二極管的軟度可以獲取更進(jìn)一步操縱。圖3SONIC軟恢復(fù)二極管的壽命控制該二極管回復(fù)波形異常的平滑從未振蕩，所以電磁擾亂EMI值十分低。這種軟恢復(fù)二極管不僅引致開(kāi)關(guān)損失縮減，而且容許除去二極管的并聯(lián)RC緩沖器。使用軸向壽命抑制因素可以取得較佳性能的二極管。電力電子學(xué)中的功率開(kāi)關(guān)器件（IGBT、MOSFET、BJT、GTO）總是和迅速二極管相并聯(lián)，在增加開(kāi)關(guān)頻率時(shí)，除傳導(dǎo)損耗以外，功率開(kāi)關(guān)的固有的功用和效率均由二極管的反向恢復(fù)屬性決定（由圖2的Qrr,IRM和Irr特點(diǎn)表示）。所以對(duì)二極管要求正向瞬態(tài)壓降小，反向回復(fù)時(shí)間斷，反向回復(fù)電荷少，并且具備軟恢復(fù)特點(diǎn)。反向峰值電流IRM是另一個(gè)十分關(guān)鍵的屬性。反向電流衰變的斜率dirr/dt由芯片的工藝技術(shù)和擴(kuò)散參數(shù)決定。在電路中，這個(gè)電流斜率與寄生電感有關(guān)，例如連接引線，引起過(guò)電壓尖峰和高頻干擾電壓。dirr/dt越高（“硬回復(fù)”屬性），二極管和并聯(lián)的開(kāi)關(guān)上產(chǎn)生的附加電壓越高。反向電流的緩慢衰減（“軟恢復(fù)”特點(diǎn)）是令人令人滿意的屬性。所有的FRED二極管都使用了“軟恢復(fù)”特點(diǎn)，SONIC二極管的恢復(fù)屬性更“軟”，它們的阻斷電壓范圍寬，使這些迅速軟恢復(fù)二極管能夠作為開(kāi)關(guān)電源(SMPS)的輸出整流器MUR3040CTR是什么類型的管子？上海快恢復(fù)二極管MUR1640CTR
二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無(wú)法用機(jī)械的方法分開(kāi)。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié)，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化，保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對(duì)比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí)，冷熱沖擊，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管，由于保護(hù)膠和硅片不貼合，會(huì)產(chǎn)生漏氣，導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管，可靠性很高，在150度的HTRB時(shí)，表現(xiàn)仍然很出色；而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HT四川快恢復(fù)二極管MURF1660快恢復(fù)二極管如何選擇？
適用于高頻率的電路場(chǎng)合，低頻如工頻50HZ以下用普通的整流二極管就好。快恢復(fù)二極管做整流二極管常用在在頻率較高的逆變電路中。但是由于整流電路由于頻率很低，故只對(duì)耐壓有要求，只要耐壓能滿足，肯定是可以代用的，且快恢復(fù)二極管也有用于整流的情況，就是在開(kāi)關(guān)電源次級(jí)整流部份，由于頻率較高，只能使用快恢復(fù)二極管整流，否則由于二極管損耗太大會(huì)造成電源整體效率降低，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒毀二極管。另外快恢復(fù)二極管的價(jià)格較整流二極管貴很多，耐壓越高越貴，所以一般是不會(huì)拿快恢復(fù)二代管使用的。之所以稱其為快速恢復(fù)二極管，這是因?yàn)槠胀ㄕ鞫O管一般工作于低頻(如市電頻率為50Hz)，其工作頻率低于3kHz，當(dāng)工作頻率在幾十至幾百kHz時(shí)，正反向電壓變化的時(shí)間慢于恢復(fù)時(shí)間，普通整流二極管就不能正常實(shí)現(xiàn)單向?qū)耍@時(shí)就要用快速恢復(fù)整流二極管。快速恢復(fù)二極管的特點(diǎn)就是它的恢復(fù)時(shí)間很短，這一特點(diǎn)使其適合高頻整流。快恢復(fù)二極管有一個(gè)決定其性能的重要參數(shù)——反向恢復(fù)時(shí)間。反向恢復(fù)時(shí)間的定義是，二極管從正向?qū)顟B(tài)急劇轉(zhuǎn)換到截止?fàn)顟B(tài)，從輸出脈沖下降到零線開(kāi)始。Trr越小的快速恢復(fù)二極管的工作頻率越高。
