20世紀(jì)80年代初，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場(chǎng)效應(yīng)管(P0WERM0SFET)的研制成功，并得到急劇發(fā)展和商業(yè)化，這不僅對(duì)電力電子逆變器向高頻化發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的器件基礎(chǔ)，同時(shí)，為用電設(shè)備高頻化(20kHz以上)和高頻設(shè)備固態(tài)化，為高效、節(jié)電、節(jié)材，實(shí)現(xiàn)機(jī)電體化，小型輕量化和智能化提供了重要的技術(shù)基礎(chǔ)。與此同時(shí)，給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的發(fā)展。因?yàn)椋S著裝置工作開關(guān)頻率的提高，若沒有FRED給高頻逆變裝置的開關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等開關(guān)器件就不能發(fā)揮它們的功能和獨(dú)特作用，這是由于FRED的關(guān)斷特性參數(shù)(反向恢復(fù)時(shí)間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr，反向峰值電流IRM)的作用所致，合適參數(shù)的FRED與高頻開關(guān)器件的協(xié)調(diào)工作。使高頻逆變電路內(nèi)因開關(guān)器件換相所引起的過電壓尖峰，高頻干擾電壓以及EMI降低，使開關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮，F(xiàn)RED模塊現(xiàn)已批量在大功率開關(guān)電源、高頻逆變電焊機(jī)、高頻逆變開關(guān)型電鍍電源、高頻快速充電器以及高頻調(diào)速裝置等場(chǎng)合使用，結(jié)果非常令人滿意。本文將簡(jiǎn)要介紹該FRED模塊的工藝結(jié)構(gòu)，技術(shù)參數(shù)。MURB1040是什么類型的管子？江西快恢復(fù)二極管MUR3040CTR

    電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護(hù)電路，不僅用于半控型器件的保護(hù)，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應(yīng)用技術(shù)中起著重要的作用。晶閘管開通時(shí)，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個(gè)扼流電感，以限制過大的di/dt，串聯(lián)電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯(lián)緩沖電路。晶閘管關(guān)斷時(shí)，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時(shí)過電壓和過大的電壓上升率，以防止晶閘管內(nèi)部流過過大的結(jié)電容電流而誤觸發(fā)，需要在晶閘管的兩端并聯(lián)一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)，構(gòu)成關(guān)斷緩沖電路，或稱并聯(lián)緩沖電路。IGBT的緩沖電路功能更側(cè)重于開關(guān)過程中過電壓的吸收與抑制，這是由于IGBT的工作頻率可以高達(dá)30~50kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的LdiC/dt，從而產(chǎn)生過電壓，危及IGBT的安全。PWM逆變器中IGBT在關(guān)斷和開通中的uCE和iC波形。在iC下降過程中IGBT上出現(xiàn)了過電壓，其值為電源電壓UCC和LdiC/dt兩者的疊加。IGBT緩沖電路中的二極管必須是快恢復(fù)的二極管，電容必須是高頻、損耗小，頻率特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。 浙江快恢復(fù)二極管MUR3040CAMUR3040CTR是什么類型的管子？

快速恢復(fù)整流二極管屬于整流二極管中的高頻整流二極管，之所以稱其為快速恢復(fù)二極管，這是因?yàn)槠胀ㄕ鞫O管一般工作于低頻(如市電頻率為50Hz)，其工作頻率低于3kHz，當(dāng)工作頻率在幾十至幾百kHz時(shí)，正反向電壓變化的時(shí)間慢于恢復(fù)時(shí)間，普通整流二極管就不能正常實(shí)現(xiàn)單向?qū)耍@時(shí)就要用快恢速?gòu)?fù)整流二極管。 快速恢復(fù)二極管的特點(diǎn)就是它的恢復(fù)時(shí)間很短，這一特點(diǎn)使其適合高頻(如電視機(jī)中的行頻)整流。快速恢復(fù)二極管有一個(gè)決定其性能的重要參數(shù)——反向恢復(fù)時(shí)間。反向恢復(fù)時(shí)間的定義是，二極管從正向?qū)顟B(tài)急劇轉(zhuǎn)換到截止?fàn)顟B(tài)，從輸出脈沖下降到零線開始，到反向電源恢復(fù)到IRM的10%所需要的時(shí)間，常用符號(hào)trr表示。普通快速恢復(fù)整流二極管的trr為幾百納秒(10-9s)，超快速恢復(fù)二極管的trr一般為幾十納秒。Trr越小的快速恢復(fù)二極管的工作頻率越高。

