繼電器并聯快恢復二極管電路形式見圖1，其作用主要是為了保護晶體管等驅動元器件。流經線圈的電流變化時，線圈會產生自激電壓來抑制電流的變化，當線圈中的電流變化越快時，所產生的電壓越高。在繼電器開通到關斷的瞬間，由于線圈有電感的性質，所以瞬間會在繼電器的線圈的低電壓端產生一個瞬間電壓尖峰,通常能高達數十倍的線圈額定工作電壓。當圖中晶體管VT由導通變為截止時，流經繼電器線圈的電流將迅速減小，這時線圈會產生很高的自感電動勢與電源電壓疊加后加在VT的c、e兩極間，會使晶體管擊穿，并聯上快恢復二極管后，即可將線圈的自感電動勢鉗位于快恢復二極管的正向導通電壓，此值硅管約，鍺管約，從而避免擊穿晶體管等驅動元器件。并聯快恢復二極管時一定要注意快恢復二極管的極性不可接反，否則容易損壞晶體管等驅動元器件。繼電器線圈斷電瞬間，線圈上可產生高于線圈額定工作電壓值30倍以上的反峰電壓，對電子線路有極大的危害，通常采用并聯瞬態抑制（又叫削峰）快恢復二極管或電阻的方法加以抑制，使反峰電壓不超過50V，但并聯快恢復二極管會延長繼電器的釋放時間3~5倍。 MUR1620CT二極管的主要參數。安徽快恢復二極管MURB2060CT

    二極管的軟度可以獲取更進一步操縱。圖3SONIC軟恢復二極管的壽命控制該二極管回復波形異常的平滑從未振蕩，所以電磁擾亂EMI值十分低。這種軟恢復二極管不僅引致開關損失縮減，而且容許除去二極管的并聯RC緩沖器。使用軸向壽命抑制因素可以取得較佳性能的二極管。電力電子學中的功率開關器件（IGBT、MOSFET、BJT、GTO）總是和迅速二極管相并聯，在增加開關頻率時，除傳導損耗以外，功率開關的固有的功用和效率均由二極管的反向恢復屬性決定（由圖2的Qrr,IRM和Irr特點表示）。所以對二極管要求正向瞬態壓降小，反向回復時間斷，反向回復電荷少，并且具備軟恢復特點。反向峰值電流IRM是另一個十分關鍵的屬性。反向電流衰變的斜率dirr/dt由芯片的工藝技術和擴散參數決定。在電路中，這個電流斜率與寄生電感有關，例如連接引線，引起過電壓尖峰和高頻干擾電壓。dirr/dt越高（“硬回復”屬性），二極管和并聯的開關上產生的附加電壓越高。反向電流的緩慢衰減（“軟恢復”特點）是令人令人滿意的屬性。所有的FRED二極管都使用了“軟恢復”特點，SONIC二極管的恢復屬性更“軟”，它們的阻斷電壓范圍寬，使這些迅速軟恢復二極管能夠作為開關電源(SMPS)的輸出整流器。重慶快恢復二極管MURB2060CTMUR3020CT是快恢復二極管嗎？

    是極有發展前景的電力、電子半導體器件。1．性能特點1）反向恢復時間反向恢復時間tr的概念是：電流通過零點由正向變換到規定低值的時間間距。它是衡量高頻續流及整流器件性能的主要技術指標。反向回復電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為反向回復電流。Irr為反向回復電流，通常規定Irr=。當t≤t0時，正向電流I=IF。當t＞t0時，由于整流器件上的正向電壓忽然變為反向電壓，因此正向電流很快下降，在t=t1時刻，I=0。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR日漸增大；在t=t2日子達到反向回復電流IRM值。此后受正向電壓的效用，反向電流日趨減少，并在t=t3日子達到規定值Irr。從t2到t3的反向恢復過程與電容器放電過程有相像之處。2）快回復、超快恢復二極管的結構特點快恢復二極管的內部構造與平常二極管不同，它是在P型、N型硅材質中間增加了基區I，組成P-I-N硅片。由于基區很薄，反向回復電荷很小，減少了trr值，還下降了瞬態正向壓降，使管子能經受很高的反向工作電壓。快回復二極管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極管的反向恢復電荷更進一步減少，使其trr可低至幾十納秒。

