在失效分析的有損分析中，打開封裝是常見操作，通常有三種方法。全剝離法會將集成電路完全損壞，留下完整的芯片內部電路。但這種方法會破壞內部電路和引線，導致無法進行電動態分析，適用于需觀察內部電路靜態結構的場景。局部去除法通過特定手段去除部分封裝，優點是開封過程不會損壞內部電路和引線，開封后仍可進行電動態分析，能為失效分析提供更豐富的動態數據。自動法則是利用硫酸噴射實現局部去除，自動化操作可提高效率和精度，不過同樣屬于破壞性處理，會對樣品造成一定程度的損傷。

熱紅外顯微鏡能透過硅片或封裝材料，對半導體芯片內部熱缺陷進行非接觸式檢測。科研用熱紅外顯微鏡成像儀

無損熱紅外顯微鏡的非破壞性分析（NDA）技術，為失效分析提供了 “保全樣品” 的重要手段。它在不損傷高價值樣品的前提下，捕捉隱性熱信號以定位內部缺陷，既保障了分析的準確性，又為后續驗證、復盤保留了完整樣本，讓失效分析從 “找到問題” 到 “解決問題” 的閉環更高效、更可靠。

相較于無損熱紅外顯微鏡的非侵入式檢測，這些有損分析方法雖能獲取內部結構信息，但會破壞樣品完整性，更適合無需保留樣品的分析場景，與無損分析形成互補。 檢測用熱紅外顯微鏡廠家電話熱紅外顯微鏡憑借≤0.001℃的溫度分辨率，助力復雜半導體失效分析 。

熱紅外顯微鏡和紅外顯微鏡并非同一事物，二者是包含與被包含的關系。紅外顯微鏡是個廣義概念，涵蓋利用0.75-1000微米紅外光進行分析的設備，依波長分近、中、遠紅外等，通過樣品對紅外光的吸收、反射等特性分析化學成分，比如識別材料中的官能團，應用于材料科學、生物學等領域。而熱紅外顯微鏡是其分支，專注7-14微米的熱紅外波段，無需外部光源，直接探測樣品自身的熱輻射，依據黑體輻射定律生成溫度分布圖像，主要用于研究溫度分布與熱特性，像定位電子芯片的熱點、分析復合材料熱傳導均勻性等。前者側重成分分析，后者聚焦熱特性研究。

熱紅外顯微鏡與光學顯微鏡雖同屬微觀觀測工具，但在原理、功能與應用場景上存在明顯差異，尤其在失效分析等專業領域各有側重。

從工作原理看，光學顯微鏡利用可見光（400-760nm 波長）的反射或透射成像，通過放大樣品的物理形態（如結構、顏色、紋理）呈現細節，其主要是捕捉 “可見形態特征”；而熱紅外顯微鏡則聚焦 3-10μm 波長的紅外熱輻射，通過檢測樣品自身發射的熱量差異生成熱分布圖，本質是捕捉 “不可見的熱信號”。

在主要功能上，光學顯微鏡擅長觀察樣品的表面形貌、結構缺陷（如裂紋、變形），適合材料微觀結構分析、生物樣本觀察等；熱紅外顯微鏡則專注于微觀熱行為解析，能識別因電路缺陷、材料熱導差異等產生的溫度異常，即使是納米級的微小熱點（如半導體芯片的漏電區域）也能精確捕捉，這是光學顯微鏡無法實現的。

從適用場景來看，光學顯微鏡是通用型觀測工具，廣泛應用于基礎科研、教學等領域；而熱紅外顯微鏡更偏向專業細分場景，尤其在半導體失效分析中，可定位短路、虛焊等隱性缺陷引發的熱異常，在新材料研發中能分析不同組分的熱傳導特性，為解決 “熱相關問題” 提供關鍵依據。 熱紅外顯微鏡助力科研人員研究新型材料的熱穩定性與熱性能 。

除了熱輻射，電子設備在出現故障或異常時，還可能伴隨微弱的光發射增強。熱紅外顯微鏡搭載高靈敏度的光學探測器，如光電倍增管（PMT）或電荷耦合器件（CCD），能夠有效捕捉這些低強度的光信號。這類光發射通常源自電子在半導體材料中發生的能級躍遷、載流子復合或其他物理過程。通過對光發射信號的成像和分析，熱紅外顯微鏡不僅能夠進一步驗證熱點區域的存在，還可輔助判斷異常的具體機制，為故障定位和性能評估提供更精確的信息。熱紅外顯微鏡在 3D 封裝檢測中，通過熱傳導分析確定內部失效層 。制冷熱紅外顯微鏡規格尺寸

熱紅外顯微鏡結合多模態檢測（THERMAL/EMMI/OBIRCH），實現熱 - 電信號協同分析定位復合缺陷。科研用熱紅外顯微鏡成像儀

RTTLIT P10 熱紅外顯微鏡在光學配置上的靈活性，可通過多種可選物鏡得以充分體現，為不同尺度、不同場景的熱分析需求提供精細適配。

Micro 廣角鏡頭擅長捕捉大視野范圍的整體熱分布，適合快速定位樣品宏觀熱異常區域，如整片晶圓的整體散熱趨勢觀測；0.2X 鏡頭在保持一定視野的同時提升細節捕捉能力，可用于中等尺寸器件（如傳感器模組）的熱行為分析，平衡效率與精度；0.4X 鏡頭進一步聚焦局部，能清晰呈現芯片封裝級的熱分布特征，助力排查封裝缺陷導致的散熱不均問題；1X 與 3X 鏡頭則聚焦微觀尺度，1X 鏡頭可解析芯片內部功能模塊的熱交互，3X 鏡頭更是能深入到微米級結構（如晶體管陣列、引線鍵合點），捕捉納米級熱點的細微溫度波動。

科研用熱紅外顯微鏡成像儀

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