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D/A轉(zhuǎn)換器的主要部件是電阻開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)，通常是由輸入的二進(jìn)制數(shù)的各位控制一些開(kāi)關(guān)，通過(guò)電阻網(wǎng)絡(luò)，在運(yùn)算放大器的輸入端產(chǎn)生與二進(jìn)制數(shù)各位的權(quán)成比例的電流，這些電流經(jīng)過(guò)運(yùn)算放大器相加和轉(zhuǎn)換而成為與二進(jìn)制數(shù)成比例的模擬電壓。D/A轉(zhuǎn)換的原理電路如概述圖圖5-1所示，是...

3、按器件與電路板互連方式:引腳插入型(PTH)和表面貼裝型(SMT)4、按引腳分布形態(tài):單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳和底部引腳；SMT器件有L型、J型、I型的金屬引腳。SIP :單列式封裝 SQP:小型化封裝 MCP:金屬罐式封裝 DIP:雙列式封裝 CSP...

輸入時(shí)其輸出值與理想輸出值(滿量程)之間的偏差表示，一般也用LSB的份數(shù)或用偏差值相對(duì)滿量程的百分?jǐn)?shù)來(lái)表示。非線性誤差D/A轉(zhuǎn)換器的非線性誤差定義為實(shí)際轉(zhuǎn)換特性曲線與理想特性曲線之間的比較大偏差，并以該偏差相對(duì)于滿量程的百分?jǐn)?shù)度量。在轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì)中，一般要求...

極大規(guī)模集成電路（ULSI英文全名為Ultra Large Scale Integration）邏輯門10,001~1M個(gè)或 晶體管100,001~10M個(gè)。GLSI（英文全名為Giga Scale Integration）邏輯門1,000,001個(gè)以上或晶體...

IC由很多重疊的層組成，每層由視頻技術(shù)定義，通常用不同的顏色表示。一些層標(biāo)明在哪里不同的摻雜劑擴(kuò)散進(jìn)基層（成為擴(kuò)散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導(dǎo)體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導(dǎo)層之間的連接（過(guò)孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合...

五、按用途分類：集成電路按用途可分為電視機(jī)用集成電路、音響用集成電路、影碟機(jī)用集成電路、錄像機(jī)用集成電路、電腦(微機(jī))用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機(jī)用集成電路、遙控集成電路、語(yǔ)言集成電路、報(bào)警器用集成電路及各種**集成電路。集成電路（IC...

1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司——首鋼NEC電子有限公司。1992年，上海飛利浦公司建成了我國(guó)***條5英寸線。1993年，***塊256K DRAM在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司試制成功。1994年，首鋼日電公司建成了我國(guó)***條6英寸線。...

據(jù)流傳的資料顯示，這項(xiàng)計(jì)劃包括EDA設(shè)計(jì)、材料、材料的生產(chǎn)制造、工藝、設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體制造、芯片封測(cè)等在內(nèi)的各個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體技術(shù)的***自主可控。 [10]外媒聲音1、日本《日經(jīng)亞洲評(píng)論》8月12日文章稱，中國(guó)招聘了100多名前臺(tái)積電工程師以力爭(zhēng)...

1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司——首鋼NEC電子有限公司。1992年，上海飛利浦公司建成了我國(guó)***條5英寸線。1993年，***塊256K DRAM在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司試制成功。1994年，首鋼日電公司建成了我國(guó)***條6英寸線。...

工作溫度范圍一般情況下，影響D/A轉(zhuǎn)換精度的主要環(huán)境和工作條件因素是溫度和電源電壓變化。由于工作溫度會(huì)對(duì)運(yùn)算放大器加權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)等產(chǎn)生影響，所以只有在一定的工作范圍內(nèi)才能保證額定精度指標(biāo)。較好的D/A轉(zhuǎn)換器的工作溫度范圍在-40℃～85℃之間，較差的D/A轉(zhuǎn)換器...

當(dāng)D1單獨(dú)作用時(shí)，T型電阻網(wǎng)絡(luò)如圖9-5中的圖(a)所示，其d點(diǎn)左下電路的戴維寧等效如圖9-5中的圖(b)所示。同理，D2單獨(dú)作用時(shí)d點(diǎn)左下電路的戴維寧等效電源如圖9-5中的圖(c)所示；D3單獨(dú)作用時(shí)d點(diǎn)左下電路的戴維南等效電源如圖9-5中的圖(d)所示。故...

