作人員耐心陪同我們測試，設備的精度和穩定性都超出預期，這下采購心里踏實多了?！痹诔瑢酒瑱z測中，可捕捉超導態向正常態轉變時的異常發光，助力超導器件的性能優化。

我司專注于微弱信號處理技術的深度開發與場景化應用，憑借深厚的技術積累，已成功推出多系列失效分析檢測設備及智能化解決方案。更懂本土半導體產業的需求，軟件界面貼合工程師操作習慣，無需額外適配成本即可快速融入產線流程。

性價比優勢直擊痛點：相比進口設備，采購成本降低 30% 以上，且本土化售后團隊實現 24 小時響應、48 小時現場維護，備件供應周期縮短至 1 周內，徹底擺脫進口設備 “維護慢、成本高” 的困境。用國產微光顯微鏡，為芯片質量把關，讓失效分析更高效、更經濟、更可控！ 配備的自動對焦系統，能快速鎖定檢測區域，減少人工操作時間，提高檢測效率。制造微光顯微鏡與光學顯微鏡對比

微光顯微鏡可搭配偏振光附件，分析樣品的偏振特性，為判斷晶體缺陷方向提供獨特依據，豐富檢測維度。實時成像微光顯微鏡備件

可探測到亮點的情況

一、由缺陷導致的亮點結漏電（Junction Leakage）接觸毛刺（Contact Spiking）熱電子效應（Hot Electrons）閂鎖效應（Latch-Up）氧化層漏電（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶須（Poly-silicon Filaments）襯底損傷（Substrate Damage）物理損傷（Mechanical Damage）等。

二、器件本身固有的亮點飽和 / 有源狀態的雙極晶體管（Saturated/Active Bipolar Transistors）飽和狀態的 MOS 管 / 動態 CMOS（Saturated MOS/Dynamic CMOS）正向偏置二極管 / 反向偏置二極管（擊穿狀態）（Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown)）等。 實時成像微光顯微鏡備件