    利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時(shí)刻到IR=Irr時(shí)刻所經(jīng)歷的時(shí)間。設(shè)器件內(nèi)部的反向恢電荷為Qrr，有關(guān)系式trr≈2Qrr/IRM()由式()可知，當(dāng)IRM為一定時(shí)，反向恢復(fù)電荷愈小，反向恢復(fù)時(shí)間就愈短。（2）常規(guī)檢測(cè)方法在業(yè)余條件下，利用萬用表能檢測(cè)快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的單向?qū)щ娦裕约皟?nèi)部有無開路、短路故障，并能測(cè)出正向?qū)▔航怠Ｈ襞湟哉讱W表，還能測(cè)量反向擊穿電壓。實(shí)例：測(cè)量一只C90-02超快恢復(fù)二極管，其主要參數(shù)為：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同圖(a)。將500型萬用表撥至R×1檔，讀出正向電阻為Ω，n′=；反向電阻則為無窮大。進(jìn)一步求得VF=×。證明管子是好的。注意事項(xiàng)：（1）有些單管，共三個(gè)引腳，中間的為空腳，一般在出廠時(shí)剪掉，但也有不剪的。（2）若對(duì)管中有一只管子損壞，則可作為單管使用。（3）測(cè)正向?qū)▔航禃r(shí)，必須使用R×1檔。若用R×1k檔，因測(cè)試電流太小，遠(yuǎn)低于管子的正常工作電流，故測(cè)出的VF值將明顯偏低。在上面例子中，如果選擇R×1k檔測(cè)量，正向電阻就等于Ω，此時(shí)n′=9格。由此計(jì)算出的VF值，遠(yuǎn)低于正常值()。MUR2020CS是什么類型的管子？

    模塊化構(gòu)造提高了產(chǎn)品的密集性、安全性和可靠性，同時(shí)也可下降設(shè)備的生產(chǎn)成本，縮短新產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的周期，提高企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。由于電路的聯(lián)線已在模塊內(nèi)部完成，因此，縮短了電子器件之間的連線，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)化布線和對(duì)稱性構(gòu)造的設(shè)計(jì)，使設(shè)備線路的寄生電感和電容參數(shù)下降，有利實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高頻化。此外，模塊化構(gòu)造與同容量分立器件構(gòu)造相比之下，還兼具體積小、重量輕、構(gòu)造連貫、外接線簡(jiǎn)便、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點(diǎn)，因而縮小了設(shè)備的何種，減低設(shè)備的重量和成本，且模塊的主電極端子、操縱端子和輔助端子與銅底板之間具備2．5kV以上有效值的絕緣耐壓，使之能與設(shè)備內(nèi)各種模塊一同安裝在一個(gè)接地的散熱器上，有利設(shè)備體積的更進(jìn)一步縮小，簡(jiǎn)化設(shè)備的構(gòu)造設(shè)計(jì)。常州瑞華電力電子器件有限公司根據(jù)市場(chǎng)需要，充分利用公司近二十年來專業(yè)生產(chǎn)各類電力半導(dǎo)體模塊的工藝制造技術(shù)，設(shè)計(jì)能力，工藝和測(cè)試裝置以及生產(chǎn)制造經(jīng)驗(yàn)，于2006年開發(fā)出了能滿足VVVF變頻器、高頻逆變焊機(jī)、大功率開關(guān)電源、不停電電源、高頻感應(yīng)加熱電源和伺服電機(jī)傳動(dòng)放大器所需的“三相整流二極管整流橋開關(guān)模塊”(其型號(hào)為MDST)的基本上，近期又開發(fā)出了“三相超快恢復(fù)分公司極管整流橋開關(guān)模塊”。MUR2020CT二極管的主要參數(shù)。浙江快恢復(fù)二極管MUR3040CA

快恢復(fù)二極管可以在冷焊機(jī)上的使用。江西快恢復(fù)二極管MUR3040CTR

    GPP和OJ芯片工藝的區(qū)別就在P-N結(jié)的保護(hù)上。OJ結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，采用涂膠保護(hù)結(jié)，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化。保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。GPP結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，芯片的P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下，玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機(jī)械的方法分開。而OJ的保護(hù)膠，是覆蓋在P-N結(jié)的表面。3．特性比較1）由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外界應(yīng)力產(chǎn)生（比如進(jìn)行彎角處理），器件進(jìn)行冷熱沖擊，如果塑料封裝體有漏氣，等等情況下。OJ的產(chǎn)品，其保護(hù)膠和硅片結(jié)合的不牢固，就會(huì)出現(xiàn)保護(hù)不好的情況，使器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP產(chǎn)品則不會(huì)出現(xiàn)類似的情況。2）GPP二極管的可靠性高。首先，GPP常溫下，漏電比OJ的就要小。尤其重要的是HTRB（高溫反向偏置，是衡量產(chǎn)品可靠性的重要標(biāo)志參數(shù)）GPP要好很多，OJ的產(chǎn)品能承受100度左右的HTRB。而GPP在溫度達(dá)到150度時(shí)，仍然表現(xiàn)非常出色。4．說明：以前OJ的產(chǎn)品限于DO系列的軸向封裝，所以很多客戶都使用片式封裝（SMD）產(chǎn)品。因?yàn)槠疆a(chǎn)品，當(dāng)時(shí)只能使用GPP芯片進(jìn)行封裝。但是，現(xiàn)在也出現(xiàn)了片式封裝OJ產(chǎn)品。所以在選用上一定要注意分清。 江西快恢復(fù)二極管MUR3040CTR