二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無(wú)法用機(jī)械的方法分開(kāi)。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié)，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化，保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對(duì)比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí)，冷熱沖擊，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管，由于保護(hù)膠和硅片不貼合，會(huì)產(chǎn)生漏氣，導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管，可靠性很高，在150度的HTRB時(shí)，表現(xiàn)仍然很出色；而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTRB。MUR1020CT是快恢復(fù)二極管嗎？
我們都知道在選擇快恢復(fù)二極管時(shí)，主要看它的正向?qū)▔航怠⒎聪蚰蛪骸⒎聪蚵╇娏鞯取５覀儏s很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的，在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對(duì)選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中。在快恢復(fù)二極管兩端加正向偏置電壓時(shí)，其內(nèi)部電場(chǎng)區(qū)域變窄，可以有較大的正向擴(kuò)散電流通過(guò)PN結(jié)。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門(mén)檻電壓”，鍺管約為，硅管約為）以后，快恢復(fù)二極管才能真正導(dǎo)通。但快恢復(fù)二極管的導(dǎo)通壓降是恒定不變的嗎？它與正向擴(kuò)散電流又存在什么樣的關(guān)系？通過(guò)下圖1的測(cè)試電路在常溫下對(duì)型號(hào)為快恢復(fù)二極管進(jìn)行導(dǎo)通電流與導(dǎo)通壓降的關(guān)系測(cè)試，可得到如圖2所示的曲線關(guān)系：正向?qū)▔航蹬c導(dǎo)通電流成正比，其浮動(dòng)壓差為。從輕載導(dǎo)通電流到額定導(dǎo)通電流的壓差雖為，但對(duì)于功率快恢復(fù)二極管來(lái)說(shuō)它影響效率也影響快恢復(fù)二極管的溫升，所以在價(jià)格條件允許下，盡量選擇導(dǎo)通壓降小、額定工作電流較實(shí)際電流高一倍的快恢復(fù)二極管。MUR3060PD是什么類型的管子？TO247封裝的快恢復(fù)二極管MUR1660CTR
MUR3020CT是快恢復(fù)二極管嗎？上海快恢復(fù)二極管MUR1640CTR
有一種二極管叫做SONIC二極管，其反向回復(fù)時(shí)間較為長(zhǎng)，約～μs，軟度因子在。在制造中除了使用平面結(jié)終止結(jié)構(gòu)，玻璃鈍化并有硅橡膠保護(hù)外，還使用了從硅片背面開(kāi)展深擴(kuò)散磷和控制軸向壽命抑制因素，使迅速二極管的反向恢復(fù)電流衰減較慢，具反向“軟恢復(fù)”特點(diǎn)，防范在高頻應(yīng)用時(shí)在硬關(guān)斷過(guò)程中產(chǎn)生過(guò)高的反向尖峰電壓，維護(hù)了開(kāi)關(guān)器件及其二極管自身。該二極管在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)性能安定，并且對(duì)于溫度的變化正向電壓降的變化可以忽視不計(jì)。該二極管是為高頻應(yīng)用設(shè)計(jì)的，在高頻應(yīng)用時(shí)安定確實(shí)。新的迅速軟恢復(fù)二極管——SONIC二極管系列克服了這些缺陷，它們的優(yōu)點(diǎn)為：1．并聯(lián)二極管工作時(shí)正向電壓降Vf與溫度無(wú)關(guān)；2．阻斷電壓平穩(wěn)，漏電流比摻金和鉑的小；3．迅速軟恢復(fù)二極管在高溫下反向漏電流從25℃到125℃比摻鉑FRED少50%。SONIC二極管使用磷深擴(kuò)散和軸向壽命抑制因素，電壓從600V至1800V，如圖3所示。在硼中受控的軸向壽命抑制因素用來(lái)支配區(qū)域1中空穴的發(fā)射效率。區(qū)域2所示的軟N區(qū)為軟恢復(fù)提供了額外電荷。空穴的較低的發(fā)射效率使得器件的正向電壓降對(duì)溫度不太敏感，這有利二極管并聯(lián)工作，并且在高溫時(shí)開(kāi)關(guān)損耗很小。運(yùn)用電子輻照作為外加的規(guī)范壽命抑制因素。上海快恢復(fù)二極管MUR1640CTR