20世紀80年代初，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場效應管(P0WERM0SFET)的研制成功，并得到急劇發展和商業化，這不僅對電力電子逆變器向高頻化發展提供了堅實的器件基礎，同時，為用電設備高頻化(20kHz以上)和高頻設備固態化，為高效、節電、節材，實現機電體化，小型輕量化和智能化提供了重要的技術基礎。與此同時，給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的發展。因為，隨著裝置工作開關頻率的提高，若沒有FRED給高頻逆變裝置的開關器件作續流、吸收、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等開關器件就不能發揮它們的功能和獨特作用，這是由于FRED的關斷特性參數(反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr，反向峰值電流IRM)的作用所致，合適參數的FRED與高頻開關器件的協調工作。使高頻逆變電路內因開關器件換相所引起的過電壓尖峰，高頻干擾電壓以及EMI降低，使開關器件的功能得到充分發揮，FRED模塊現已批量在大功率開關電源、高頻逆變電焊機、高頻逆變開關型電鍍電源、高頻快速充電器以及高頻調速裝置等場合使用，結果非常令人滿意。本文將簡要介紹該FRED模塊的工藝結構，技術參數。MUR3020CS是什么類型的管子？TO220封裝的快恢復二極管MURB1660

    模塊化構造提高了產品的密集性、安全性和可靠性，同時也可下降設備的生產成本，縮短新產品進入市場的周期，提高企業的市場競爭力。由于電路的聯線已在模塊內部完成，因此，縮短了電子器件之間的連線，可實現優化布線和對稱性構造的設計，使設備線路的寄生電感和電容參數下降，有利實現設備的高頻化。此外，模塊化構造與同容量分立器件構造相比之下，還兼具體積小、重量輕、構造連貫、外接線簡便、便于維護和安裝等優點，因而縮小了設備的何種，減低設備的重量和成本，且模塊的主電極端子、操縱端子和輔助端子與銅底板之間具備2．5kV以上有效值的絕緣耐壓，使之能與設備內各種模塊一同安裝在一個接地的散熱器上，有利設備體積的更進一步縮小，簡化設備的構造設計。常州瑞華電力電子器件有限公司根據市場需要，充分利用公司近二十年來專業生產各類電力半導體模塊的工藝制造技術，設計能力，工藝和測試裝置以及生產制造經驗，于2006年開發出了能滿足VVVF變頻器、高頻逆變焊機、大功率開關電源、不停電電源、高頻感應加熱電源和伺服電機傳動放大器所需的“三相整流二極管整流橋開關模塊”(其型號為MDST)的基本上，近期又開發出了“三相超快恢復分公司極管整流橋開關模塊”。快恢復二極管MUR1060CAMUR3060CT是什么類型的管子？

    緩沖電路的形式很多，如圖1所示的電路是基本的也是行之有效的一種緩沖保護電路。緩沖電路由電感LS、電容CS、電阻RS和二極管VDS組成。其中LS是串聯電感。用來限制晶體管VT開通時的電流上升率，由CS、RS、VDS構成并聯緩沖電路，主要用來在VT關斷時限制集電極電壓Uce上升率，使大功率晶體管的工作點軌跡遠離安全工作區的為界。當晶體管VT開通時，直流電動機由電源經晶體管供電，其左端為正，右端為負，電動機正向旋轉；當晶體管VT關斷時,由于電樞電感的影響，電樞電流不能突變，電動機將產生感生電動勢，其左端為負，右端為正，如果沒有續流二極管VD，此電動勢將與電源電壓US相加，一起加在晶體管VT的C、E兩端，而整個回路的電阻很大，因此晶體管兩端的端電壓Uce也很高。晶體管必然被擊穿。當電路并聯有續流二極管VD(如圖1所示),在晶體管VT導通時，二極管VD左端為止，右端為負，VD截止;當晶體管截止時。電動機產生感生電動勢。左負右正，VD正向導通，給電動機提供--個續流回路，不但可以保護晶體管，同時讓電動機電流連續、轉矩穩定。

    但由于環境的影響，特別是在濕度大或帶粉塵的環境下，往往會使觸頭毀損，另外接觸器接通和斷開時產生電弧，導致接觸器壽命縮短而毀壞，從而嚴重影響變頻器的安定精確工作。為了化解上述存在的疑問，常州瑞華電力電子器件有限公司使用FRED替代平常整流二極管，使用晶閘管替代機器接觸器，制成如圖1所示的“三相FRED整流橋開關模塊”，這種模塊用以變頻器后，能使變頻器性能提高、體積縮小、重量減輕、工作安定確實。本公司生產的“三相FRED整流橋開關模塊”(型號為MFST)的主要參數見表1。4結束語2006年常州瑞華電力電子器件有限公司研發成功的“三相整流二極管整流橋開關模塊”(型號為MDST)是由六個平常整流二極管和一個晶閘管構成，其內部電連接原理圖如圖1所示，它已普遍用以VVVT、SMPS、UPS、逆變焊機以及伺服電機驅動放大器等具直流環節的變頻設備，并已獲取很大成效。用超快恢復二極管(FRED)替代一般而言整流管所組成的“三相FRED整流橋開關模塊”(型號為MFST)亦可用于上述各種電壓型變頻器，但可大幅度下降變頻器噪聲達15dB，這一效應將直接影響到變頻器的EMI濾波電路內電容器和電感器的設計，并使它們的大小縮小，從而下降設備的成本和縮小設備的體積。MUR2040CT是快恢復二極管嗎？

    電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用于半控型器件的保護，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應用技術中起著重要的作用。晶閘管開通時，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個扼流電感，以限制過大的di/dt，串聯電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯緩沖電路。晶閘管關斷時，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時過電壓和過大的電壓上升率，以防止晶閘管內部流過過大的結電容電流而誤觸發，需要在晶閘管的兩端并聯一個RC網絡，構成關斷緩沖電路，或稱并聯緩沖電路。IGBT的緩沖電路功能更側重于開關過程中過電壓的吸收與抑制，這是由于IGBT的工作頻率可以高達30~50kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的LdiC/dt，從而產生過電壓，危及IGBT的安全。PWM逆變器中IGBT在關斷和開通中的uCE和iC波形。在iC下降過程中IGBT上出現了過電壓，其值為電源電壓UCC和LdiC/dt兩者的疊加。IGBT緩沖電路中的二極管必須是快恢復的二極管，電容必須是高頻、損耗小，頻率特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。 MUR2060CT二極管的主要參數。福建快恢復二極管MUR2040CTR

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二極管質量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業內使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結構，其芯片P-N結是在鈍化玻璃的保護之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結構，其芯片P-N結是在涂膠的保護之下。采用涂膠保護結，然后在200度左右溫度進行固化，保護P-N結獲得電壓。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結構的不同，當有外力產生時，冷熱沖擊，OJ工藝結構的二極管，由于保護膠和硅片不貼合，會產生漏氣，導致器件出現一定比率的失效。GPP工藝結構的TVS二極管，可靠性很高，在150度的HTRB時，表現仍然很出色；而OJ工藝的產品能夠承受100度左右的HTRB。TO220封裝的快恢復二極管MURB1660