一、根據(jù)一個(gè)芯片上集成的微電子器件的數(shù)量，集成電路可以分為以下幾類：小型集成電路（SSI英文全名為Small Scale Integration）邏輯門10個(gè)以下或 晶體管100個(gè)以下。中型集成電路（MSI英文全名為Medium Scale Integrati...

晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1 [2]所示。首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機(jī)里面。光線透過(guò)一個(gè)掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實(shí)現(xiàn)曝光，激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)。對(duì)曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤，即所謂的曝光...

這種轉(zhuǎn)換器的基本原理是把輸入的模擬信號(hào)按規(guī)定的時(shí)間間隔采樣，并與一系列標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字信號(hào)相比較，數(shù)字信號(hào)逐次收斂，直至兩種信號(hào)相等為止。然后顯示出**此信號(hào)的二進(jìn)制數(shù)，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器有很多種，如直接的、間接的、高速高精度的、超高速的等。每種又有許多形式。同模擬數(shù)字...

IC芯片(Integrated Circuit Chip)是將大量的微電子元器件（晶體管、電阻、電容等）形成的集成電路放在一塊塑基上，做成一塊芯片。IC芯片包含晶圓芯片和封裝芯片，相應(yīng) IC 芯片生產(chǎn)線由晶圓生產(chǎn)線和封裝生產(chǎn)線兩部分組成。集成電路（integr...

D/A轉(zhuǎn)換器的主要特性指標(biāo)包括以下幾方面：分辨率指**小輸出電壓(對(duì)應(yīng)的輸入數(shù)字量只有比較低有效位為“1”)與比較大輸出電壓(對(duì)應(yīng)的輸入數(shù)字量所有有效位全為“1”)之比。如N位D/A轉(zhuǎn)換器，其分辨率為1/(2^N-1)。在實(shí)際使用中，表示分辨率大小的方法也用輸...

模擬集成電路有，例如傳感器、電源控制電路和運(yùn)放，處理模擬信號(hào)。完成放大、濾波、解調(diào)、混頻的功能等。通過(guò)使用**所設(shè)計(jì)、具有良好特性的模擬集成電路，減輕了電路設(shè)計(jì)師的重?fù)?dān)，不需凡事再由基礎(chǔ)的一個(gè)個(gè)晶體管處設(shè)計(jì)起。集成電路可以把模擬和數(shù)字電路集成在一個(gè)單芯片上，以...

總之，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標(biāo)改善了，單位成本和開(kāi)關(guān)功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級(jí)別設(shè)備的IC也存在問(wèn)題，主要是泄漏電流。因此，對(duì)于**終用戶的速度和功率消耗增加非常明顯，制造商面臨改進(jìn)芯片結(jié)構(gòu)的尖銳挑戰(zhàn)。這個(gè)過(guò)程和在未來(lái)幾年所期望的進(jìn)步，在...

外觀檢測(cè)的方法有三種：一是傳統(tǒng)的手工檢測(cè)方法，主要靠目測(cè)，手工分檢，可靠性不高，檢測(cè)效率較低，勞動(dòng)強(qiáng)度大，檢測(cè)缺陷有疏漏，無(wú)法適應(yīng)大批量生產(chǎn)制造；二是基于激光測(cè)量技術(shù)的檢測(cè)方法，該方法對(duì)設(shè)備的硬件要求較高，成本相應(yīng)較高，設(shè)備故障率高，維護(hù)較為困難；三是基于機(jī)器...

數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換（digital-to-analog conversion、D/A轉(zhuǎn)換器）是計(jì)算機(jī)采集控制系統(tǒng)與模擬量控制對(duì)象之間緊密聯(lián)系的橋梁。D/A轉(zhuǎn)換器的作用是將離散的數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為連續(xù)變化的模擬信號(hào)； [1]一個(gè)常見(jiàn)的例子就是以下的這個(gè)處理過(guò)程：通過(guò)調(diào)制解...

