快恢復二極管是極有發展前景的電力、電子半導體器件。性能特點1）反向恢復時間反向恢復時間trr的概念是：電流通過零點由正向變換到規定低值的時間間距。它是衡量高頻續流及整流器件性能的主要技術指標。IF為正向電流，IRM為反向回復電流。Irr為反向回復電流，當t≤t0時，正向電流I=IF。當t＞t0時，由于整流器件上的正向電壓忽然變為反向電壓，因此正向電流很快下降，在t=t1時刻，I=0。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR日漸增大；在t=t2日子達到反向回復電流IRM值。此后受正向電壓的效用，反向電流日趨減少，并在t=t3日子達到規定值Irr。從t2到t3的反向恢復過程與電容器放電過程有相像之處。2）快回復、超快恢復二極管的結構特點快恢復二極管的內部構造與平常二極管不同，它是在P型、N型硅材質中間增加了基區I，組成P-I-N硅片。由于基區很薄，反向回復電荷很小，減少了trr值，還下降了瞬態正向壓降，使管子能經受很高的反向工作電壓。快回復二極管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極管的反向恢復電荷更進一步減少，使其trr可低至幾十納秒。封裝技術是功率半導體突破的關鍵！江西快恢復二極管MURB1560

   應用場合以及選用時應注意的問題等供廣大使用者參考。2.快恢復二極管模塊工藝結構和特點圖1超快恢復二極管模塊內部電路連接圖本模塊是由二個或二個以上的FRED芯片按一定的電路(見圖1)連成后共同封裝在一個PPS(加有40%的玻璃纖維)外殼內制成，模塊分絕緣型(模塊銅底板對各主要電極的絕緣耐壓Uiso≥)和非絕緣型二種，其特點(1)采用高、低溫氫(H2)、氮(N2)混合氣體保護的隧道爐和熱板爐二次焊接工藝，使焊接溫度、焊接時間和傳送帶速度之間有較好的匹配，并精確控制升溫速度、恒溫時同和冷卻速度，使焊層牢固，幾乎沒有空洞，從而降低了模塊熱阻、保證模塊出力，根據模塊電流的大小，采用直接焊接或鋁絲超聲鍵合等方法引出電極，用RTV橡膠、及組份彈性硅凝膠和環氧樹脂等三重保護，又加采用玻璃鈍化保護的、不同結構的進口FRED芯片，使模塊防潮、防震，工作穩定。(2)銅底板預彎技術：模塊采用了高導熱、高絕緣、機械強度高和易焊接，且熱膨脹系數很接近硅芯片的氮化鋁陶瓷覆銅板(ALNDBC板)，使焊接后各材料內應力低，熱阻小，并避免了芯片因應力而破裂。為了解決銅底板與DBC板間的焊接問題，除采用銅銀合金外。并在焊接前對銅底板進行一定弧度的預彎。如圖2(a)，焊后如圖2(b)。江西快恢復二極管MURB1560MUR1640CD是什么類型的管子？

二極管質量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業內使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結構，其芯片P-N結是在鈍化玻璃的保護之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結構，其芯片P-N結是在涂膠的保護之下。采用涂膠保護結，然后在200度左右溫度進行固化，保護P-N結獲得電壓。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結構的不同，當有外力產生時，冷熱沖擊，OJ工藝結構的二極管，由于保護膠和硅片不貼合，會產生漏氣，導致器件出現一定比率的失效。GPP工藝結構的TVS二極管，可靠性很高，

快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，后者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復時間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。 這兩種管子通常用于開關電源。MUR3020CS是什么類型的管子？

   快恢復二極管的總功率損耗與正向通態壓降VF，通態電流IF，反向電壓VR,反向漏電流IR，正向過沖電壓Vfp，反向恢復漏電流峰值Irp。以及反向電流下降時間tb等有關。盡管如此，對于給定的快恢復二極管應用，通態電流和反向電壓通常應用電路決定的，只要不超過額定使用條件即可。然而在給定的IF和VR條件下的VF，IR，Vrp，Irp和tb等二極管的特性卻是由所使用的快恢復二極管本身的性能決定的。我們能通過算式5清楚地看到，上述任何一個參數的升高都將導致功率損耗的増加。相反地，如果我們能夠降低其中的某些參數值，則可以降低功率損耗，在所有的功率損耗中，通態損耗所占比例，因此降低通態損耗是降低總功率損耗的主要路徑和方法。而對于通態損耗來講，正向電流由應用條件和額定決定，為恒定值，占空比也由應用條件決定，由算式1可以清楚地看到降低正向壓降是降低功率損耗的主要途徑。而正向壓降正是快恢復二極管本身的性能能力決定的。所以選擇低功耗二極管主要的要看在同等條件下的正向壓降。壓降越低的，其功耗也越低。MUR2080CT二極管的主要參數。上海快恢復二極管MUR1660CA

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   有一種二極管叫做SONIC二極管，其反向回復時間較為長，約～μs，軟度因子在。在制造中除了使用平面結終止結構，玻璃鈍化并有硅橡膠保護外，還使用了從硅片背面開展深擴散磷和控制軸向壽命抑制因素，使迅速二極管的反向恢復電流衰減較慢，具反向“軟恢復”特點，防范在高頻應用時在硬關斷過程中產生過高的反向尖峰電壓，維護了開關器件及其二極管自身。該二極管在整個工作溫度范圍內性能安定，并且對于溫度的變化正向電壓降的變化可以忽視不計。該二極管是為高頻應用設計的，在高頻應用時安定確實。新的迅速軟恢復二極管——SONIC二極管系列克服了這些缺陷，它們的優點為：1．并聯二極管工作時正向電壓降Vf與溫度無關；2．阻斷電壓平穩，漏電流比摻金和鉑的小；3．迅速軟恢復二極管在高溫下反向漏電流從25℃到125℃比摻鉑FRED少50%。SONIC二極管使用磷深擴散和軸向壽命抑制因素，電壓從600V至1800V，如圖3所示。在硼中受控的軸向壽命抑制因素用來支配區域1中空穴的發射效率。區域2所示的軟N區為軟恢復提供了額外電荷。空穴的較低的發射效率使得器件的正向電壓降對溫度不太敏感，這有利二極管并聯工作，并且在高溫時開關損耗很小。運用電子輻照作為外加的規范壽命抑制因素。江西快恢復二極管MURB1560