二極管質量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業內使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結構，其芯片P-N結是在鈍化玻璃的保護之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結構，其芯片P-N結是在涂膠的保護之下。采用涂膠保護結，然后在200度左右溫度進行固化，保護P-N結獲得電壓。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結構的不同，當有外力產生時，冷熱沖擊，OJ工藝結構的二極管，由于保護膠和硅片不貼合，會產生漏氣，導致器件出現一定比率的失效。GPP工藝結構的TVS二極管，可靠性很高，在150度的HTRB時，表現仍然很出色；而OJ工藝的產品能夠承受100度左右的HTRB。MURF2060CT是什么類型的管子？

    迅速軟恢復二極管模塊化技術與應用著者：海飛樂技術時間：2018-05-2320:43摘要在高頻應用中為了減小電路損耗和防范過電壓尖峰對器件的損壞，需迅速軟恢復二極管。硬開關過程中存在二極管反向回復電流（Irm）增加了開關器件開通損耗率和過電壓尖峰，并且在迅速di/dt開關時能夠產生電磁干擾。本文介紹了使用特別工藝設計的迅速軟恢復二極管。該二極管是為高頻應用而設計的，在高頻應用方面有著平穩的開關屬性。本文還介紹了用該二極管制造的200A絕緣型和非絕緣型迅速軟恢復二極管模塊及其應用。1．快速軟恢復二極管介紹大功率快速軟恢復二極管主要運用在高頻電力電子電路中，它與主回路中的晶閘管或IGBT等新型電力半導體開關器件相并聯，開關器件反向時，流過負載中的無功電流，減少電容的充電時間，同時抑止因負載電流瞬時反向而感應的過電壓尖峰。為了提高開關器件及電力電子線路的可靠性和穩定性，須要采用迅速軟恢復二極管。快速軟恢復二極管可以減小高頻電路的損耗。在硬開關過程中存在的主要疑問是：二極管反向回復電流（Irm）增加了開關器件開通損耗率，并且在迅速di/dt開關時能夠產生電磁干擾。如果反向回復電流迅速返回零點，就會產生尖峰電壓和電磁干擾。MUR2060CTR是什么類型的管子？陜西快恢復二極管MUR1640CTR

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    快恢復二極管的總功率損耗與正向通態壓降VF，通態電流IF，反向電壓VR,反向漏電流IR，正向過沖電壓Vfp，反向恢復漏電流峰值Irp。以及反向電流下降時間tb等有關。盡管如此，對于給定的快恢復二極管應用，通態電流和反向電壓通常應用電路決定的，只要不超過額定使用條件即可。然而在給定的IF和VR條件下的VF，IR，Vrp，Irp和tb等二極管的特性卻是由所使用的快恢復二極管本身的性能決定的。我們能通過算式5清楚地看到，上述任何一個參數的升高都將導致功率損耗的増加。相反地，如果我們能夠降低其中的某些參數值，則可以降低功率損耗，在所有的功率損耗中，通態損耗所占比例，因此降低通態損耗是降低總功率損耗的主要路徑和方法。而對于通態損耗來講，正向電流由應用條件和額定決定，為恒定值，占空比也由應用條件決定，由算式1可以清楚地看到降低正向壓降是降低功率損耗的主要途徑。而正向壓降正是快恢復二極管本身的性能能力決定的。所以選擇低功耗二極管主要的要看在同等條件下的正向壓降。壓降越低的，其功耗也越低。 安徽快恢復二極管MURB2060CT