據(jù)流傳的資料顯示，這項(xiàng)計(jì)劃包括EDA設(shè)計(jì)、材料、材料的生產(chǎn)制造、工藝、設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體制造、芯片封測(cè)等在內(nèi)的各個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體技術(shù)的***自主可控。 [10]外媒聲音1、日本《日經(jīng)亞洲評(píng)論》8月12日文章稱，中國(guó)招聘了100多名前臺(tái)積電工程師以力爭(zhēng)...

輸入時(shí)其輸出值與理想輸出值(滿量程)之間的偏差表示，一般也用LSB的份數(shù)或用偏差值相對(duì)滿量程的百分?jǐn)?shù)來(lái)表示。非線性誤差D/A轉(zhuǎn)換器的非線性誤差定義為實(shí)際轉(zhuǎn)換特性曲線與理想特性曲線之間的比較大偏差，并以該偏差相對(duì)于滿量程的百分?jǐn)?shù)度量。在轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì)中，一般要求...

封裝----指出產(chǎn)品的封裝和管腳數(shù)有些IC型號(hào)還會(huì)有其它內(nèi)容:速率----如memory，MCU，DSP，F(xiàn)PGA 等產(chǎn)品都有速率區(qū)別，如-5，-6之類數(shù)字表示。工藝結(jié)構(gòu)----如通用數(shù)字IC有COMS和TL兩種，常用字母C，T來(lái)表示。是否環(huán)保-----一般在...

74系列是標(biāo)準(zhǔn)的TTL邏輯器件的通用名稱，例如74LS00、74LS02等等，單從74來(lái)看看不出是什么公司的產(chǎn)品。不同公司會(huì)在74前面加前綴，例如SN74LS00等。相關(guān)拓展一個(gè)完整的IC型號(hào)一般都至少必須包含以下四個(gè)部分:前綴（首標(biāo)）-----很多可以推測(cè)是...

晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1 [2]所示。首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機(jī)里面。光線透過(guò)一個(gè)掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實(shí)現(xiàn)曝光，激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)。對(duì)曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤，即所謂的曝光...

集成電路的分類方法很多，依照電路屬模擬或數(shù)字，可以分為：模擬集成電路、數(shù)字集成電路和混合信號(hào)集成電路（模擬和數(shù)字在一個(gè)芯片上）。數(shù)字集成電路可以包含任何東西，在幾平方毫米上有從幾千到百萬(wàn)的邏輯門、觸發(fā)器、多任務(wù)器和其他電路。這些電路的小尺寸使得與板級(jí)集成相比，...

一些早期的轉(zhuǎn)換器的響應(yīng)類型呈對(duì)數(shù)關(guān)系，由此來(lái)執(zhí)行A-law算法或μ-law算法編碼。誤差模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器的誤差有若干種來(lái)源。量化錯(cuò)誤和非線性誤差（假設(shè)這個(gè)模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器標(biāo)稱具有線性特征）是任何模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換中都存在的內(nèi)在誤差。也有一種被稱作孔徑錯(cuò)誤（apertur...

IC由很多重疊的層組成，每層由視頻技術(shù)定義，通常用不同的顏色表示。一些層標(biāo)明在哪里不同的摻雜劑擴(kuò)散進(jìn)基層（成為擴(kuò)散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導(dǎo)體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導(dǎo)層之間的連接（過(guò)孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合...

這種轉(zhuǎn)換器的基本原理是把輸入的模擬信號(hào)按規(guī)定的時(shí)間間隔采樣，并與一系列標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字信號(hào)相比較，數(shù)字信號(hào)逐次收斂，直至兩種信號(hào)相等為止。然后顯示出**此信號(hào)的二進(jìn)制數(shù)，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器有很多種，如直接的、間接的、高速高精度的、超高速的等。每種又有許多形式。同模擬數(shù)字...

球柵數(shù)組封裝封裝從20世紀(jì)70年代開(kāi)始出現(xiàn)，90年***發(fā)了比其他封裝有更多管腳數(shù)的覆晶球柵數(shù)組封裝封裝。在FCBGA封裝中，晶片（die）被上下翻轉(zhuǎn)（flipped）安裝，通過(guò)與PCB相似的基層而不是線與封裝上的焊球連接。FCBGA封裝使得輸入輸出信號(hào)陣列（...